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MICRONAS
HAL556 , HAL560 ,
HAL566
双线霍尔效应
传感器系列
版2000年8月3日
6251-425-2DS
MICRONAS
HAL55x , HAL56x
目录
页面
3
3
3
4
4
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6
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16
18
18
18
18
19
19
20
部分
1.
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
2.
3.
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.6.
3.7.
4.
4.1.
4.2.
4.3.
5.
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
6.
标题
介绍
特点
系列概述
标识代码
工作结温范围
霍尔传感器封装代码
可焊性
功能说明
特定网络阳离子
外形尺寸
敏感区尺寸
敏感区的位置
绝对最大额定值
推荐工作条件
电气特性
磁特性概述
类型描述
HAL556
HAL560
HAL566
应用笔记
应用电路
延长工作条件
启动特性
环境温度
EMC和ESD
数据表历史
2
MICRONAS
HAL55x , HAL56x
双线霍尔效应传感器系列
在CMOS技术
版本说明:版本横道显著
改变以前的版本。
1.引言
该传感器系列由不同的2线霍尔
开关在CMOS技术制造。所有的传感器
改变它的电流消耗依赖于EX-
ternal磁场和需要之间只有两根导线
传感器和评估电路。这个家庭的传感器
不同的磁性开关特性和开关
点。
该传感器包括一个温度补偿的霍尔
板与活性偏移补偿器,比较器和
一个电流源。比较器比较的实际
穿过霍尔元件(霍尔电压)与磁通
固定的参考值(切换点) 。 According-
光年,电流源接通(高电流
消耗)或关闭(低电流消耗) 。
有源偏置补偿导致恒mag-
在整个电源电压和温NETIC特点
温度范围内。此外,该磁参数
反对机械应力作用强劲。
该传感器是专为工业和汽车
应用程序和电源电压范围为4V工作
至24 V的结温范围为-40
°C
up
170
°C.
所有的传感器都可以在SMD封装
SOT - 89B和含铅版本TO- 92UA 。
1.1 。产品特点:
- 电流输出为两线式的应用程序
- 结温范围为-40
°C
高达170
°C.
- 工作于4 V至24 V的电源电压
- 工作在静态磁场和动态mag-
NETIC字段到10KHz
- 通常在145 kHz的开关偏置补偿
- 过压和反向电压保护
- 磁特性是反对的机械稳健
CAL应力的影响
- 在宽电源恒磁开关点
电压范围
- 降低磁通密度的上升引起的
温度的传感器系统由补偿
该mag-的内置负温度系数
NETIC特点
- 在极端的汽车应用的理想传感器
和工业环境中
- EMC对应DIN 40839
1.2 。系列概述
的种类,根据开关和模式不同
磁开关点。
TYPE
556
560
566
开关
行为
单极
单极
单极
灵敏度
非常高
非常高
SEE
页面
12
14
16
单极开关传感器:
传感器变为高电流消耗的
南磁极在包装的一侧品牌
和转向低消耗如果磁场是
删除。该传感器不与磁性响应
北极对品牌的一面。
单极倒置开关传感器:
该传感器变为低电流消耗的
南磁极在包装的一侧品牌
并变为高消费,如果磁场是
删除。该传感器不与磁性响应
北极对品牌的一面。
MICRONAS
3
HAL55x , HAL56x
1.3 。标识代码
所有霍尔传感器已标记在包装上表面
(品牌方) 。这标志着包括的名字
传感器和温度范围。
TYPE
A
HAL556
HAL560
HAL566
556A
560A
566A
温度范围
K
556K
560K
566K
E
556E
560E
566E
V
DD
1
3
NC
1.6 。可焊性
所有软件包:根据IEC68-2-58
在回流焊接加工和手工rework-
荷兰国际集团, 260组件体温
°C
不能
被超过。
保存在原包装部件应
提供至少12个月的保质期,从起始
日期码印在标签上,甚至在环境中的
极端40
°C
和90 %的相对湿度。
1.4 。工作结温范围
Micronas公司的霍尔传感器被指定为芯片
温度(结温度T
J
).
