超前信息
HAL57x ， HAL58x
1.2 。系列概述
TYPE
571
573
574
575
581
584
开关
行为
单极
单极
单极
锁定
单极
倒
单极
倒
灵敏度
中
低
中
中
中
中
SEE
页面
12
13
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16
17
双线霍尔效应传感器系列
在CMOS技术
1.引言
该传感器系列由不同的2线霍尔
开关在CMOS技术制造。所有的传感器
改变它的电流消耗依赖于EX-
ternal磁场和需要之间只有两根导线
传感器和评估电路。这个家庭的传感器
不同的磁性开关特性和开关
点。
该传感器包括一个温度补偿的霍尔
板与活性偏移补偿器，比较器和
一个电流源。比较器比较的实际
穿过霍尔元件（霍尔电压）与磁通
固定的参考值（切换点） 。 According-
光年，电流源接通（高电流
消耗）或关闭（低电流消耗） 。
有源偏置补偿导致恒mag-
在整个电源电压和温NETIC特点
温度范围内。此外，该磁参数
反对机械应力作用强劲。
该传感器是专为工业和汽车
应用程序和电源电压从3.75操作
V到24 V的结温范围为-40
°C
高达140
°C.
所有的传感器都可以在SMD-封装
年龄SOT - 89B和含铅版本TO- 92UA 。
1.1 。产品特点：
- 电流输出为两线式的应用程序
- 低电流消耗： 5毫安... 6.9毫安
- 高电流消耗：12马... 17毫安
- 结温范围为-40
°C
高达140
°C.
- 工作在3.75 V至24 V的电源电压
- 工作在静态磁场和动态mag-
NETIC字段到10KHz
- 通常在145 kHz的开关偏置补偿
- 过压和反向电压保护
- 磁特性是反对的机械稳健
CAL应力的影响
- 在宽电源恒磁开关点
电压范围
- 降低磁通密度的上升引起的
温度的传感器系统由补偿
该mag-的内置负温度系数
NETIC特点
- 在极端的汽车应用的理想传感器
和工业环境中
- EMC对应DIN 40839
单极开关传感器：
传感器变为高电流消耗的
南磁极在包装的一侧品牌
和转向低消耗如果磁场是
删除。该传感器不与磁性响应
北极对品牌的一面。
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
0
B
关闭
B
ON
B
图。 1-1 ：
单极开关传感器
单极倒置开关传感器：
该传感器变为低电流消耗的
南磁极在包装的一侧品牌
并变为高消费，如果磁场是
删除。该传感器不与磁性响应
北极对品牌的一面。
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
0
B
ON
B
关闭
B
图。 1-2 ：
单极性反向切换传感器
MICRONAS
3
超前信息
HAL57x ， HAL58x
HAL57x ， HAL58x
V
DD
1
反向
电压&
过压
保护
温度
依赖的
BIAS
2.功能描述
在HAL 57x ， HAL 58X两线制传感器是单片
集成电路，其响应切换到磁
场。如果变化磁场的磁通线垂直于
敏感区域施加到传感器，所述偏置
霍尔板强制霍尔电压正比于这个领域。
霍尔电压与实际的阈值进行比较
在比较器电平。温度依赖
偏置增加霍尔元件的电源电压和
调整开关点下降感应
的磁铁，在较高的温度。
如果磁场超过阈值电平，则
电流源切换到相应的状态。在
低电流消耗的状态中，电流源是
关闭而消耗电流，不仅造成
由电流通过霍尔传感器。在大电流
消耗状态，电流源被接通
和消耗电流引起的电流
通过霍尔传感器和电流源。该
内置迟滞消除振荡，并提供
开关的输出信号的行为，而不bounc-
ING 。
磁偏移引起的机械应力的COM
通过使用“切换偏移补偿补偿的用于
化技术“ 。一个内部振荡器提供两
相位时钟。在每个阶段中，电流流过强制
霍尔板在不同的方向，霍尔电压
被测量。在这两个阶段的结束时，霍尔电压
年龄段的平均值，并由此使偏置电压
消除了。的平均值与被比较
固定开关点。接着，电流调
消耗切换到相应的状态。该
的时间内越过磁过去了
切换电平的电流电平的切换，可以变化
零和1 / f之间
OSC
.
