【HAT2022R硅N沟道功率MOS FET高速电源开关REJ03G1158-1200（上一个： AD】,IC型号HAT2022R,HAT2022R PDF资料,HAT2022R经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2022R

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

REJ03G1158-1200

（上一个： ADE- 208-440J ）

Rev.12.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

65

87

3

12

4

G

1, 2, 3

4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.12.00 2005年9月7日第1页6

HAT2022R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

30

±20

11

88

11

2.5

150

单位

V

A

W

°C

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

±20

—

1.0

—

12

—

典型值

—

0.012

0.017

18

1450

950

380

60

450

80

160

0.8

70

最大

—

±10

10

2.0

0.015

0.025

—

1.3

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 11 A，V

GS

= 0

I

F

= 11 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 20 A / μs的

注3

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 6 A，V

GS

= 10 V

注3

I

D

= 6 A，V

GS

= 4 V

I

D

= 6 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 6 A,

V

DD

10 V

注3

Rev.12.00 2005年9月7日第2 6

HAT2022R

主要特点

功率与温度降额

4.0

100

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6毫米）， PW

≤

10 s

30

PW

最高安全工作区

P沟（W）的

I

D

(A)

1m

=

10

s

3.0

10

3

DC

s

100

s

Op

e

散热通道

ra

2.0

漏电流

n

(P

W

N

1在操作

≤

1

OTE 4

这个区域是

0

s)

0.3限制由R

DS （ ON）

TIO

ms

1.0

0.1

0.03 TA = 25℃

1次脉冲

0.01

0.1 0.3

1

0

50

100

150

200

3

10

30

100

环境温度

的Ta （℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

典型的输出特性

50

10 V

6V

5V

4.5 V

30

3.5 V

4V

20

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

漏电流

40

脉冲测试

16

I

D

12

漏电流

20

3V

10

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

8

10

8

25°C

TC = 75℃

4

–25°C

0

1

2

3

4

5

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.4

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

0.2

脉冲测试

0.1

0.05

V

GS

= 4 V

0.5

漏源极电压

0.3

0.02

0.01

0.2

I

D

= 10 A

0.1

5A

2A

0

2

4

6

8

10

10 V

0.005

0.002

0.5

1

2

5

10

20

50

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.12.00 2005年9月7日第3页6

HAT2022R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.05

脉冲测试

0.04

I

D

= 2 A, 5 A, 10 A

V

GS

= 4 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

50

TC = -25°C

20

10

5

75°C

2

1

0.5

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

20

25°C

0.03

0.02

0.01

10 V

0

–40

0

40

2 A, 5 A, 10 A

80

120

160

外壳温度

Tc

(°C)

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

西塞

1000

300

100

30

10

科斯

CRSS

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

500

100

50

20

10

5

0.2

的di / dt = 20A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.5

1

2

5

10

20

电容C （PF ）

200

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 11 A

V

DD

= 5 V

10 V

25 V

V

DS

20

V

GS

8

16

开关特性

V

GS

(V)

20

1000

500

tr

tf

TD （关闭）

TD （上）

50

40

开关时间t（ NS ）

漏源极电压

30

12

栅极至源极电压

200

100

50

10

0

20

V

DD

= 25 V

10 V

5V

40

60

80

4

0

100

20 V = 4 V, V = 10 V

GS

DD

PW = 3

s,

税

≤

1 %

10

0.2

0.5

1

2

5

10

20

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.12.00 2005年9月7日第4 6

HAT2022R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

40

30

5V

20

10

V

GS

=

0, –5

V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

- F（T） =

γ

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

P

DM

D=

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

10000

PW

T

0.01

0.001

1s

0.0001

10

pu

热

LSE

100

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

90%

10%

VIN

4V

50

V

DD

= 10 V

TD （上）

90%

tr

90%

TD （关闭）

tf

Rev.12.00 2005年9月7日第5 6

HAT2022R

硅N沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-440 J（下Z）

第11版

1999年2月

特点

低导通电阻

能够4 V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

SOP–8

8

7

65

5 6 7 8

D D D D

3

1 2

4

G

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

HAT2022R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

30

±

20

11

88

11

2.5

150

- 55至+ 150

单位

V

A

W

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

30

±

20

—

1.0

—

12

—

典型值

—

0.012

0.017

18

1450

950

380

60

450

80

160

0.8

70

最大

—

±

10

2.0

0.015

0.025

—

1.3

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

IF = 11 A，V

GS

= 0

Note3

IF = 11 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±

100

A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 6 A，V

GS

= 10 V

Note3

I

D

= 6 A，V

GS

= 4 V

Note3

I

D

= 6 A，V

DS

= 10 V

Note3

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 6 A

V

DD

10 V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅极至源极击穿电压V

（ BR ） GSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2

HAT2022R

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

100

30

10

3

最高安全工作区

10 s

100 s

PW

DC

Op

er

at

1m

=

s

10

m

s

散热通道

漏电流

2.0

1

离子

(P

W

1.0

操作

0.3这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.1

0.03

TA = 25℃

1次脉冲

＆ LT ;

记

10

4

s)

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

0.01

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

典型的输出特性

50

10V

6V

I

D

(A)

40

5V

4.5 V

30

3.5 V

典型的传输特性

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

(A)

I

D

漏电流

16

4V

脉冲测试

12

25°C

TC = 75℃

–25°C

4

漏电流

20

3V

8

10

V

GS

= 2.5 V

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

栅极至源极电压

4

V

GS

(V)

5

3

HAT2022R

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.2

0.5

脉冲测试

0.1

0.4

0.05

漏源极电压

0.3

0.02

0.01

V

GS

= 4 V

10 V

0.2

I

D

= 10 A

0.1

5A

2A

0

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.005

0.002

0.5

1

2

5

10 20

漏电流I

D

(A)

50

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

脉冲测试

0.04

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.05

50

正向转移导纳主场迎战

漏电流

20

10

5

TC = -25°C

25 °C

0.03

V

GS

= 4 V

I

D

= 2 A, 5 A, 10 A

0.02

75 °C

2

1

0.5

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

0.01

0

–40

2 A, 5 A, 10 A

10 V

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

4

HAT2022R

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

200

100

50

10000

3000

西塞

1000

300

100

30

10

0

10

20

30

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

40

50

科斯

CRSS

典型的电容比。

漏源极电压

20

10

5

0.2

的di / dt = 20A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.5

1

2

5

10 20

反向漏电流I

DR

(A)

电容C （PF ）

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

V

GS

(V)

50

I

D

= 11 A

V

DD

= 5 V

10 V

25 V

V

DS

V

GS

8

20

1000

500

开关时间t（ NS ）

开关特性

40

16

tr

200

100

50

tf

吨D（关闭）

吨D（上）

漏源极电压

30

12

20

10

V

DD

= 25 V

10 V

5V

20

40

60

80

栅极电荷Qg （ NC ）

4

0

100

栅极至源极电压

20

10

0.2

V

GS

= 4 V, V

DD

= 10 V

PW = 3微秒，占空比< 1 ％

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20

0

5