A:
T
J
= –40
°C
到170
°C
K:
T
J
= –40
°C
到+140
°C
E:
T
J
= –40
°C
+100
°C
注意:
由于在大电流的高功率耗散
耗,存在环境之间的差
温度(T
A
)和结温。请参考
第5.4节。在19页的详细信息。
1.5 。霍尔传感器封装代码
HALXXXPA -T
温度范围: A,K ,或E
包装: SF为SOT- 89B
UA为TO- 92UA
型号: 556 , 560 ,或566
例如:
HAL556UA-E
型号: 556
封装形式:TO - 92UA
温度范围:T已
J
= –40
°C
+100
°C
霍尔传感器可在很宽的各种包装
版本和数量。欲了解更多详细信息,
请参考手册“订购代码为大厅
传感器“ 。
2
GND
图。 1-1 :
引脚配置
4
MICRONAS
HAL55x , HAL56x
2.功能描述
HAL的55X , 56X HAL两线传感器单片
集成电路,其响应切换到磁
场。如果变化磁场的磁通线垂直于
敏感区域施加到传感器,所述偏置
霍尔板强制霍尔电压正比于这个领域。
霍尔电压与实际的阈值进行比较
在比较器电平。温度依赖
偏置增加霍尔元件的电源电压和
调整开关点下降感应
的磁铁,在较高的温度。
如果磁场超过阈值电平,则
电流源切换到相应的状态。在
低电流消耗的状态中,电流源是
关闭而消耗电流,不仅造成
由电流通过霍尔传感器。在大电流
消耗状态,电流源被接通
和消耗电流引起的电流
通过霍尔传感器和电流源。该
内置迟滞消除振荡,并提供
开关的输出信号的行为,而不bounc-
ING 。
磁偏移引起的机械应力的COM
通过使用“切换偏移补偿补偿的用于
化技术“ 。一个内部振荡器提供两
相位时钟。在每个阶段中,电流流过强制
霍尔板在不同的方向,霍尔电压
被测量。在这两个阶段的结束时,霍尔电压
年龄段的平均值,并由此使偏置电压
消除了。的平均值与被比较
固定开关点。接着,电流调
消耗切换到相应的状态。该
的时间内越过磁过去了
切换电平的电流电平的切换,可以变化
零和1 / f之间
OSC
.
分流保护元件的钳位电压峰值处
V
DD
与外部串联电阻-pin在一起。反向
当前在V被限制
DD
-pin由内部串联
电阻可达-15 V.无需外部保护二极管
需要反向电压范围为0 V至-15 V.
V
DD
1
反向
电压&
过压
保护
HAL55x , HAL 56X
温度
依赖的
BIAS
迟滞
控制
霍尔板
开关
比较
当前
来源
时钟
GND
2
图。 2-1 :
HAL55x , HAL 56X框图
f
OSC
t
B
B
关闭
B
ON
t
I
DD
I
DDHIGH
I
DDLOW
t
I
DD
1/f
OSC
= 6.9
s
t
图。 2-2 :
时序图(例如: HAL 56X )
MICRONAS
5
五金
文档
数据表
HAL 556 , HAL 560 ,
HAL 566
双线霍尔效应传感器系列
版2009年8月11日
DSH000026_004EN
HAL55x , HAL56x
版权所有,保修和责任限制
本文档所包含的信息和数据
被认为是准确和可靠。软件
而其中所含的专有信息可能
受版权,专利,商标和/或其他受保护
Micronas公司的知识产权。所有未
明确授予仍受Micronas公司保留。
Micronas公司不承担任何责任的错误,并给出无
关于保修声明或保证
适合它的产品由于任何特定用途
这些规范。
通过本出版物, Micronas公司不承担受访
sibility专利侵权或第三方的其他权利
当事人可能导致其使用。商业合同
ditions ,产品的可用性和交付是完全
服从于相应的订单确认。
其可以在被提供的任何信息和数据
文档可以做不同在不同的应用,
实际性能可能随时间变化。
所有的操作参数必须为每个验证
客户申请,客户的技术专家。
本文档的任何新问题,以前无效
问题。 Micronas公司保留审查本资料的权利
输稿以及更改到文档的内容
在没有义务随时通知任何个人或
实体有关修订和变更的。如需进一步咨询
请直接联系我们。
请不要使用我们的产品用于生命支持系统,
航空和航天应用!除非明确
同意,否则在双方书面,
Micronas的产品不是设计,意,或
授权使用的系统组件的目的
用于外科植入到体内,或其他应用程序
系统蒸发散旨在支持或维持生命,或任何
其它应用,其中产品的故障
可以创建一个情况下的人身伤害或死亡
可能发生。
本出版物的任何部分进行复制,影印
复制,存储在检索系统或传送
没有Micronas公司的明确书面同意。
Micronas公司商标
HAL
数据表
Micronas公司专利
开关偏置补偿由微型保护
NAS的专利没有。 US5260614 , US5406202 , EP0525235
和EP0548391 。
第三方商标
所有其他品牌和产品名称或公司名称
可能是其各自公司的商标。
2
2009年8月11日; DSH000026_004EN
MICRONAS
数据表
HAL55x , HAL56x
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24
24
24
24
25
25
26
部分
1.
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
2.
3.
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.4.1.
3.5.
3.6.
3.7.
4.
4.1.
4.2.
4.3.
5.
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
6.
