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HAT1023R
硅P沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1145-0900
(上一个: ADE- 208-436G )
Rev.9.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
能够2.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -D
(包名称: SOP - 8 <FP - 8DAV> )
5 6 7 8
D D D D
65
87
3
12
4
4
G
1, 2, 3
4
5, 6, 7, 8
来源
S S S
1 2 3
Rev.9.00 2005年9月7日第1页6
HAT1023R
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
–20
±10
–7
–56
–7
2.5
150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
储存温度
TSTG
-55到+150
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.当使用玻璃环氧板( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
–20
±10
–0.5
9
典型值
0.027
0.04
14
2250
1120
300
40
200
280
220
–0.9
75
最大
±10
–10
–1.5
0.04
0.06
–1.4
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -7 A ,V
GS
= 0
I
F
= -7 A ,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 20 A / μs的
注3
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
I
D
= -4 A ,V
GS
= –4 V
注3
I
D
= -4 A ,V
GS
= –2.5 V
I
D
= -4 A ,V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= -4 V,I
D
= –4 A,
V
DD
–10 V
注3
注3
Rev.9.00 2005年9月7日第2 6
HAT1023R
主要特点
功率与温度降额
4.0
最高安全工作区
–100
–30
10
s
P沟(W)的
I
D
(A)
测试条件:
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6毫米) , PW
10 s
100
s
PW
1m
=
3.0
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
s
散热通道
2.0
1.0
漏电流
10
Op
ms
ERA
TIO
n(
PW
No
1
TE 4
操作
0s
这个区域是
)
限于由R
DS ( ON)
DC
0
0
50
100
150
200
-0.03 TA = 25℃
1次脉冲
–0.01
–1
–0.1 –0.3
–3
–10
–30
–100
环境温度
的Ta (℃)
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 :
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
典型的输出特性
–10 V –5 V
–20
–4 V
–20
–2.5 V
典型的传输特性
TC = -25°C
I
D
(A)
I
D
(A)
–16
–3.5 V
–3 V
脉冲测试
–16
25°C
75°C
–12
–12
–2 V
漏电流
–8
漏电流
–8
–4
V
GS
= –1.5 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–4
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
()
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
–0.5
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.5
脉冲测试
0.2
0.1
0.05
V
GS
= –2.5 V
–0.4
–0.3
–0.2
I
D
= –5 A
–0.1
–2 A
0
–1 A
0.02
0.01
0.005
–0.2
–4 V
0
–2
–4
–6
–8
–10
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.9.00 2005年9月7日第3页6
HAT1023R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
正向转移导纳| YFS | ( S)
0.10
脉冲测试
0.08
I
D
= –5, –2, –1 A
0.06
V
GS
= –2.5 V
0.04
–5, –2, –1 A
0.02
–4 V
0
–40
50
20
10
75°C
5
2
1
0.5
–0.2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
25°C
TC = -25°C
0
40
80
120
160
外壳温度
TC ( ℃)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
300
100
30
10
西塞
科斯
CRSS
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr ( NS )
500
200
100
50
20
10
–0.2
的di / dt = 20A /
s
V
GS
= 0 , TA = 25℃
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
电容C (PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–4
–8
–12
–16
–20
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–2
漏源极电压
栅极至源极电压
开关时间t( NS )
–10
V
DD
= –5 V
–10 V
–20 V
V
GS
(V)
0
0
1000
500
TD (关闭)
–20
V
DS
V
GS
–4
200
100
50
tf
tr
TD (上)
–30
V
DD
= –20 V
–10 V
–5 V
I
D
= –7 A
0
16
32
48
64
–6
–40
–8
–50
–10
80
20 V = –4 V, V = –10 V
GS
DD
PW = 3
s,
1 %
10
–0.2
–0.5 –1
–2
–5
–10
–20
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.9.00 2005年9月7日第4 6
HAT1023R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–20
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–16
–12
V
GS
=
5 V
0, 5 V
–8
–4
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- F(T) =
γ
S( T)
θch
– f
θch
- F = 83.3 ° C / W ,TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
P
DM
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
PW
T
0.01
0.02
0.01
0.001
1sh
p
ot
ULS
e
0.0001
10
100
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
开关时间波形
10%
90%
90%
90%
VIN
–4 V
50
V
DD
= –10 V
VOUT
TD (上)
10%
tr
TD (关闭)
10%
tf
Rev.9.00 2005年9月7日第5 6
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