【HAT2001F硅N沟道功率MOS FET应用SOP–8电源开关特点低导通电阻能够of2.5V栅极驱】,IC型号HAT2001F,HAT2001F PDF资料,HAT2001F经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2001F

硅N沟道功率MOS FET

应用

SOP–8

电源开关

特点

低导通电阻

能够of2.5V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

8

5 6 7 8

D D D D

7

65

3

1 2

4

G

订购信息

————————————————————

日立代码

EIAJ代码

JEDEC代码

FP–8D

SC–527–8A

—

S S S

1 2 3

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

————————————————————

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

I

DR

PCH **

总胆固醇

TSTG

评级

30

±10

5

20

5

1

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

当使用玻璃环氧板（40

x

40

x

1.6 mm)

HAT2001F

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

30

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= ±200 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±6.5 V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

VDS = 10 V，I

D

= 1毫安

———————————————————————————————————————————

±10

—

V

———————————————————————————————————————————

—

0.4

—

0.035

±10

10

1.4

0.045

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= 3 A

V

GS

= 4V *

I

D

= 3 A

V

GS

= 2.5 V *

I

D

= 3 A

V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= 4 V，I

D

= 3 A

V

DD

= 10 V

————————————————————————

—

0.045

0.06

———————————————————————————————————————————

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

7

12

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

*脉冲测试

—

1250

540

120

20

100

210

130

0.8

—

pF

ns

V

I

F

= 5A ，V

GS

= 0

I

F

= 5A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

—

50

—

ns

———————————————————————————————————————————

HAT2001F

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ 40 ×40× 1.6毫米）

1.5

100

30

10

3

漏电流

最高安全工作区

10 s

100 s

1

PW

散热通道

=

m

1.0

1

DC

10

s

0.5

操作

TIO

0.3这个区域是

n*

*

限于由R

DS （ ON）

0.1

0.03 TA = 25℃

0.01 1次脉冲

0.1 0.3

1

3

10

30

100

漏极至源极电压V

DS

(V)

**当使用玻璃环氧树脂板

（ 40 ×40× 1.6毫米）

Op

m

er

a

s

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

典型的输出特性

20

10 V

5V

4V

2.5 V

20

2V

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

12

I

D

漏电流

(A)

16

12

TC = 75℃

25°C

4

–25°C

漏电流

8

V

GS

= 1.5 V

8

4

0

2

4

6

漏源极电压

8

V

DS

(V)

10

0

1

2

3

栅极至源极电压

5

4

V

GS

(V)

HAT2001F

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

0.5

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1

脉冲测试

0.5

0.4

0.2

0.1

V

GS

= 2.5 V

4V

漏源极电压

0.3

0.2

I

D

=5A

0.05

0.1

2A

1A

2

4

6

栅极至源极电压

8

V

GS

(V)

10

0.02

0.01

0.2

0

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.10

脉冲测试

0.08

I

D

= 1 A, 2 A, 5 A

2.5 V

50

正向转移导纳主场迎战

漏电流

20

10

TC = -25°C

0.06

25 °C

5

2

1

0.5

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

20

漏电流I

D

(A)

75 °C

0.04

1 A, 2 A, 5 A

V

GS

= 4 V

0.02

0

–40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

HAT2001F

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

的di / dt = 20A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

西塞

1000

科斯

300

100

30

10

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

200

100

50

20

10

0.2

电容C （PF ）

0.5

1

2

5

10 20

反向漏电流I

DR

(A)

0

10

20

30

40

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 5 A

40

V

DD

= 5 V

10 V

25 V

V

GS

20

4

8

V

GS

(V)

50

10

1000

开关特性

V

GS

= 4 V, V

DD

= 10 V

500 PW = 3微秒，占空比< 1 ％

开关时间t（ NS ）

吨D（关闭）

200

tf

100

50

tr

吨D（上）

20

10

0.2

漏源极电压

30 V

DS

6

10

V

DD

= 25 V

10 V

5V

8

16

24

32

栅极电荷Qg （ NC ）

2

0

40

栅极至源极电压

0

0.5

1

2

漏电流

10

I

D

(A)

5

20