标题
介绍
特点
系列概述
标识代码
工作结温范围
霍尔传感器封装代码
可焊性和焊接
功能说明
规范
外形尺寸
敏感区尺寸
敏感区的位置
绝对最大额定值
储存和保质期
推荐工作条件
特征
磁特性概述
类型描述
HAL556
HAL560
HAL566
应用笔记
应用电路
延长工作条件
启动特性
环境温度
EMC和ESD
数据表历史
MICRONAS
2009年8月11日; DSH000026_004EN
3
HAL55x , HAL56x
双线霍尔效应传感器系列传感器系列
在CMOS技术
发布说明:修订横道显著
改变以前的版本。
数据表
- 在极端的汽车应用的理想传感器
和工业环境中
- EMC相当于ISO 7637
1.2 。系列概述
1.引言
该传感器系列由不同的2线霍尔
开关在CMOS技术制造。所有的传感器
改变它的电流消耗依赖于
外部磁场,并且只需要两根导线
之间的传感器和评估电路。的传感器
在磁开关行为这个家庭的不同
和切换点。
该传感器包括一个温度补偿的霍尔
板与活性偏移补偿器,比较器
和一个电流源。该比较器比较
穿过霍尔元件的实际磁通(霍尔电压
龄)与固定的基准值(切换点) 。
因此,电流源接通(高
消耗电流)或关闭(低电流消耗) 。
有源偏置补偿导致恒mag-
在整个电源电压和温NETIC特点
温度范围内。此外,该磁参数
反对机械应力作用强劲。
该传感器被设计用于工业和汽车
性应用和与电源电压下工作
4 V至24 V的结温范围
40 °C
高达140
°C.
所有的传感器都可以在
贴片包装SOT89B - 1,并在含铅的版本
TO92UA -1和TO92UA -2。
的种类,根据切换的模式不同
和磁性开关点。
TYPE
556
560
566
开关
行为
单极
单极
单极
灵敏度
非常高
非常高
SEE
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单极开关传感器:
传感器变为高电流消耗的
南磁极在封装的侧面品牌
年龄和转向低消耗如果磁场
被除去。该传感器不向mag-响应
NETIC北极对品牌的一面。
单极倒置开关传感器:
该传感器变为低电流消耗的
南磁极在封装的侧面品牌
年龄和转向高消费,如果磁场
被除去。该传感器不向mag-响应
NETIC北极对品牌的一面。
1.1 。产品特点
- 电流输出为两线式的应用程序
- 结温范围
40 °C
最多
140
°C.
- 工作于4 V至24 V的电源电压
- 工作在静态磁场和动态
磁场最大10kHz
- 通常在145 kHz的开关偏置补偿
- 过压和反向电压保护
- 磁特性是对稳健
机械应力的影响
- 在很宽的支持恒磁开关点
层的电压范围
- 降低磁通密度造成的利培
在传感器系统荷兰国际集团的温度是compen-
通过一个内置的负温度系数吃饱
的磁特性
4
2009年8月11日; 000026_004ENDSH
MICRONAS
数据表
HAL55x , HAL56x
1.5 。霍尔传感器封装代码
HALXXXPA -T
温度范围:K或E
包装: SF为SOT89B - 1
UA的TO92UA
1.3 。标识代码
所有霍尔传感器已标记在包装上外加
面(品牌方) 。这标志着包括名称
传感器和温度范围内的。
TYPE
K
HAL556
HAL560
HAL566
556K
560K
566K
温度范围
E
型号: 556 , 560 ,或566
例如:
HAL556UA-E
556E
560E
566E
型号: 556
包装: TO92UA
温度范围:T已
J
=
40 °C
+100
°C
霍尔传感器可在各种各样packag-的
荷兰国际集团的版本和数量。欲了解更多详细信息
化,请参考手册: “霍尔传感器:
订购代码,包装,装卸“ 。
1.4 。工作结温范围
Micronas公司的霍尔传感器被指定到
芯片的温度(结温度T
J
).
K:
T
J
=
40 °C
到+140
°C
E:
T
J
=
40 °C
+100
°C
注意:
由于在大电流的高功率耗散
耗,存在之间的一个区别
环境温度(T
A
)和结温
真实存在。请参见5.4节。 25页
详细信息。
1.6 。可焊性和焊接
焊接
在回流焊接加工和手工
再加工, 260的分量体温
°C
不应被超过。
焊接
设备终端应与激光兼容并
电阻焊接。请注意,成功
焊接过程是受不同的焊接
参数将根据焊接异
技术使用。一个很严密控制的焊接
参数是绝对必要的,以便达到
令人满意的结果。微开,因此,不会给
任何暗示或明示担保,以能力
焊接组件。
1 V
DD
3
NC
2
4
GND
图。 1-1 :
引脚配置
MICRONAS
2009年8月11日; DSH000026_004EN
5
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