HAT1110R
硅P沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0416-0200
Rev.2.00
Oct.07.2004
特点
能够-4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
SOP-8
7 8
D D
5 6
D D
5
7 6
2
G
4
G
8
3
1 2
S1
S3
4
1, 3
来源
2, 4
门
5，6， 7，8排水
MOS1
MOS2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
符号
评级
漏源极电压
V
DSS
–80
栅极至源极电压
V
GSS
±20
漏电流
I
D
–1
Note1
漏电流峰值
I
D（脉冲）
–6
反向漏电流
I
DR
–1
Note2
散热通道
PCH
1.2
Note3
散热通道
PCH
1.8
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2. 1驾驶操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10 s
3. 2驱动器操作;当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10 s
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
Rev.2.00 ， Oct.07.2004 ，页7 1
HAT1110R
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–80
±20
—
—
–1.0
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.8
1.02
0.8
170
24
16
3.6
0.3
0.7
14
12
25
5.5
–0.86
21
最大
—
—
±10
–1
–2.5
1.05
1.38
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.12
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= –80 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1mA
I
D
= -0.5 A，V
GS
= –10 V
Note4
I
D
= -0.5 A，V
GS
= – 4.5 V
Note4
I
D
= -0.5 A，V
DS
= –10 V
Note4
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= -25 V
V
GS
= -10 V
I
D
= -1.0 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –0.5 A
V
DD
≈
–30 V
R
L
= 60
R
g
= 4.7
IF = -1.0 A，V
GS
= 0
Note4
IF = -1.0 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 ， Oct.07.2007 ， 7个2页
HAT1110R
主要特点
功率与温度降额
4.0
P沟（W）的
最高安全工作区
10
10
10
0
I
D
(A)
测试条件。
当使用玻璃环氧基板。
（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， （ PW
≤
10 s)
s
3.0
1
1
DC
Op
er
PW
m
s
s
=
10
散热通道
漏电流
m
2.0
2
Dr
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Op
0.1
操作
这个区域是
0.01
限于由R
DS （ ON）
ATI
s(
on
1s
h
(P
ot
)
W
1.0
1D
RIVE
er
≤
1
不
0 s
e 5
)
Op
ERA
t
at
离子
离子
TA = 25°C
0.001
1次脉冲
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
0.1
1
10
100
环境温度
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
典型的输出特性
–2.5
–10 V
–5 V
–2.0
I
D
(A)
典型的传输特性
–2.0
TC =
25°C
I
D
(A)
–4 V
25°C
75°C
–1.0
–1.5
–3.5 V
漏电流
–1.0
V
GS
= –3 V
–0.5
脉冲测试
0
–5
漏极至源极电压V
DS
–10
(V)
漏电流
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
–1.0
–2.0
–3.0 –4.0
栅极至源极电压V
GS
–5.0
(V)
–5
漏极至源极电压V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
–4
–3
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
脉冲测试
V
GS
= –4.5 V
1
–10 V
–2
–1
I
D
= –1 A
–0.5 A
0
–4
–8
–12
栅极至源极电压
–16
–20
V
GS
(V)
0
0.1
1
漏电流
10
I
D
(A)
Rev.2.00 ， Oct.07.2007 ， 7 3页
HAT1110R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
3.0
脉冲测试
2.5
–1 A
2.0
I
D
= –0.2 A, –0.5 A
1.5
V
GS
= –4.5 V
1.0
–0.2 A, –0.5 A
0.5
0
–25
–10 V
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
–1 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
TC = -25°C
25°C
75°C
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–1
–3
–10
I
D
(A)
0.01
–0.01 –0.03 –0.1 –0.3
漏电流
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
100
50
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
1000
500
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
20
10
5
2
1
–0.1
的di / dt = -100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–0.3
–1
–3
–10
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
科斯
CRSS
0
–10
–20
–30
–40
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
V
DS
(V)
0
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
0
(V)
I
D
= –1 A –4
100
50
开关时间t（ NS ）
TD （关闭）
20
10
5
2
1
–0.1
TD （上）
tr
tf
V
GS
= –10 V, V
DS
= –30 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
–1
漏电流
–10
I
D
(A)
漏源极电压
–40
V
DS
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
2
4
栅极电荷
6
8
QG （ NC ）
V
GS
–8
–60
–12
–80
–16
–100
0
–20
10
Rev.2.00 ， Oct.07.2007 ， 7第4页
栅极至源极电压
V
GS
–20
HAT1110R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–2.5
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–2.0
–1.5
–1.0
–10 V
–5 V
–0.5
V
GS
= 0V, 5 V
0
–0.4 –0.8 –1.2
源极到漏极电压
–1.6
–2.0
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 1驱动器操作）
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- F（T） =
γs
（T ）×
θch
- f
θch
- F = 180 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
e
ULS
p
PDM
PW
T
0.01
0.01
h
1s
ot
D=
PW
T
0.001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度（ 2驱动器操作）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- F（T） =
γs
（T ）×
θch
- f
θch
- F = 230 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
ls
pu
e
PDM
PW
T
0.01
0.01
1s
t
ho
D=
PW
T
0.001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
Rev.2.00 ， Oct.07.2007 ， 7 5页
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