分流保护元件的钳位电压峰值处
V
DD
与外部串联电阻-pin在一起。反向
当前在V被限制
DD
-pin由内部串联
电阻可达-15 V.无需外部保护二极管
需要反向电压范围为0 V至-15 V.
迟滞
控制
霍尔板
开关
比较
当前
来源
时钟
GND
2, 3
图。 2-1 ：
HAL57x ， HAL 58X框图
f
OSC
t
B
B
关闭
B
ON
t
I
DD
I
DDHIGH
I
DDLOW
t
I
DD
1/f
OSC
= 6.9
s
t
图。 2-2 ：
时序图（例如： HAL 581 ）
MICRONAS
5
五金
文档
数据中文ê （E T）
HAL 573 ... HAL 576 ， 579
HAL 581 ... HAL 584
双线霍尔效应传感器系列
版2008年12月22日
DSH000145_003EN
HAL57x ， HAL58x
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本文档所包含的信息和数据
被认为是准确和可靠。软件
而其中所含的专有信息可能
受版权，专利，商标和/或其他受保护
Micronas公司的知识产权。所有未
明确授予仍受Micronas公司保留。
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关于保修声明或保证
适合它的产品由于任何特定用途
这些规范。
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sibility专利侵权或第三方的其他权利
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ditions ，产品的可用性和交付是完全
服从于相应的订单确认。
其可以在被提供的任何信息和数据
文档可以做不同在不同的应用，
实际性能可能随时间变化。
所有的操作参数必须为每个验证
客户申请，客户的技术专家。
本文档的任何新问题，以前无效
问题。 Micronas公司保留审查本资料的权利
输稿以及更改到文档的内容
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实体有关修订和变更的。如需进一步咨询
请直接联系我们。
请不要使用我们的产品用于生命支持系统，
航空和航天应用！除非明确
同意，否则在双方书面，
Micronas的产品不是设计，意，或
授权使用的系统组件的目的
用于外科植入到体内，或其他应用程序
系统蒸发散旨在支持或维持生命，或任何
其它应用，其中产品的故障
可以创建一个情况下的人身伤害或死亡
可能发生。
本出版物的任何部分进行复制，影印
复制，存储在检索系统或传送
没有Micronas公司的明确书面同意。
Micronas公司商标
- HAL
数据表
Micronas公司专利
开关偏置补偿受保护
Micronas公司的专利没有。 US5260614 ， US5406202 ，
EP0525235及EP0548391 。
第三方商标
所有其他品牌和产品名称或公司名称
可能是其各自公司的商标。
2
2008年12月22日; DSH000145_003EN
MICRONAS
数据表
HAL57x ， HAL58x
目录
页面
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29
31
33
33
33
33
34
34
36
部分
1.
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
2.
3.
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.4.1.
3.5.
3.6.
3.7.
4.
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
4.5.
4.6.
4.7.
5.
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
6.
标题
介绍
特点
系列概述
标识代码
工作结温范围（T
J
)
霍尔传感器封装代码
可焊性和焊接
功能说明
特定网络阳离子
外形尺寸
敏感区尺寸
敏感区的位置
绝对最大额定值
储存和保质期
推荐工作条件
特征
磁特性概述
类型描述
HAL573
HAL574
HAL575
HAL576
HAL579
HAL581
HAL584
应用笔记
应用电路
延长工作条件
启动特性
环境温度
EMC和ESD
数据表历史
MICRONAS
2008年12月22日; DSH000145_003EN
3
HAL57x ， HAL58x
双线霍尔效应传感器系列
在CMOS技术
发布说明：修订横道显著
改变以前的版本。
数据表
- 降低磁通密度造成的利培
在传感器系统荷兰国际集团的温度是compen-
通过一个内置的负温度系数吃饱
的磁特性
- 在极端的汽车应用的理想传感器
和工业环境中
- EMC相当于ISO 7637
1.引言
该传感器系列由不同的2线霍尔
开关在CMOS技术制造。所有的传感器
改变它的电流消耗依赖于
外部磁场，并且只需要两根导线
之间的传感器和评估电路。的传感器
在磁开关行为这个家庭的不同
和切换点。
该传感器包括一个温度补偿的霍尔
板与活性偏移补偿器，比较器
和一个电流源。该比较器比较
穿过霍尔元件的实际磁通（霍尔电压
龄）与固定的基准值（切换点） 。
因此，电流源接通（高
消耗电流）或关闭（低电流消耗） 。
有源偏置补偿导致恒mag-
在整个电源电压和温NETIC特点
温度范围内。此外，该磁参数
反对机械应力作用强劲。
该传感器被设计用于工业和汽车
性应用和与电源电压下工作
3.75 V至24 V的结温范围
40 °C
高达140
°C.
