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HAT2022R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1158-1200
(上一个: ADE- 208-440J )
Rev.12.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -D
(包名称: SOP - 8 <FP - 8DAV> )
5 6 7 8
D D D D
65
87
3
12
4
4
G
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
来源
S S S
1 2 3
Rev.12.00 2005年9月7日第1页6
HAT2022R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
30
±20
11
88
11
2.5
150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
30
±20
1.0
12
典型值
0.012
0.017
18
1450
950
380
60
450
80
160
0.8
70
最大
±10
10
2.0
0.015
0.025
1.3
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 11 A,V
GS
= 0
I
F
= 11 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注3
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 6 A,V
GS
= 10 V
注3
I
D
= 6 A,V
GS
= 4 V
I
D
= 6 A,V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 4 V,I
D
= 6 A,
V
DD
10 V
注3
注3
Rev.12.00 2005年9月7日第2 6
HAT2022R
主要特点
功率与温度降额
4.0
100
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
30
PW
最高安全工作区
P沟(W)的
I
D
(A)
1m
=
10
10
s
3.0
10
3
DC
s
100
s
Op
e
散热通道
ra
2.0
漏电流
n
(P
W
N
1在操作
1
OTE 4
这个区域是
0
s)
0.3限制由R
DS ( ON)
TIO
ms
1.0
0.1
0.03 TA = 25℃
1次脉冲
0.01
0.1 0.3
1
0
0
50
100
150
200
3
10
30
100
环境温度
的Ta (℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的输出特性
50
10 V
6V
5V
4.5 V
30
3.5 V
4V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
(A)
I
D
漏电流
40
脉冲测试
16
I
D
12
漏电流
20
3V
10
V
GS
= 2.5 V
0
0
2
4
6
8
10
8
25°C
TC = 75℃
4
–25°C
0
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
0.4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
()
0.2
脉冲测试
0.1
0.05
V
GS
= 4 V
0.5
漏源极电压
0.3
0.02
0.01
0.2
I
D
= 10 A
0.1
5A
2A
0
0
2
4
6
8
10
10 V
0.005
0.002
0.5
1
2
5
10
20
50
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.12.00 2005年9月7日第3页6
HAT2022R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.05
脉冲测试
0.04
I
D
= 2 A, 5 A, 10 A
V
GS
= 4 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
50
TC = -25°C
20
10
5
75°C
2
1
0.5
0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
25°C
0.03
0.02
0.01
10 V
0
–40
0
40
2 A, 5 A, 10 A
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
西塞
1000
300
100
30
10
科斯
CRSS
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr ( NS )
500
100
50
20
10
5
0.2
的di / dt = 20A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.5
1
2
5
10
20
电容C (PF )
200
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 11 A
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
DS
20
V
GS
8
16
开关特性
V
GS
(V)
20
1000
500
tr
tf
TD (关闭)
TD (上)
50
40
开关时间t( NS )
漏源极电压
30
12
栅极至源极电压
200
100
50
10
0
0
20
V
DD
= 25 V
10 V
5V
40
60
80
4
0
100
20 V = 4 V, V = 10 V
GS
DD
PW = 3
s,
1 %
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.12.00 2005年9月7日第4 6
HAT2022R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
40
30
5V
20
10
V
GS
=
0, –5
V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- F(T) =
γ
S( T)
θch
– f
θch
- F = 83.3 ° C / W ,TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
PW
T
0.01
0.001
1s
0.0001
10
pu
LSE
100
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
开关时间波形
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
90%
10%
VIN
4V
50
V
DD
= 10 V
TD (上)
90%
tr
90%
TD (关闭)
tf
Rev.12.00 2005年9月7日第5 6
HAT2022R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-440 J(下Z)
第11版
1999年2月
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
SOP–8
8
7
65
5 6 7 8
D D D D
3
1 2
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
5,6, 7,8排水
S S S
1 2 3
HAT2022R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意:
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±
20
11
88
11
2.5
150
- 55至+ 150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
1. PW
为10μs ,占空比
1 %
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
电气特性
( TA = 25°C )
符号最小值
30
±
20
1.0
12
典型值
0.012
0.017
18
1450
950
380
60
450
80
160
0.8
70
最大
±
10
10
2.0
0.015
0.025
1.3
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
IF = 11 A,V
GS
= 0
Note3
IF = 11 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 20 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±
100
A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 6 A,V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 6 A,V
GS
= 4 V
Note3
I
D
= 6 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 4 V,I
D
= 6 A
V
DD
10 V
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
栅极至源极击穿电压V
( BR ) GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意:
3.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
2
HAT2022R
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟(W)的
I
D
(A)
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米) , PW < 10秒
3.0
100
30
10
3
最高安全工作区
10 s
100 s
PW
DC
Op
er
at
1m
=
s
10
m
s
散热通道
漏电流
2.0
1
离子
(P
W
1.0
操作
0.3这个区域是
限于由R
DS ( ON)
0.1
0.03
TA = 25℃
1次脉冲
& LT ;
10
4
s)
0
50
100
150
的Ta (℃)
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米)
典型的输出特性
50
10V
6V
I
D
(A)
40
5V
4.5 V
30
3.5 V
典型的传输特性
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
I
D
漏电流
16
4V
脉冲测试
12
25°C
TC = 75℃
–25°C
4
漏电流
20
3V
8
10
V
GS
= 2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
3
HAT2022R
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS ( ON)
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
)
0.2
0.5
脉冲测试
脉冲测试
0.1
0.4
0.05
漏源极电压
0.3
0.02
0.01
V
GS
= 4 V
10 V
0.2
I
D
= 10 A
0.1
5A
2A
0
2
4
6
栅极至源极电压
8
V
GS
(V)
10
0.005
0.002
0.5
1
2
5
10 20
漏电流I
D
(A)
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
脉冲测试
0.04
正向转移导纳| YFS | ( S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.05
50
正向转移导纳主场迎战
漏电流
20
10
5
TC = -25°C
25 °C
0.03
V
GS
= 4 V
I
D
= 2 A, 5 A, 10 A
0.02
75 °C
2
1
0.5
0.2
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
0.01
0
–40
2 A, 5 A, 10 A
10 V
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
4
HAT2022R
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr ( NS )
200
100
50
10000
3000
西塞
1000
300
100
30
10
0
10
20
30
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
40
50
科斯
CRSS
典型的电容比。
漏源极电压
20
10
5
0.2
的di / dt = 20A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.5
1
2
5
10 20
反向漏电流I
DR
(A)
电容C (PF )
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
50
I
D
= 11 A
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
DS
V
GS
8
20
1000
500
开关时间t( NS )
开关特性
40
16
tr
200
100
50
tf
吨D(关闭)
吨D(上)
漏源极电压
30
12
20
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
20
40
60
80
栅极电荷Qg ( NC )
4
0
100
栅极至源极电压
20
10
0.2
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
PW = 3微秒,占空比< 1 %
0.5
1
2
漏电流
10
I
D
(A)
5
20
0
5
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厂家
批号
数量
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HAT2022R
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
HAT2022R
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
SOP-8
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
HAT2022R
VB
25+23+
35500
SOP-8
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885659455 复制

电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
HAT2022R
HITACHI/日立
22+
12245
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