【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如日立的变化电气与日立XX ，瑞萨科技公司三菱电气公司和日立公司】,IC型号HAT2031T,HAT2031T PDF资料,HAT2031T经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

HAT2031T

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-529F （ Z）

第7位。版

2001年2月

特点

低导通电阻

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

TSSOP–8

S S

2 3

S S

6 7

MOS1

MOS2

1, 8

漏

2，3， 6 ， 7来源

4, 5

门

HAT2031T

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

PCH

注释：R

总胆固醇

TSTG

评级

3.5

1.5

150

- 55至+ 150

单位

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

—

0.5

—

4.5

—

典型值

—

0.054

0.074

300

185

0.85

最大

—

1.5

0.070

0.098

—

1.11

—

单位

IF = 3.5 A，V

= 0

Note4

IF = 3.5 A，V

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

100

= 0

10 V, V

= 0

= 12 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1m的情况

= 2 A，V

= 4 V

Note4

= 2 A，V

= 2.5 V

Note4

= 2 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V

= 0

F = 1MHz的

= 4 V，I

= 2 A

10 V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅极至源极击穿电压V

（ BR ） GSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

HAT2031T

主要特点

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

100

(A)

最高安全工作区

10 s

100 s

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

0.3

离子

1.5

散热通道

漏电流

1.0

香港专业教育学院

0.5

离子

香港专业教育学院

离子

100

150

200

环境温度Ta （C ）

操作

0.1这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.03

TA = 25℃

0.01 1次脉冲

0.1 0.3

100

漏极至源极电压V

(V)

注5：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

＆ LT ;

记

典型的输出特性

10V

脉冲测试

2.5 V

(A)

典型的传输特性

(A)

–25°C

25°C

TC = 75℃

漏电流

2.0 V

= 1.5 V

漏源极电压

(V)

漏电流

= 10 V

脉冲测试

栅极至源极电压

(V)

HAT2031T

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-529F （ Z）

第7位。版

1999年2月

特点

低导通电阻

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

TSSOP–8

S S

2 3

S S

6 7

MOS1

MOS2

1, 8

漏

2，3， 6 ， 7来源

4, 5

门

HAT2031T

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

PCH

注释：R

总胆固醇

TSTG

评级

3.5

1.5

150

- 55至+ 150

单位

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

—

0.5

—

4.5

—

典型值

—

0.054

0.074

300

185

0.85

最大

—

1.5

0.070

0.098

—

1.11

—

单位

IF = 3.5 A，V

= 0

Note4

IF = 3.5 A，V

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

100

= 0

10 V, V

= 0

= 12 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1m的情况

= 2 A，V

= 4 V

Note4

= 2 A，V

= 2.5 V

Note4

= 2 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V

= 0

F = 1MHz的

= 4 V，I

= 2 A

10 V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅极至源极击穿电压V

（ BR ） GSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

HAT2031T

主要特点

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

100

(A)

最高安全工作区

10 s

100 s

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

0.3

离子

1.5

散热通道

漏电流

1.0

香港专业教育学院

0.5

离子

香港专业教育学院

离子

100

150

200

环境温度Ta （C ）

操作

0.1这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.03

TA = 25℃

0.01 1次脉冲

0.1 0.3

100

漏极至源极电压V

(V)

注5：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

＆ LT ;

记

典型的输出特性

10V

脉冲测试

2.5 V

(A)

典型的传输特性

(A)

–25°C

25°C

TC = 75℃

漏电流

2.0 V

= 1.5 V

漏源极电压

(V)

漏电流

= 10 V

脉冲测试

栅极至源极电压

(V)

HAT2031T

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(

)

0.2

脉冲测试

0.1

0.05

0.16

2.5 V

= 4 V

漏源极电压

0.12

=2A

0.08

0.04

0.5 A

0.02

0.01

0.005

0.002

栅极至源极电压

(V)

0.2

0.5

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.2

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.16

= 2, 1, 0.5 A

= 2.5 V

0.08

2, 1, 0.5 A

0.04

–40

脉冲测试

120

160

壳温度（ ° C）

TC = -25°C

0.12

75 °C

25 °C

0.5

0.2

= 10 V

脉冲测试

0.5 1

漏电流I

(A)

HAT2031T

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

200

100

10000

3000

1000

300

100

漏极至源极电压V

(V)

CRSS

西塞

科斯

= 0

F = 1 MHz的

典型的电容比。

漏源极电压

0.1

的di / dt = 20A / μs的

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

反向漏电流

(A)

电容C （PF ）

动态输入特性

(V)

= 3.5 A

= 5 V

10 V

20 V

1000

500

200

100

开关特性

= 4 V, V

= 10 V

PW = 5

值班< 1 ％

漏源极电压

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

0.1

吨D（上）

0.2

0.5

漏电流

吨D（关闭）

= 20 V

10 V

栅极电荷Qg （ NC ）

(A)