【MICRONASHAL525 ， HAL535霍尔效应传感器IC版2000年8月30日6251-46】,IC型号HAL535SF-K,HAL535SF-K PDF资料,HAL535SF-K经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MICRONAS

HAL525 ， HAL535

霍尔效应传感器IC

版2000年8月30日

6251-465-3DS

MICRONAS

HAL525 ， HAL535

目录

页面

3

3

3

4

4

4

4

5

6

6

6

6

7

7

8

9

14

14

16

18

18

18

18

18

20

部分

1.

1.1.

1.2.

1.3.

1.4.

1.5.

1.6.

2.

3.

3.1.

3.2.

3.3.

3.4.

3.5.

3.6.

3.7.

4.

4.1.

4.2.

5.

5.1.

5.2.

5.3.

5.4.

6.

标题

介绍

特点

系列概述

标识代码

工作结温范围

霍尔传感器封装代码

可焊性

功能说明

特定网络阳离子

外形尺寸

敏感区尺寸

敏感区的位置

绝对最大额定值

推荐工作条件

电气特性

磁特性概述

类型描述

HAL525

HAL535

应用笔记

环境温度

延长工作条件

启动特性

EMC和ESD

数据表历史

2

MICRONAS

HAL525 ， HAL535

霍尔效应传感器系列

发布说明：修订横道显著

改变以前的版本。

1.2 。系列概述

两种传感器都具有典型的闭锁行为

相同的灵敏度。 HAL 525之间的差

和HAL535是mag-的温度系数

NETIC开关点。

1.引言

该HAL525 HAL535和生产霍尔开关

在CMOS技术。该传感器包括一个温度

TURE补偿霍尔元件与有源偏置的COM

补偿器，比较器和一个开漏输出

晶体管。比较器比较的实际mag-

穿过霍尔元件（霍尔电压）与NETIC通量

固定的参考值（切换点）。因此，

输出晶体管被接通或断开。

有源偏置补偿导致磁

这是防止机械稳健参数

应力的影响。另外，磁特性

是在满电源电压和温度恒定

范围内。

该传感器被设计用于工业和汽车

性应用和与电源电压下工作

从3.8 V至24 V的环境温度范围

从

40 °C

高达150

°C.

该HAL525和HAL535可在

SMD封装SOT- 89B和含铅版本

TO-92UA.

TYPE

开关

行为

锁定

锁定

典型

温度

系数

2000

PPM / K

1000

PPM / K

SEE

页面

14

16

525

535

闭锁传感器：

两个传感器都具有一个闭锁行为，并且需要

磁北极和南极的正常运行。

输出变成低，磁南极上

包的品牌侧转向高配

北磁极对品牌的一面。在输出

如果磁场被移除付诸不会改变。

为了改变输出状态，相反的磁

场极性必须应用。

1.1 。产品特点

- 通常在115 kHz的开关偏置补偿

- 工作于3.8 V至24 V的电源电压

- 工作在静态磁场和动态

磁场最大10kHz

- 在所有引脚过压保护

- 在V反向电压保护

DD

-pin

- 磁特性是对稳健

机械应力的影响

- 短路保护，开路漏极输出热

关闭

- 在一个很宽的电源电压恒定的开关点

范围

- 降低磁通密度造成的利培

在传感器系统荷兰国际集团的温度是compen-

通过一个内置的负温度系数吃饱

的磁特性

- 对玻璃升降器，点火正时，以及理想的传感器

在极端的汽车革命计数和

工业环境

- EMC对应DIN 40839

MICRONAS

3

HAL525 ， HAL535

1.3 。标识代码

所有霍尔传感器已标记在包装上外加

面（品牌方）。这标志着包括名称

传感器和温度范围内的。

1.6 。可焊性

所有软件包：根据IEC68-2-58

在回流焊接加工和手工

再加工， 260的分量体温

°C

不应被超过。

保存在原包装部件应

提供至少12个月的保质期，从开始

日期码印在标签上，甚至在环境

ments极端40

°C

和90 ％的相对湿度。

TYPE

A

HAL525

HAL535

525A

535A

温度范围

K

525K

535K

E

525E

535E

1 V

DD

3

OUT

1.4 。工作结温范围

Micronas公司的霍尔传感器被指定到

芯片的温度（结温度T

J

).

