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HAT1029R

硅P沟道功率MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-522 （ Z）

1日。版

1997年5月

特点

低导通电阻

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

概要

SOP–8

8

7

65

3

1 2

7 8

D D

5 6

D D

4

2

G

4

G

S1

S3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

HAT1029R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

PCH

Note2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

–20

±10

–3.5

–28

–3.5

2

3

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

W

°C

°C

体漏二极管的反向漏电流I

DR

散热通道

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2. 1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

3. 2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

2

HAT1029R

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

–20

±10

—

—

–0.5

—

—

3

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

0.10

0.16

4.5

465

270

100

14

80

70

80

–0.95

55

最大

—

—

±10

–1

–1.5

0.14

0.23

—

—

—

—

—

—

—

—

–1.24

—

单位

V

V

A

A

V

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

IF = -3.5A ，V

GS

= 0

Note4

IF = -3.5A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 20A / μs的

测试条件

I

D

= -10mA ，V

GS

= 0

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±8V,

V

DS

= 0

V

DS

= –20 V, V

GS

= 0

V

DS

= -10V ，我

D

= -1mA

I

D

= -2A ，V

GS

= –4V

Note4

I

D

= -2A ，V

GS

= –2.5V

Note4

I

D

= -2A ，V

DS

= –10V

Note4

V

DS

= –10V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= -4V ，我

D

= –2A

V

DD

–10V

3

HAT1029R

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

I

D

(A)

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

–100

–30

–10

–3

–1

PW

DC

Op

e

最高安全工作区

10

s

100

s

1m

=

s

散热通道

漏电流

10

2.0

1

Dr

m

1.0

香港专业教育学院

2

iv

Dr

ra

s

Op

er

at

离子

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

TA = 25

°C

-0.03 1次脉冲

-0.01 1驱动器操作

–1

–3

–10 –30 –100

–0.1 –0.3

漏极至源极电压V

DS

(V)

注5：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）

n

(P

-0.3行动

W

N

这个区域是

＆ LT ;

OTE

10

5

-0.1限制由R

DS （ ON）

s)

TIO

典型的输出特性

–10

–10 V –5 V

–4 V

–3.5 V

–3 V

脉冲测试

(A)

典型的传输特性

–10

e

e

Op

ra

n

TIO

I

D

(A)

–8

–8

–2.5 V

–6

TC = -25

°C

25

°C

75

°C

I

D

漏电流

–2 V

–6

漏电流

–4

–4

–2

V

GS

= –1.5 V

0

–2

–4

–6

漏源极电压

–8

–10

V

DS

(V)

–2

V

DS

= –10 V

脉冲测试

0

–1

–2

–3

栅极至源极电压

–4

–5

V

GS

(V)

4

HAT1029R

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

–0.5

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1

0.5

0.2

0.1

–4 V

–0.4

–0.3

V

GS

= –2.5 V

–0.2

I

D

= –2 A

–1 A

–0.5 A

–6

–2

–4

栅极至源极电压

–10

V

GS

(V)

–8

0.05

–0.1

0.02

0.01

–0.1 –0.2

0

–0.5 –1 –2

–5

漏电流I

D

(A)

–10

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

正向转移导纳主场迎战

漏电流

20

10

TC = -25

°C

5

25

°C

75

°C

0.4

I

D

= –2 A

–1 A –0.5 A

0.3

2

1

0.5

0.2

–0.1 –0.2

0.2 V

GS

= –2.5 V

0.1

–4 V

0

–40

–2 A, –1 A, –0.5 A

V

DS

= –10 V

脉冲测试

–0.5 –1 –2

–5

漏电流I

D

(A)

–10

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

5

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