HAT1090C
硅P沟道MOS场效应晶体管
电源开关
REJ03G1228-0400
Rev.4.00
2005年6月13日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 50毫欧（典型值） 。 （在V
GS
= –4.5 V)
低驱动电流。
2.5 V门极驱动装置。
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PWSF0006JA -A
（包名称： CMFPAK - 6 ）
Indexband
6
5
4
6
G
2 3 4 5
DDD D
1.源
2.漏
3.排水
4.漏
5.排水
6.门
1
2
3
S
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体 - 漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.当使用玻璃环氧树脂板。 （ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， TA = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
Note1
I
DR
PCH
注2
总胆固醇
TSTG
评级
–20
±12
–2.5
–10
–2.5
900
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
Rev.4.00 ， 2005年6月13日，第6 1
HAT1090C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
门源截止电压
漏极至源极导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开 - 延迟时间
上升时间
打开 - 关闭延迟时间
下降时间
身体 - 漏极二极管的正向电压
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
分钟。
–20
±12
—
—
–0.4
—
—
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
50
74
5.5
590
175
60
7
1.2
2.5
15
17
40
20
–0.8
马克斯。
—
—
±10
–1
–1.4
65
104
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.1
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±10
V, V
DS
= 0
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
Note3
I
D
= -1.3 A，V
GS
= –4.5 V
Note3
I
D
= -1.3 A，V
GS
= –2.5 V
Note3
I
D
= -1.3 A，V
DS
= –10 V
Note3
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -2.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.3 A，R
L
= 7.7
,
R
g
= 4.7
I
F
= -2.5 A，V
GS
= 0
Rev.4.00 ， 2005年6月13日， 6 2页
HAT1090C
主要特点
功率与温度降额
1.6
–
100
最高安全工作区
–
30
–
10
当使用FR4板。
1次脉冲， TA = 25℃
10
s
100
s
功耗P沟道（W ）
1.2
漏电流I
D
(A)
测试条件。
当使用玻璃环氧基板。
（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）
–
3
–
1
DC
op
1
PW
=
10
m
s
0.8
m
s
–
0.3
–
0.1
–
0.03
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
er
n
io
at
0.4
0
50
100
150
200
–
0.01
–
0.03
–
0.1
–
0.3
–
1
–
3
–
10
–
30
–
100
环境
温度Tc （℃）
漏源电压V
DS
(V)
典型的传输特性
–
10
典型的输出特性
–
10
–
10 V
–4.5
V
–2.5
V
脉冲测试
(A)
–
8
(A)
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–
8
25°C
TC = 75℃
–2.2
V
–2
V
–25°C
漏电流I
D
–
6
漏电流I
D
–1.8
V
–1.6
V
V
GS
= –1.4 V
–
6
–
4
–
4
–
2
–
2
0
–
2
–
4
–
6
–
8
–
10
0
–
1
–
2
–
3
–
4
–
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
–
120
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
–
160
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1000
–
80
100
V
GS
= –2.5 V
–1.3 A
–
40
–4.5 V
–1 A
脉冲测试
10
–
0.1
–
1
–
10
–
100
0
–2
–4
–6
–8
–10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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HAT1090C
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
200
脉冲测试
160
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳| YFS | （ S）
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
30
10
3
1
75°C
0.3
V
DS
= –10 V
脉冲测试
120
80
–2.5 V
I
D
= –2.5 A
–1, –1.3 A
TC = -25°C
25°C
40
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –1, –1.3, –2.5 A
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
0.1
–0.01 –0.03 –0.1 –0.3 –1
–3
–10
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流
I
D
(A)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
–10
–2
V
DD
= –5 V
–10 V
–20 V
漏源极电压
电容C （PF ）
V
DD
= –5 V
–10 V
–20 V
0
10000
3000
1000
300
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
栅极至源极电压
西塞
–20
V
DD
–4
科斯
100
30
10
–30
V
GS
I
D
= –2.5 A
–40
0
4
8
12
16
–6
CRSS
–8
20
0
–10
–20
栅极电荷
QG （ NC ）
漏源极电压
V
DS
(V)
I
DR
(A)
–10
反向漏电流 -
源极到漏极电压
1000
开关特性
V
GS
= –4.5 V, V
DD
= –10 V
R
G
= 4.7
,
TA = 25°C
–8
–6
–5 V
开关时间t（ NS ）
TD （关闭）
100
tr
tf
10
TD （上）
反向漏电流
V
GS
= 0, 5 V
–4
–2
脉冲测试
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
1
–0.1 –0.3
–1
–3
–10 –30
–100
源极到漏极电压
V
SD
(V)
漏电流
I
D
(A)
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HAT1090C
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
4.7
VIN
-4.5 V
V
DD
= -10 V
VOUT
TD （上）
90%
10%
tr
TD （关闭）
90%
90%
10%
t
f
VOUT
MONITOR
VIN
10%
波形
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