HAT2022R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1158-1200
(上一个: ADE- 208-440J )
Rev.12.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -D
(包名称: SOP - 8 <FP - 8DAV> )
5 6 7 8
D D D D
65
87
3
12
4
4
G
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S S S
1 2 3
Rev.12.00 2005年9月7日第1页6
HAT2022R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
40
30
5V
20
10
V
GS
=
0, –5
V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- F(T) =
γ
S( T)
θch
– f
θch
- F = 83.3 ° C / W ,TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
PW
T
0.01
0.001
1s
0.0001
10
pu
热
LSE
100
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
开关时间波形
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
90%
10%
VIN
4V
50
V
DD
= 10 V
TD (上)
90%
tr
90%
TD (关闭)
tf
Rev.12.00 2005年9月7日第5 6
HAT2022R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意:
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±
20
11
88
11
2.5
150
- 55至+ 150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
1. PW
≤
为10μs ,占空比
≤
1 %
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW≤ 10秒
电气特性
( TA = 25°C )
项
符号最小值
30
±
20
—
—
1.0
—
—
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.012
0.017
18
1450
950
380
60
450
80
160
0.8
70
最大
—
—
±
10
10
2.0
0.015
0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
1.3
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
IF = 11 A,V
GS
= 0
Note3
IF = 11 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 20 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
I
G
=
±
100
A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 6 A,V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 6 A,V
GS
= 4 V
Note3
I
D
= 6 A,V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= 4 V,I
D
= 6 A
V
DD
10 V
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
栅极至源极击穿电压V
( BR ) GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意:
3.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
2
HAT2022R
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟(W)的
I
D
(A)
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米) , PW < 10秒
3.0
100
30
10
3
最高安全工作区
10 s
100 s
PW
DC
Op
er
at
1m
=
s
10
m
s
散热通道
漏电流
2.0
1
离子
(P
W
1.0
操作
0.3这个区域是
限于由R
DS ( ON)
0.1
0.03
TA = 25℃
1次脉冲
& LT ;
记
10
4
s)
0
50
100
150
的Ta (℃)
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40x40x1.6毫米)
典型的输出特性
50
10V
6V
I
D
(A)
40
5V
4.5 V
30
3.5 V
典型的传输特性
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
I
D
漏电流
16
4V
脉冲测试
12
25°C
TC = 75℃
–25°C
4
漏电流
20
3V
8
10
V
GS
= 2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
3