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HAT1097R , HAT1097RJ
硅P沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G0529-0100
Rev.1.00
Feb.15.2005
特点
低导通电阻
能够4.5 V门极驱动
高密度安装
“J”是汽车应用
高温D-S间漏保
雪崩额定值
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -A
(以前的代码: SOP - 8 <FP - 8DA> )
5 6
7 8
D D D D
8
5
7 6
4
G
3
1 2
4
1, 2, 3
来源
4
5,6, 7,8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
符号
评级
HAT1097R
HAT1097RJ
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
漏源极电压
V
DSS
–60
–60
栅极至源极电压
V
GSS
±20
±20
漏电流
I
D
–5
–5
Note1
漏电流峰值
I
D
(脉冲)
–40
–40
Note3
雪崩电流
I
AP
–5
雪崩能量
E
ARNote3
2.14
Note2
散热通道
PCH
2
2
通道温度
总胆固醇
150
150
储存温度
TSTG
-55到+150
-55到+150
注意事项: 1, PW
为10μs ,占空比
1%
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , PW
10 s
3.价值在总胆固醇= 25°C , RG
50
Rev.1.00 , Feb.15.2005 ,页7 1
HAT1097R , HAT1097RJ
电气特性
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
HAT1097R
零栅极电压
漏电流
HAT1055RJ
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注: 4.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
|y
fs
|
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
V
DF
TRR
–60
±20
–1.0
3
典型值
5
60
90
1350
135
85
21
3
4
20
15
55
10
–0.85
25
最大
–1
–10
±10
–2.5
76
130
–1.10
单位
V
V
A
A
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
DS
= –48 V, V
GS
= 0
TA = 125
°
C
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
I
D
= –2.5 A
Note4
, V
DS
= –10 V
I
D
= –2.5 A
Note4
, V
GS
= –10 V
I
D
= –2.5 A
Note4
, V
GS
= –4.5 V
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= –25 V
V
GS
= –10 V
I
D
= –5 A
V
GS
= -10 V,I
D
= –2.5 A
V
DD
–30 V
R
L
= 12
R
G
= 4.7
I
F
= -5 A ,V
GS
= 0
Note4
I
F
= -5 A ,V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.1.00 , Feb.15.2005 , 7个2页
HAT1097R , HAT1097RJ
主要特点
功率与温度降额
4.0
–100
最高安全工作区
10
s
10
0
s
PW
1毫秒
=1
0m
DC
s
Op
ERA
TIO
n(
PW
N
P沟(W)的
(A)
漏电流I
D
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米)的PW
10 s
–30
–10
–3
–1
–0.3
3.0
散热通道
2.0
–0.1
操作
这个区域是
1.0
0
50
100
150
的Ta (℃)
200
环境温度
–0.03
限于由R
DS ( ON)
–0.01
TA = 25°C
–0.003
1次脉冲
–0.001
–0.1 –0.3 –1
–3
–10 –30 –100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5:当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
& LT ; 1
OTE
0s
5
)
典型的输出特性
–10
–10 V
脉冲测试
–10
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
(A)
–3.5 V
漏电流I
D
–6
–4
–2
V
GS
=–2.5 V
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–8
V
DS
(V)
–10
漏电流I
D
(A)
–8
–6 V
–4.5 V
–8
–6
–4
–2
TC = 75℃
0
–1
–2
25°C
–25°C
–3
–4
–5
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
–1
脉冲测试
–0.8
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
()
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
V
GS
= –4.5 V
–0.6
–0.4
I
D
= –5 A
–0.2
0
0
–2 A
–1 A
–4
–8
–12
–16
–20
0.05
–10 V
0.02
0.01
–1
–3
–10
–30
–100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.1.00 , Feb.15.2005 , 7 3页
HAT1097R , HAT1097RJ
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳| YFS | ( S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.25
脉冲测试
0.20
–5 A
0.15
V
GS
= –4.5 V
0.10
–5 A
–1, –2 A
I
D
= –1, –2 A
50
20
10
5
2
1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25°C
25°C
75°C
0.05
0
–40
–10 V
0
40
80
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–1
–3
–10
–30
–100
120
Tc
(°C)
160
0.5
–0.1 –0.3
外壳温度
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源电压
5000
电容C (PF )
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr ( NS )
500
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
2000
1000
500
200
100
50
科斯
CRSS
20
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
(V)
–50
西塞
200
100
50
20
10
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
反向漏电流
I
DR
(A)
漏源电压V
DS
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
开关时间t( NS )
动态输入特性
0
V
DS
(V)
–20
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
I
D
= –5 A
0
1000
300
100
30
10
3
1
–0.1 –0.3
tf
V
GS
= –10 V, V
DS
= –30 V
PW = 5
s,
值班< 1 %
–1
–3
–10 –30
漏电流I
D
(A)
–100
吨D(关闭)
tr
吨D(上)
–4
漏源极电压
–40
V
DS
–60
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
–8
–12
–80
–16
–20
40
–100
0
8
16
24
32
栅极电荷Qg ( NC )
Rev.1.00 , Feb.15.2005 , 7第4页
HAT1097R , HAT1097RJ
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
(兆焦耳)
–10
2.5
I
AP
=
5
A
V
DD
=
25
V
值班< 0.1 %
RG > 50
(A)
脉冲测试
–8
–10 V
–6
–5 V
V
GS
= 0, 5 V
反向漏电流I
DR
2.0
1.5
–4
1.0
0.5
0
25
–2
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
漏源电压V
SD
(V)
50
75
100
125
150
沟道温度Tch ( ° C)
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP
2
雪崩测试电路
V
DSS
V
DSS
- V
DD
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
V
( BR ) DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
Rg
VIN
-15 V
D. U.牛逼
50
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
Rg
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
开关时间波形
10%
90%
VIN
-10 V
V
DD
= -30 V
VOUT
TD (上)
90%
10%
tr
TD (关闭)
90%
10%
t
f
Rev.1.00 , Feb.15.2005 , 7 5页
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