【HAT1094C硅P沟道MOS场效应晶体管电源开关REJ03G1231-0400Rev.4.0020】,IC型号HAT1094C,HAT1094C PDF资料,HAT1094C经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT1094C

硅P沟道MOS场效应晶体管

电源开关

REJ03G1231-0400

Rev.4.00

2006年2月28日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 67毫欧（典型值）。（在V

= –4.5 V)

低驱动电流。

1.8 V门极驱动装置。

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PWSF0006JA -A

（包名称： CMFPAK - 6 ）

Indexband

2 3 4 5

DDD D

1.源

2.漏

3.排水

4.漏

5.排水

6.门

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

符号

评级

漏源极电压

DSS

–12

栅极至源极电压

GSS

±8

漏电流

–2.5

Note1

漏电流峰值

（脉冲）

–10

体 - 漏二极管的反向漏电流

–2.5

注2

散热通道

PCH

850

通道温度

总胆固醇

150

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧树脂板。（ FR4 40

1.6毫米）， TA = 25℃

单位

°C

Rev.4.00 2006年2月28日第1页6

HAT1094C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

漏极至源极漏电流

门源截止电压

漏极至源极导通电阻

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

分钟。

–12

±8

—

–0.3

—

3.5

—

典型值。

—

128

530

130

6.5

1.8

–0.85

马克斯。

—

±10

–1

–1.2

126

192

—

–1.1

单位

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 A,

= 0

±6.4

V, V

= 0

= –12 V, V

= 0

= -1 A，V

= –10 V

Note3

= -1.3 A，V

= –4.5 V

Note3

= -1.3 A，V

= –2.5 V

Note3

= -1.3 A，V

= –1.8 V

Note3

= -1.3 A，V

= –10 V

Note3

= –10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

= –10 V, V

= –4.5 V,

= –2.5 A

= –10 V, V

= –4.5 V,

= -1.3 A，R

= 7.7

= 4.7

= -2.5 A，V

= 0

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

打开 - 延迟时间

上升时间

打开 - 关闭延迟时间

下降时间

身体 - 漏极二极管的正向电压

注： 3.脉冲测试

| y

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

Rev.4.00 2006年2月28日第2页6

HAT1094C

主要特点

功率与温度降额

2.0

–100

最高安全工作区

TA = 25 ℃，脉搏1SHOT

100毫秒当使用FR4板。

PW 1米

P沟（W）的

散热通道

漏电流I

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40 ×40× 1.6毫米），TA = 25℃

1.6

–10

1.2

–1

0.8

–0.1

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

0.4

–0.01

100

150

200

–0.001

–0.001 –0.01

–0.1

–1

–10

–100

环境温度

的Ta （℃）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

–20

–10 V

–4.5 V

–4.0 V

脉冲测试

–3.5 V

典型的传输特性

–20

25°C

–25°C

–12

= –10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

–16

–3.0 V

TC = 75℃

–12

–2.5 V

–8

–2.0 V

–8

–4

–1.8 V

= –1.5 V

–4

–2

–4

–6

–8

–10

–2

–4

–6

–8

–10

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极电压V

DS （ ON）

（毫伏）

–400

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

1000

–1.8 V

–2.5 V

100

= –4.5 V

–300

–200

= –2.5 A

–100

–1.3 A

–0.5 A

–2

–4

–6

–8

–10

脉冲测试

–0.1

–1

–10

–100

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

Rev.4.00 2006年2月28日第3页6

HAT1094C

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

200

–1.8 V

–1.3 A

–0.5 A

–2.5 A

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

160

TC = -25°C

25°C

120

–0.5, –1.3 A

75°C

–2.5 V

= –4.5 V

= –0.5, –1.3, –2.5 A

0.3

= –10 V

脉冲测试

0.1

–0.01 –0.03 –0.1 –0.3

–1

–3

–10

脉冲测试

–25

100 125 150

外壳温度

(°C)

漏电流I

(A)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

= –7 V

–10 V

–12 V

典型的电容比。

漏源极电压

栅极至源极电压V

(V)

1000

西塞

–4

–2

电容C （PF ）

300

科斯

100

CRSS

= 0

F = 1 MHz的

–2

–4

–6

–8

–10

–12

–8

–4

–12

= –7 V

–10 V

–12 V

–6

–16

–8

栅极电荷Qg （ NC ）

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–20

10000

开关特性

= –4.5 V, V

= –10 V

RG = 4.7

反向漏电流I

(A)

–16

–5 V

–12

= 0, 5 V

开关时间t（ NS ）

1000

100

TD （关闭）

–8

–4

脉冲测试

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

10 t

D（上）

–0.001

–0.01

–0.1

–1

–10

源极到漏极电压V

(V)

漏电流I

(A)

Rev.4.00 2006年2月28日第4 6

HAT1094C

开关时间测试电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

4.7

VIN

–4.5 V

= –10 V

VOUT

TD （上）

90%

VOUT

MONITOR

10%

90%

波形

10%

TD （关闭）

10%

Rev.4.00 2006年2月28日第5 6

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