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HAT1035R
硅P沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G0845-0100
Rev.1.00
Apr.22,2005
特点
低导通电阻
能够-4 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -D
(包名称: SOP - 8<FP - 8DAV> )
7
65
2
G
4
G
7 8
D D
5 6
D D
8
1 2
34
1, 3
来源
2, 4
5,6, 7,8排水
S3
S1
MOS1
MOS2
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
P
注2章
Note3
评级
–150
±15
–0.25
–1
–0.25
1
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
散热通道
P
ch
1.5
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1 %
2. 1驱动器操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米)
3. 2驱动器的操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40 ×40× 1.6毫米)
Rev.1.00 2005年4月22日第1页3
HAT1035R
电气特性
( TA = 25°C )
符号
V
( BR ) DSS
漏源击穿
电压
栅极至源极击穿电压V
( BR ) GSS
门源漏电流
I
GSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门源截止电压
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
静态漏源导通状态
阻力
R
DS ( ON)
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注: 4.脉冲测试
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
–150
±15
–1.0
0.29
典型值
5.0
6.0
7.0
0.45
92
37
10
10
13
22
15
–0.9
80
最大
±10
–5
–2.0
6.2
7.5
10.0
–1.4
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±12
V, V
DS
= 0
V
DS
= –150 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
I
D
= -0.25 A,V
GS
= –10 V
Note4
I
D
= -0.25 A,V
GS
= –4 V
Note4
I
D
= -1 A,V
GS
= –5 V
Note4
I
D
= -0.25 A,V
DS
= –10 V
Note4
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= -5 V,I
D
= –0.25 A,
V
DD
–30 V
IF = -0.25 A,V
GS
= 0
Note4
IF = -0.25 A,V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
Rev.1.00 2005年4月22日, 2004年3第2页
HAT1035R
包装尺寸
JEITA封装代码
P-SOP8-3.95
×
4.9-1.27
瑞萨代码
PRSP0008DD-D
包名称
FP-8DAV
质量[典型值]
0.085g
*
1
D
F
8
5
*
2
E
H
E
b
p
索引标记
1
Z
e
4
*
3
b
p
×M的
c
码头断面
(镍/钯/镀金)
注)
1.尺寸" * 1 ( NOM) "和" * 2"
不包括塑模FLASH 。
2.尺寸" * 3"不
INCLUDE TRIM抵消。
参考
符号
尺寸以毫米为单位
4.90
3.95
最大
5.3
L
1
D
E
A
2
A
1
A
0.10
0.14
0.25
1.75
A
b
p
b
1
0.34
0.40
0.46
A
1
c
0.15
0.20
0.25
L
c
1
H
E
5.80
6.10
1.27
0.25
0.1
0.75
0.40
0.60
1.08
1.27
6.20
y
详细F
e
x
y
Z
L
L
1
订购信息
部件名称
HAT1035R-EL-E
QUANTITY
2500个。
TAPING
中海集装箱
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.1.00 2005年4月22日, 2004年第3页3
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
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图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
3.包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息
公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
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是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技
(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道1 ,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
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1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
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2005年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记3.2.0
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