【HAT2010F硅N沟道功率MOS FET应用电源开关SOP–8特点低导通电阻能够4V栅极驱动低驱动】,IC型号HAT2010F,HAT2010F PDF资料,HAT2010F经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2010F

硅N沟道功率MOS FET

应用

电源开关

SOP–8

特点

低导通电阻

能够4V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

7 8

D D

5 6

D D

8

5

7 6

3

1 2

4

2

G

4

G

订购信息

————————————————————

日立代码

EIAJ代码

JEDEC代码

FP–8D

SC–527–8A

—

S1

S3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

————————————————————

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

PCH ***

PCH **

总胆固醇

TSTG

MOS1

MOS2

评级

30

±20

3.5

14

1.5

1

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

1驱动器操作

当使用玻璃环氧板（40

x

40

x

1.6 mm)

***

2驱动器操作

当使用玻璃环氧板（40

x

40

x

1.6 mm)

HAT2010F

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

30

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= -100 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

VDS = 10 V，I

D

= 1毫安

———————————————————————————————————————————

±20

—

V

———————————————————————————————————————————

—

1.0

—

0.06

±10

10

2.5

0.075

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= 2A

V

GS

= 10V *

I

D

= 2A

V

GS

=4V *

I

D

= 2 A

V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 2 A

V

DD

= 10 V

————————————————————————

—

0.09

0.13

———————————————————————————————————————————

转发tramsfer准入

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

TD （

上）

tr

3

4.5

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

*脉冲测试

—

470

330

95

20

90

40

45

0.9

—

pF

ns

V

I

F

= 3.5 A，V

GS

= 0

I

F

= 3.5 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 20A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

V

DF

TRR

tf

TD （

OFF ）

———————————————————————————————————————————

—

45

—

ns

———————————————————————————————————————————

HAT2010F

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ 40 ×40× 1.6毫米）

1.5

100

30

10

3

最高安全工作区

10 s

100 s

1m

PW

DC

Op

散热通道

漏电流

=

s

1.0

1

Dr

香港专业教育学院

1

10

0.5

Op

er

a

er

at

操作

离子

0.3这个区域是

**

限于由R

DS （ ON）

0.1

ms

2

Dr

香港专业教育学院

pe

O

TIO

n

ra

TIO

n

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

0.03 TA = 25℃

0.01 1次脉冲

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

** 1驱动器操作

当使用玻璃环氧基板

（ 40 ×40× 1.6毫米）

20

典型的输出特性

10 V 8 V

6V

5V

脉冲测试

(A)

4.5 V

4V

3.5 V

典型的传输特性

20

TC = 75℃

–25°C

25°C

12

I

D

(A)

16

12

漏电流

I

D

8

3V

4

2.5 V

V

GS

= 2 V

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

8

4

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

HAT2010F

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1

脉冲测试

0.5

0.4

漏源极电压

0.3

0.2

0.1

V

GS

= 4 V

10 V

0.2

I

D

=2A

0.1

1A

0.5 A

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.05

0.02

0.01

0.2

0

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.20

脉冲测试

0.16

I

C

= 1 A, 2 A

0.5 A

20

10

5

正向转移导纳主场迎战

漏电流

TC = -25°C

0.12

V

GS

= 4 V

25 °C

2

1

0.5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

75 °C

0.08

0.5 A, 1 A, 2 A

10 V

0.04

0

–40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

0.2

HAT2010F

500

反向恢复时间trr （ NS ）

体漏二极管的反向

恢复时间

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

1000

西塞

300

科斯

100

30

10

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

100

50

20

10

5

0.2

的di / dt = 20A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

10 20

0.5

1

2

5

反向漏电流I

DR

(A)

电容C （PF ）

200

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 3.5 A

V

GS

(V)

50

20

2000

1000

开关时间t（ NS ）

500

200

100

50

20

10

5

2

0.2

开关特性

V

GS

= 4 V, V

DD

= 10 V

PW = 3微秒，占空比< 1 ％

tr

tf

吨D（关闭）

吨D（上）

40

V

DD

= 5 V

10 V

25 V

V

GS

V

DD

= 25 V

10 V

5V

4

8

12

16

栅极电荷Qg （ NC ）

16

漏源极电压

30 V

DS

20

12

8

10

4

0

20

栅极至源极电压

0

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20