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HAT1059C

硅P沟道功率MOS FET

电源开关

ADE - 208-1450A （ Z）

Rev.1

2001年9月

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 52 m

典型值（ V

GS

= -4.5 V，I

D

= –1.5 A)

R

DS （ ON）

= 71 m

典型值（ V

GS

= -2.5 V，I

D

= –1.5 A)

R

DS （ ON）

= 98 m

典型值（ V

GS

= -1.8 V，I

D

= –1.5 A)

能够1.8 V门极驱动

小包装： CMFPAK - 6

概要

CMFPAK - 6

2 3 4 5

DDD D

6

G

指数波段

4

5

6

2

3

1.源

2.漏

3.排水

4.漏

5.排水

6.门

059

指数波段

1

S

1

HAT1059C

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

*在FR4价值。（ 40

×

40

×

1.6 mm)

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

*

评级

–12

±8

–3

0.65

150

-55到+150

单位

V

V

A

W

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号最小值

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Qg

QGS

QDG

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SDF

–12

±8

—

—

–0.2

—

—

—

4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

52

71

98

5

1080

215

150

13

2.2

3.8

35

170

690

460

–0.85

最大

—

—

± 10

–1

–1.0

64

88

126

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

–1.20

单位

V

V

A

A

V

m

m

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

I

F

= -3.0 A，V

GS

= 0

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= ±100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= ±6.4 V, V

DS

= 0

V

DS

= –12 V, V

GS

= 0

I

D

= -1毫安，V

DS

= –10 V

I

D

= -1.5 A，V

GS

= –4.5 V

I

D

= -1.5 A，V

GS

= –2.5 V

I

D

= -1.5 A，V

GS

= –1.8 V

I

D

= -1.5 A，V

DS

= –10 V

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DS

= –10 V

V

GS

= –4.5 V

I

D

= –3 A

V

GS

= -4 V，I

D

= –1.5 A

R

L

= 6.66

Rev.1号文件， 2001年9月，第7页2

HAT1059C

主要特点

功率与温度降额

800

P沟（ mW）的

(A)

最高安全工作区

-100

100 s

-30

1毫秒

-10

-3

-1

600

测试条件：

当使用的FR4

(40

×

40

×

1.6 mm)

10 s

PW

DC

散热通道

I

D

漏电流

=

400

10

m

s

200

Op

-0.3行动

er

at

这个区域是

离子

-0.1限制由R

DS （ ON）

0

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

-0.03 TA = 25℃

-0.01 1次脉冲

-1

-3

-10 -30 -100

-0.1 -0.3

漏极至源极电压V

DS

(V)

*当使用的FR4

(40

×

40

×

1.6 mm)

典型的输出特性

-10

5V

4V

I

D

(A)

-16

(A)

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

脉冲测试

-2 V

3V

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

0

-8

-6

-4

漏电流

漏电流

I

D

TC = -25°C

25°C

75°C

-2

V

GS

= -1 V

0

-2

-4

-6

漏源极电压

-8

V

DS

(V)

-10

-2.5 -3

-0.5 -1

-1.5

-2

栅极至源极电压V

GS

(V)

Rev.1号文件， 2001年9月，第7页3

HAT1059C

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

-200

TA = 25°C

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

200

脉冲测试

TA = 25°C

V

GS

= -1.8 V

V

DS （ ON）

（毫伏）

-3 A

-100

-1.5 A

漏源极电压

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m

)

100

-2.5 V

-4.5 V

-0.5 A

0

-2.5

-5

-7.5

-10

栅极至源极电压V

GS

(V)

1

-0.1

-1.0

漏电流

-10

I

D

(A)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.2

脉冲测试

-3 A

0.15

-1.5 A

-0.5 A

0.1

-1.8 V

-1.5 A, -3 A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

脉冲测试

30

10

3

1

0.3

0.1

0.1

V

DS

= -10 V

0.3

1

3

10

I

D

30

(A)

100

25°C

TC = -25°C

75°C

-2.5 V

0.05

V

GS

= -4.5 V

0

-50

I

D

= -0.5 A, -1.5 A, -3 A

0

50

100

150

200

壳温度（ ° C）

漏电流

Rev.1号文件， 2001年9月，第7页4

HAT1059C

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DS

(V)

动态输入特性

0

I

D

= -3 A

V

DD

= -10 V

-7 V

-5 V

-8

-5 V

-7 V

V

DD

= -10 V

-16

0

-8

20

QG （ NC ）

-4

0

V

GS

(V)

10000

电容C （PF ）

漏源极电压

西塞

1000

科斯

CRSS

10

0

5

10

15

漏极至源极电压V

DS

(V)

10

栅极电荷

开关特性

10000

反向漏电流I

DR

(A)

反向漏电流 -

Souece漏极电压

10

脉冲测试

4.5 V

1.8 V

V

GS

= 0

V

GS

= -4.5 V , V

DD

= -10 V

开关时间t（ NS ）

1000

tf

100

tr

TD （上）

TD （关闭）

5

10

0.001 0.01

0.1

1

10

漏电流I

D

(A)

TA = 25°C

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

源极到漏极电压

V

SDF

(V)

100

Rev.1号文件， 2001年9月， 7 5页

栅极至源极电压

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