所有的传感器都可以在
SMD封装SOT89B - 1，并在含铅的版本
TO92UA -1和TO92UA -2。
1.2 。系列概述
TYPE
573
574
575
576
579
581
584
开关
行为
单极
单极
锁定
单极
锁定
单极
倒
单极
倒
灵敏度
低
中
中
中
中
中
中
SEE
页面
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单极开关传感器：
传感器变为高电流消耗的
南磁极在封装的侧面品牌
年龄和转向低消耗如果磁场
被除去。该传感器不向mag-响应
NETIC北极对品牌的一面。
1.1 。产品特点
- 电流输出为两线式的应用程序
- 低电流消耗： 5毫安... 6.9毫安
- 高电流消耗：12马... 17毫安
- 结温范围
40 °C
最多
140
°C.
- 工作在3.75 V至24 V的电源电压
- 工作在静态磁场和动态
磁场最大10kHz
- 通常在145 kHz的开关偏置补偿
- 过压和反向电压保护
- 磁特性是对稳健
机械应力的影响
- 在很宽的支持恒磁开关点
层的电压范围
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
0
B
关闭
B
ON
B
图。 1-1 ：
单极开关传感器
4
2008年12月22日; DSH000145_003EN
MICRONAS
数据表
HAL57x ， HAL58x
1.3 。标识代码
所有霍尔传感器已标记在包装上外加
面（品牌方） 。这标志着包括名称
传感器和温度范围内的。
单极倒置开关传感器：
该传感器变为低电流消耗的
南磁极在封装的侧面品牌
年龄和转向高消费，如果磁场
被除去。该传感器不向mag-响应
NETIC北极对品牌的一面。
TYPE
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
0
B
ON
B
关闭
B
HAL579
HAL581
HAL584
579K
581K
584K
HAL573
HAL574
HAL575
HAL576
K
573K
574K
575K
576K
温度范围
E
573E
574E
575E
576E
579E
581E
584E
图。 1-2 ：
单极性反向切换传感器
闭锁传感器：
传感器变为高电流消耗的
南磁极在封装的侧面品牌
年龄和转向低功耗与磁性
北极对品牌的一面。电流消耗
如果磁场被移除灰不会改变。
用于改变电流消耗，相反
磁场极性必须应用。
1.4 。工作结温范围（T
J
)
Micronas公司的霍尔传感器被指定到
芯片的温度（结温度T
J
).
K:
T
J
=
40 °C
到+140
°C
E:
T
J
=
40 °C
+100
°C
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
B
关闭
0
B
ON
B
注意：
由于在大电流的高功率耗散
耗，存在之间的一个区别
环境温度（T
A
）和结温
真实存在。请参见5.4节。 34页
详细信息。
图。 1-3 ：
闭锁传感器
MICRONAS
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超前信息
HAL57x ， HAL58x
1.2 。系列概述
TYPE
571
573
574
575
581
584
开关
行为
单极
单极
单极
锁定
单极
倒
单极
倒
灵敏度
中
低
中
中
中
中
SEE
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双线霍尔效应传感器系列
在CMOS技术
1.引言
该传感器系列由不同的2线霍尔
开关在CMOS技术制造。所有的传感器
改变它的电流消耗依赖于EX-
ternal磁场和需要之间只有两根导线
传感器和评估电路。这个家庭的传感器
不同的磁性开关特性和开关
点。
该传感器包括一个温度补偿的霍尔
板与活性偏移补偿器，比较器和
一个电流源。比较器比较的实际
穿过霍尔元件（霍尔电压）与磁通
固定的参考值（切换点） 。 According-
光年，电流源接通（高电流
消耗）或关闭（低电流消耗） 。
有源偏置补偿导致恒mag-
在整个电源电压和温NETIC特点
温度范围内。此外，该磁参数
反对机械应力作用强劲。
该传感器是专为工业和汽车
应用程序和电源电压从3.75操作
V到24 V的结温范围为-40
°C
高达140
°C.