A:

T

J

=

40 °C

到170

°C

K:

T

J

=

40 °C

到+140

°C

E:

T

J

=

40 °C

+100

°C

（T环境温度之间的关系

A

)

和结温在5.1节介绍。

在第18页。

2 GND

图。 1-1 ：

引脚配置

1.5 。霍尔传感器封装代码

HALXXXPA -T

温度范围： A，K ，或E

包装： SF为SOT- 89B

UA为TO- 92UA

型号： 525或535

例如：

HAL525UA-E

→

型号： 525

→

封装形式：TO - 92UA

→

温度范围：T已

J

=

40 °C

+100

°C

霍尔传感器可在各种各样packag-的

荷兰国际集团的版本和数量。欲了解更多详细信息

化，请参考手册“订购代码

霍尔传感器“ 。

4

MICRONAS

HAL525 ， HAL535

2.功能描述

霍尔效应传感器是单片集成电路

响应于磁场的切换。如果mag-

垂直于敏感NETIC场与感应线

区域被施加到传感器，所述偏压霍尔板

强制霍尔电压正比于这个领域。大厅

电压与实际的阈值电平进行比较

的比较器。随温度的偏差

增加了霍尔元件的电源电压和

调整开关点下降电感

灰磁铁的温度较高。如果磁

现场超过阈值水平时，漏极开路输出

把切换到适当的状态。内置的滞回

teresis消除振荡，提供开关

产出的行为，而不反弹。

磁偏移引起的机械应力的COM

通过使用“切换偏移补偿补偿的用于

化技术“ 。因此，一个内部振荡器亲

志愿组织的两相时钟。的霍尔电压进行采样

在第一阶段结束。在第二个的端部

相位，这两个取样和实际霍尔电压

平均化，并与实际的开关相比

点。随后，开漏输出开关

适当的状态。从穿越mag-的时间

NETIC开关电平输出的开关可以改变

零和1 / f之间

OSC

.

分流保护元件的钳位电压峰值处

输出引脚和V

DD

与外部串联在一起-pin

电阻器。反向电流在V被限制

DD

-pin通过

内部串联电阻高达

15

五，无需外部

反向保护二极管，需要在V

DD

-pin的

反向电压从0 V至

15

V.

1

V

DD

反向

电压&

过压

保护

温度

依赖的

BIAS

迟滞

控制

短路

和

过压

保护

霍尔板

比较

3

开关

产量

OUT

时钟

2

GND

图。 2-1 ：

HAL525 ， HAL535框图

f

OSC

t

B

B

ON

t

V

OUT

V

OH

V

OL

t

I

DD

1/f

OSC

= 9

s

t

f

t

图。 2-2 ：

时序图

MICRONAS

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HAL525 ， HAL535

霍尔效应传感器IC

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部分

1.

1.1.

1.2.

1.3.

1.4.

1.5.

1.6.

2.

3.

3.1.

3.2.

3.3.

3.4.

3.5.

3.6.

3.7.

4.

4.1.

4.2.

5.

5.1.

5.2.

5.3.

5.4.

6.

标题

介绍

特点

系列概述

标识代码

工作结温范围

霍尔传感器封装代码

可焊性

功能说明

特定网络阳离子

外形尺寸

敏感区尺寸

敏感区的位置

绝对最大额定值

推荐工作条件

电气特性

磁特性概述

类型描述

HAL525

HAL535

应用笔记

环境温度

延长工作条件

启动特性

EMC和ESD

数据表历史

2

MICRONAS

HAL525 ， HAL535

霍尔效应传感器系列

发布说明：修订横道显著

改变以前的版本。

1.2 。系列概述

两种传感器都具有典型的闭锁行为

相同的灵敏度。 HAL 525之间的差

和HAL535是mag-的温度系数

NETIC开关点。

1.引言

该HAL525 HAL535和生产霍尔开关

在CMOS技术。该传感器包括一个温度

TURE补偿霍尔元件与有源偏置的COM

补偿器，比较器和一个开漏输出

晶体管。比较器比较的实际mag-

穿过霍尔元件（霍尔电压）与NETIC通量

固定的参考值（切换点）。因此，

输出晶体管被接通或断开。

有源偏置补偿导致磁

这是防止机械稳健参数

应力的影响。另外，磁特性

是在满电源电压和温度恒定

范围内。

该传感器被设计用于工业和汽车

性应用和与电源电压下工作

从3.8 V至24 V的环境温度范围

从

40 °C

高达150

°C.

该HAL525和HAL535可在

SMD封装SOT- 89B和含铅版本

TO-92UA.

