HAT2016R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
6.5
52
6.5
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW≤ 10秒
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW≤ 10秒
2
HAT2016R
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟（W）的
I
D
(A)
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
3.0
最高安全工作区
10
s
PW
Op
er
at
离子
100
30
10
3
100
s
1
m
s
DC
=
10
m
散热通道
漏电流
s
2
iv
Dr
2.0
1
Dr
1
1.0
香港专业教育学院
Op
er
at
离子
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
环境温度
＆ LT ;
OTE
操作
10
5
s)
0.3这个区域是
限于由R
DS （ ON）
0.1
TA = 25
°C
0.03 1次脉冲
1驱动器操作
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
(P
W
N
典型的输出特性
20
10 V
I
D
(A)
(A)
16
6V
5V
4.5 V
4V
脉冲测试
16
20
12
I
D
e
e
Op
ra
n
TIO
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
典型的传输特性
TC = -25
°C
25
°C
75
°C
12
漏电流
8
3V
V
GS
= 2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
漏电流
3.5 V
8
4
4
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
4
HAT2016R
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1156-1000
（上一个： ADE- 208-438H ）
Rev.10.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
7 8
D D
5 6
D D
65
87
3
12
4
2
G
4
G
1, 3
2, 4
5, 6, 7, 8
来源
门
漏
S1
MOS1
S3
MOS2
Rev.10.00 2005年9月7日第1页7
HAT2016R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
30
±20
6.5
52
6.5
2
3
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
PCH
注3
PCH
总胆固醇
TSTG
注2
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
±20
—
—
1.0
—
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.03
0.05
8
560
380
170
30
270
40
65
0.9
45
最大
—
—
±10
10
2.0
0.045
0.08
—
—
—
—
—
—
—
—
1.4
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 6.5 A，V
GS
= 0
I
F
= 6.5 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注4
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V
注4
I
D
= 4 A，V
GS
= 4 V
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= 4 V，I
D
= 4 A,
V
DD
10 V
注4
注4
Rev.10.00 2005年9月7日第2 7
HAT2016R
开关特性
1000
500
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
PW = 3
s,
税
≤
1 %
开关时间t（ NS ）
200
100
50
tr
tf
TD （关闭）
TD （上）
20
10
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
漏电流
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
I
D
(A)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 125°C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
LSE
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
D=
0.001
1s
ho
PW
T
u
tp
0.0001
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
θch
- F（T） =
γ
S（ T）
θch
– f
θch
- F = 166 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
PW
T
0.001
h
1s
o
u
tp
LSE
0.0001
10
100
脉冲宽度PW （S ）
Rev.10.00 2005年9月7日第5 7
QQ：2881677436 复制