所有的传感器都可以在SMD-封装
年龄SOT - 89B和含铅版本TO- 92UA 。
1.1 。产品特点：
- 电流输出为两线式的应用程序
- 低电流消耗： 5毫安... 6.9毫安
- 高电流消耗：12马... 17毫安
- 结温范围为-40
°C
高达140
°C.
- 工作在3.75 V至24 V的电源电压
- 工作在静态磁场和动态mag-
NETIC字段到10KHz
- 通常在145 kHz的开关偏置补偿
- 过压和反向电压保护
- 磁特性是反对的机械稳健
CAL应力的影响
- 在宽电源恒磁开关点
电压范围
- 降低磁通密度的上升引起的
温度的传感器系统由补偿
该mag-的内置负温度系数
NETIC特点
- 在极端的汽车应用的理想传感器
和工业环境中
- EMC对应DIN 40839
单极开关传感器：
传感器变为高电流消耗的
南磁极在包装的一侧品牌
和转向低消耗如果磁场是
删除。该传感器不与磁性响应
北极对品牌的一面。
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
0
B
关闭
B
ON
B
图。 1-1 ：
单极开关传感器
单极倒置开关传感器：
该传感器变为低电流消耗的
南磁极在包装的一侧品牌
并变为高消费，如果磁场是
删除。该传感器不与磁性响应
北极对品牌的一面。
消耗电流
I
DDHIGH
B
HYS
I
DDLOW
0
B
ON
B
关闭
B
图。 1-2 ：
单极性反向切换传感器
MICRONAS
3
超前信息
HAL57x ， HAL58x
HAL57x ， HAL58x
V
DD
1
反向
电压&
过压
保护
温度
依赖的
BIAS
2.功能描述
在HAL 57x ， HAL 58X两线制传感器是单片
集成电路，其响应切换到磁
场。如果变化磁场的磁通线垂直于
敏感区域施加到传感器，所述偏置
霍尔板强制霍尔电压正比于这个领域。
霍尔电压与实际的阈值进行比较
在比较器电平。温度依赖
偏置增加霍尔元件的电源电压和
调整开关点下降感应
的磁铁，在较高的温度。
如果磁场超过阈值电平，则
电流源切换到相应的状态。在
低电流消耗的状态中，电流源是
关闭而消耗电流，不仅造成
由电流通过霍尔传感器。在大电流
消耗状态，电流源被接通
和消耗电流引起的电流
通过霍尔传感器和电流源。该
内置迟滞消除振荡，并提供
开关的输出信号的行为，而不bounc-
ING 。
磁偏移引起的机械应力的COM
通过使用“切换偏移补偿补偿的用于
化技术“ 。一个内部振荡器提供两
相位时钟。在每个阶段中，电流流过强制
霍尔板在不同的方向，霍尔电压
被测量。在这两个阶段的结束时，霍尔电压
年龄段的平均值，并由此使偏置电压
消除了。的平均值与被比较
固定开关点。接着，电流调
消耗切换到相应的状态。该
的时间内越过磁过去了
切换电平的电流电平的切换，可以变化
零和1 / f之间
OSC
.
分流保护元件的钳位电压峰值处
V
DD
与外部串联电阻-pin在一起。反向
当前在V被限制
DD
-pin由内部串联
电阻可达-15 V.无需外部保护二极管
需要反向电压范围为0 V至-15 V.
迟滞
控制
霍尔板
开关
比较
当前
来源
时钟
GND
2, 3
图。 2-1 ：
HAL57x ， HAL 58X框图
f
OSC
t
B
B
关闭
B
ON
t
I
DD
I
DDHIGH
I
DDLOW
t
I
DD
1/f
OSC
= 6.9
s
t
图。 2-2 ：
时序图（例如： HAL 581 ）
MICRONAS
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QQ：2880707522 复制
