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MICRONAS

HAL556 ， HAL560 ，

HAL566

双线霍尔效应

传感器系列

版2000年8月3日

6251-425-2DS

MICRONAS

HAL55x ， HAL56x

目录

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19

19

20

部分

1.

1.1.

1.2.

1.3.

1.4.

1.5.

1.6.

2.

3.

3.1.

3.2.

3.3.

3.4.

3.5.

3.6.

3.7.

4.

4.1.

4.2.

4.3.

5.

5.1.

5.2.

5.3.

5.4.

5.5.

6.

标题

介绍

特点

系列概述

标识代码

工作结温范围

霍尔传感器封装代码

可焊性

功能说明

特定网络阳离子

外形尺寸

敏感区尺寸

敏感区的位置

绝对最大额定值

推荐工作条件

电气特性

磁特性概述

类型描述

HAL556

HAL560

HAL566

应用笔记

应用电路

延长工作条件

启动特性

环境温度

EMC和ESD

数据表历史

2

MICRONAS

HAL55x ， HAL56x

双线霍尔效应传感器系列

在CMOS技术

版本说明：版本横道显著

改变以前的版本。

1.引言

该传感器系列由不同的2线霍尔

开关在CMOS技术制造。所有的传感器

改变它的电流消耗依赖于EX-

ternal磁场和需要之间只有两根导线

传感器和评估电路。这个家庭的传感器

不同的磁性开关特性和开关

点。

该传感器包括一个温度补偿的霍尔

板与活性偏移补偿器，比较器和

一个电流源。比较器比较的实际

穿过霍尔元件（霍尔电压）与磁通

固定的参考值（切换点）。 According-

光年，电流源接通（高电流

消耗）或关闭（低电流消耗）。

有源偏置补偿导致恒mag-

在整个电源电压和温NETIC特点

温度范围内。此外，该磁参数

反对机械应力作用强劲。

该传感器是专为工业和汽车

应用程序和电源电压范围为4V工作

至24 V的结温范围为-40

°C

up

170

°C.

所有的传感器都可以在SMD封装

SOT - 89B和含铅版本TO- 92UA 。

1.1 。产品特点：

- 电流输出为两线式的应用程序

- 结温范围为-40

°C

高达170

°C.

- 工作于4 V至24 V的电源电压

- 工作在静态磁场和动态mag-

NETIC字段到10KHz

- 通常在145 kHz的开关偏置补偿

- 过压和反向电压保护

- 磁特性是反对的机械稳健

CAL应力的影响

- 在宽电源恒磁开关点

电压范围

- 降低磁通密度的上升引起的

温度的传感器系统由补偿

该mag-的内置负温度系数

NETIC特点

- 在极端的汽车应用的理想传感器

和工业环境中

- EMC对应DIN 40839

1.2 。系列概述

的种类，根据开关和模式不同

磁开关点。

TYPE

556

560

566

开关

行为

单极

单极

倒

单极

倒

灵敏度

非常高

低

非常高

SEE

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单极开关传感器：

传感器变为高电流消耗的

南磁极在包装的一侧品牌

和转向低消耗如果磁场是

删除。该传感器不与磁性响应

北极对品牌的一面。

单极倒置开关传感器：

该传感器变为低电流消耗的

南磁极在包装的一侧品牌

并变为高消费，如果磁场是

删除。该传感器不与磁性响应

北极对品牌的一面。

MICRONAS

3

HAL55x ， HAL56x

1.3 。标识代码

所有霍尔传感器已标记在包装上表面

（品牌方）。这标志着包括的名字

传感器和温度范围。

TYPE

A

HAL556

HAL560

HAL566

556A

560A

566A

温度范围

K

556K

560K

566K

E

556E

560E

566E

V

DD

1

3

NC

1.6 。可焊性

所有软件包：根据IEC68-2-58

在回流焊接加工和手工rework-

荷兰国际集团， 260组件体温

°C

不能

被超过。

保存在原包装部件应

提供至少12个月的保质期，从起始

日期码印在标签上，甚至在环境中的

极端40

°C

和90 ％的相对湿度。

1.4 。工作结温范围

Micronas公司的霍尔传感器被指定为芯片

温度（结温度T

J

).

A:

T

J

= –40

°C

到170

°C

K:

T

J

= –40

°C

到+140

°C

E:

T

J

= –40

°C

+100

°C

注意：

由于在大电流的高功率耗散

耗，存在环境之间的差

温度（T

A

）和结温。请参考

第5.4节。在19页的详细信息。

1.5 。霍尔传感器封装代码

HALXXXPA -T

温度范围： A，K ，或E

包装： SF为SOT- 89B

UA为TO- 92UA

型号： 556 ， 560 ，或566

例如：

HAL556UA-E

→

型号： 556

→

封装形式：TO - 92UA

→

温度范围：T已

J

= –40

°C

+100

°C

霍尔传感器可在很宽的各种包装

版本和数量。欲了解更多详细信息，

请参考手册“订购代码为大厅

传感器“ 。

2

GND

图。 1-1 ：

引脚配置

4

MICRONAS

HAL55x ， HAL56x

2.功能描述

HAL的55X ， 56X HAL两线传感器单片

集成电路，其响应切换到磁

场。如果变化磁场的磁通线垂直于

敏感区域施加到传感器，所述偏置

霍尔板强制霍尔电压正比于这个领域。

霍尔电压与实际的阈值进行比较

在比较器电平。温度依赖

偏置增加霍尔元件的电源电压和

调整开关点下降感应

的磁铁，在较高的温度。

如果磁场超过阈值电平，则

电流源切换到相应的状态。在

低电流消耗的状态中，电流源是

关闭而消耗电流，不仅造成

由电流通过霍尔传感器。在大电流

消耗状态，电流源被接通

和消耗电流引起的电流

通过霍尔传感器和电流源。该

内置迟滞消除振荡，并提供

开关的输出信号的行为，而不bounc-

ING 。

磁偏移引起的机械应力的COM

通过使用“切换偏移补偿补偿的用于

化技术“ 。一个内部振荡器提供两

相位时钟。在每个阶段中，电流流过强制

霍尔板在不同的方向，霍尔电压

被测量。在这两个阶段的结束时，霍尔电压

年龄段的平均值，并由此使偏置电压

消除了。的平均值与被比较

固定开关点。接着，电流调

消耗切换到相应的状态。该

的时间内越过磁过去了

切换电平的电流电平的切换，可以变化

零和1 / f之间

OSC

.

分流保护元件的钳位电压峰值处

V

DD

与外部串联电阻-pin在一起。反向

当前在V被限制

DD

-pin由内部串联

电阻可达-15 V.无需外部保护二极管

需要反向电压范围为0 V至-15 V.

V

DD

1

反向

电压&

过压

保护

HAL55x ， HAL 56X

温度

依赖的

BIAS

迟滞

控制

霍尔板

开关

比较

当前

来源

时钟

GND

2

图。 2-1 ：

HAL55x ， HAL 56X框图

f

OSC

t

B

B

关闭

B

ON

t

I

DD

I

DDHIGH

I

DDLOW

t

I

DD

1/f

OSC

= 6.9

s

t

图。 2-2 ：

时序图（例如： HAL 56X ）

MICRONAS

5

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