【HAT1036R硅P沟道功率MOS FET电源开关REJ03G1149-0700（上一个： ADE-】,IC型号HAT1036R-EL-E,HAT1036R-EL-E PDF资料,HAT1036R-EL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT1036R

硅P沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1149-0700

（上一个： ADE- 208-662E ）

Rev.7.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 11毫欧（典型值）

能够-4 V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D

（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）

5 6 7 8

D D D D

1, 2, 3

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.7.00 2005年9月7日第1页6

HAT1036R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

–30

±20

–12

–96

–12

2.5

150

单位

°C

PCH

总胆固醇

注2

储存温度

TSTG

-55到+150

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

–30

—

–1.0

—

典型值

—

4200

870

360

120

350

100

120

–0.85

最大

—

±0.1

–1

–2.5

—

–1.11

—

单位

= -12 A，V

= 0

= -12 A，V

= 0

/ DT = 20 A / μs的

注3

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±20

V, V

= 0

= –30 V, V

= 0

= -10 V，I

= -1毫安

注3

= -6 A，V

= –10 V

= -6 A，V

= –4 V

注3

= -6 A，V

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= –10 V

= –12 A

= -4 V，I

= –6 A,

–10 V

注3

Rev.7.00 2005年9月7日第2 6

HAT1036R

主要特点

功率与温度降额

4.0

最高安全工作区

–500

100

–100

ERA

化

（ PW

-1行动

≤

OTE 4

这个区域是

)

限于由R

DS （ ON）

–0.1

TA = 25°C

1次脉冲

–0.01

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30

P沟（W）的

3.0

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6毫米）， PW

≤

10 s

散热通道

–10

2.0

1.0

100

150

200

漏电流

–100

环境温度

的Ta （℃）

漏极至源极电压V

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

典型的输出特性

–50

–10 V

–5 V

脉冲测试

–30

–3.5 V

–50

–4 V

典型的传输特性

= –10 V

脉冲测试

(A)

漏电流

(A)

–40

–30

漏电流

–20

–10

= –3 V

–10

TC = 75℃

25°C

–25°C

–3

–4

–5

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

100

脉冲测试

= –4 V

–10 V

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

–0.5

–0.4

–0.3

–0.2

= –10 A

–0.1

–5 A

–2 A

–4

–8

–12

–16

–20

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10 –20 –50 –100

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.7.00 2005年9月7日第3页6

HAT1036R

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

脉冲测试

= –2 A, –5 A, –10 A

= –4 V

100

0.3

0.1

–0.1 –0.3

25°C

TC = -25°C

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

75°C

–10 V

–40

–2 A, –5 A, –10 A

= –10 V

脉冲测试

–1

–3

–10

–30

–100

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

西塞

3000

1000

300

100

科斯

体漏二极管的反向

恢复时间

100

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

CRSS

的di / dt = 20A /

= 0 ， TA = 25℃

–0.1 –0.2 –0.5 –1

–2

–5 –10 –20

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

(V)

= –5 V

–10 V

–25 V

= –25 V

–10 V

–5 V

开关特性

(V)

1000

500

–10

–4

漏源极电压

开关时间t（ NS ）

栅极至源极电压

–20

–8

200

100

TD （上）

TD （关闭）

–30

–12

–40

= –12 A

120

160

–16

–50

–20

200

20 V = –4 V, V = –10 V

RG = 50

税

≤

1 %

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10 –20

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.7.00 2005年9月7日第4 6

HAT1036R

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

–

10 V

–

5 V

脉冲测试

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

源极到漏极电压

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

θch

- F（T） =

S（ T）

θch

– f

θch

- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

1.6 mm)

10 m

100 m

100

1000

10000

0.01

0.02

0.01

0.001

1sh

ULS

0.0001

100

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

开关时间波形

10%

90%

VIN

–4 V

= –10 V

VOUT

TD （上）

10%

TD （关闭）

10%

Rev.7.00 2005年9月7日第5 6

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