TYPE

开关

行为

锁定

锁定

典型

温度

系数

2000

PPM / K

1000

PPM / K

SEE

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525

535

闭锁传感器：

两个传感器都具有一个闭锁行为，并且需要

磁北极和南极的正常运行。

输出变成低，磁南极上

包的品牌侧转向高配

北磁极对品牌的一面。在输出

如果磁场被移除付诸不会改变。

为了改变输出状态，相反的磁

场极性必须应用。

1.1 。产品特点

- 通常在115 kHz的开关偏置补偿

- 工作于3.8 V至24 V的电源电压

- 工作在静态磁场和动态

磁场最大10kHz

- 在所有引脚过压保护

- 在V反向电压保护

DD

-pin

- 磁特性是对稳健

机械应力的影响

- 短路保护，开路漏极输出热

关闭

- 在一个很宽的电源电压恒定的开关点

范围

- 降低磁通密度造成的利培

在传感器系统荷兰国际集团的温度是compen-

通过一个内置的负温度系数吃饱

的磁特性

- 对玻璃升降器，点火正时，以及理想的传感器

在极端的汽车革命计数和

工业环境

- EMC对应DIN 40839

MICRONAS

3

HAL525 ， HAL535

1.3 。标识代码

所有霍尔传感器已标记在包装上外加

面（品牌方）。这标志着包括名称

传感器和温度范围内的。

1.6 。可焊性

所有软件包：根据IEC68-2-58

在回流焊接加工和手工

再加工， 260的分量体温

°C

不应被超过。

保存在原包装部件应

提供至少12个月的保质期，从开始

日期码印在标签上，甚至在环境

ments极端40

°C

和90 ％的相对湿度。

TYPE

A

HAL525

HAL535

525A

535A

温度范围

K

525K

535K

E

525E

535E

1 V

DD

3

OUT

1.4 。工作结温范围

Micronas公司的霍尔传感器被指定到

芯片的温度（结温度T

J

).

A:

T

J

=

40 °C

到170

°C

K:

T

J

=

40 °C

到+140

°C

E:

T

J

=

40 °C

+100

°C

（T环境温度之间的关系

A

)

和结温在5.1节介绍。

在第18页。

2 GND

图。 1-1 ：

引脚配置

1.5 。霍尔传感器封装代码

HALXXXPA -T

温度范围： A，K ，或E

包装： SF为SOT- 89B

UA为TO- 92UA

型号： 525或535

例如：

HAL525UA-E

→

型号： 525

→

封装形式：TO - 92UA

→

温度范围：T已

J

=

40 °C

+100

°C

霍尔传感器可在各种各样packag-的

荷兰国际集团的版本和数量。欲了解更多详细信息

化，请参考手册“订购代码

霍尔传感器“ 。

4

MICRONAS

HAL525 ， HAL535

2.功能描述

霍尔效应传感器是单片集成电路

响应于磁场的切换。如果mag-

垂直于敏感NETIC场与感应线

区域被施加到传感器，所述偏压霍尔板

强制霍尔电压正比于这个领域。大厅

电压与实际的阈值电平进行比较

的比较器。随温度的偏差

增加了霍尔元件的电源电压和

调整开关点下降电感

灰磁铁的温度较高。如果磁

现场超过阈值水平时，漏极开路输出

把切换到适当的状态。内置的滞回

teresis消除振荡，提供开关

产出的行为，而不反弹。

磁偏移引起的机械应力的COM

通过使用“切换偏移补偿补偿的用于

化技术“ 。因此，一个内部振荡器亲

志愿组织的两相时钟。的霍尔电压进行采样

在第一阶段结束。在第二个的端部

相位，这两个取样和实际霍尔电压

平均化，并与实际的开关相比

点。随后，开漏输出开关

适当的状态。从穿越mag-的时间

NETIC开关电平输出的开关可以改变

零和1 / f之间

OSC

.

分流保护元件的钳位电压峰值处

输出引脚和V

DD

与外部串联在一起-pin

电阻器。反向电流在V被限制

DD

-pin通过

内部串联电阻高达

15

五，无需外部

反向保护二极管，需要在V

DD

-pin的

反向电压从0 V至

15

V.

1

V

DD

反向

电压&

过压

保护

温度

依赖的

BIAS

迟滞

控制

短路

和

过压

保护

霍尔板

比较

3

开关

产量

OUT

时钟

2

GND

图。 2-1 ：

HAL525 ， HAL535框图

f

OSC

t

B

B

ON

t

V

OUT

V

OH

V

OL

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I

DD

1/f

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= 9

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