【HAF2027 （L） HAF2027 （S）硅N沟道功率MOS FET电源开关REJ03G1674】,IC型号HAF2027S,HAF2027S PDF资料,HAF2027S经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAF2027 （L） HAF2027 （S）

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1674-0100

Rev.1.00

2008年5月19日

描述

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。此FET具有内置的

过温关机电路中的栅极区。与该电路操作以关断的栅极电压的情况下

高结温将像对功耗，过电流等。

特点

逻辑电平操作（ 4 V闸驱动器）

内置的过温关断电路

针对到停机电路高承受能力

锁式关机操作（需要0电压恢复）

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

1

2

3

2

1.门

2.漏

（法兰）

3.源

3

HAF2027(L)

HAF2027(S)

D

G

栅极电阻

温度

传感

电路

LATCH

电路

门

关机

电路

S

REJ03G1674-0100

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Rev.1.00

2008年5月19日

HAF2027 （L） HAF2027 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

运河耗散

运河温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

为10ms ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

V

GSS

I

D

I

D

（脉冲）

Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

60

16

–2.5

50

100

50

100

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

典型的运行特性

(Ta=25°C)

项

输入电压

输入电流

（栅非关闭）

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

符号

V

IH

V

IL

I

IH1

I

IH2

I

IL

I

IH(sd)1

I

IH(sd)2

TSD

VOP

民

3.5

—

3.5

典型值

—

0.6

0.35

175

—

最大

—

1.2

100

50

1

—

12

单位

V

A

mA

°C

V

测试条件

VI = 6 V ，V

DS

= 0

VI = 3.5 V ，V

DS

= 0

VI = 1.2 V ，V

DS

= 0

VI = 6 V ，V

DS

= 0

VI = 3.5 V ，V

DS

= 0

运河温度

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2008年5月19日

HAF2027 （L） HAF2027 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

符号

I

D1

I

D2

I

D3

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS1

I

GSS2

I

GSS3

I

GSS4

I

GS(OP)1

I

GS(OP)2

I

DSS

V

GS （ OFF ）

|y

fs

|

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

科斯

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

t

os1

t

os2

民

80

15

—

60

16

–2.5

—

1.0

15

—

典型值

—

0.6

0.35

—

65

7.7

10.3

1423

10

48

22

23

0.9

102

0.7

0.43

最大

—

10

—

100

50

1

–100

—

10

2.25

—

10

15

—

单位

A

mA

V

A

mA

A

V

S

m

pF

s

V

ns

ms

测试条件

V

GS

= 6 V, V

DS

= 10 V

Note3

V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 10 V

Note3

V

GS

= 1.2 V, V

DS

= 10 V

Note3

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= 300

A,

V

DS

= 0

I

G

= –100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= 6 V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 0

V

GS

= 1.2 V, V

DS

= 0

V

GS

= –2.4 V, V

DS

= 0

V

GS

= 6 V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 25 A，V

DS

= 10 V

Note3

I

D

= 25 A，V

GS

= 10 V

Note3

I

D

= 25 A，V

GS

= 4 V

Note3

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0中，f = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A，R

L

= 1.2

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

输入电流（关闭）

零栅压漏

当前

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏源导通状态

阻力

输出电容

导通延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

过载关机

Note4

工作时间

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

I

F

= 50 A，V

GS

= 0，二

F

/ DT = 100 A / μs的

V

GS

= 5 V, V

DD

= 16 V

V

GS

= 5 V, V

DD

= 24 V

注： 3.脉冲测试

4.包括过lorded条件的结温升高。

REJ03G1674-0100

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Rev.1.00

2008年5月21日

HAF2027 （L） HAF2027 （S）

主要特点

功率与温度降额

200

1000

热关机操作区

150

最高安全工作区

散热通道

P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

100

DC

O

PW

1

s

m

=

10

m

s

n

TIO

ra

pe

100

10

c

(T

=

°

25

50

1

手术

在这个区域

有限

DS （ ON）

TA = 25°C

C)

0

50

100

150

200

0.1

0.01

0.1

1

10

100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

200

8V

10 V

6V

典型的传输特性

100

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

TC = -25°C

75

25°C

50

75°C

25

V

DS

= 10 V

脉冲测试

150

100

5V

4V

V

GS

= 3.5 V

50

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

1200

脉冲测试

1000

800

600

400

200

I

D

= 50 A

25 A

10 A

0

2

4

6

8

10

12

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

漏源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通电阻

与漏电流

1000

100

V

GS

= 4 V

10

V

GS

= 10 V

脉冲测试

1

0.1

1

10

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

REJ03G1674-0100

第4页8

Rev.1.00

2008年5月19日

HAF2027 （L） HAF2027 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

20

脉冲测试

25 A

15

I

D

= 10 A

25 A

10

V

GS

= 4 V

I

D

= 10 A

1000

100

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.0001 0.001 0.01

75°C

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

25°C

V

GS

= 10 V

5

-50 -25

0

25

50

75 100 125 150

0.1

1

10

100

壳温度（ ° C）

漏电流I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

100

开关特性

tr

开关时间t（微秒）

tf

TD （关闭）

10

TD （上）

100

10

1

10

100

1

0.1

V

GS

= 10 V, V

DD

= 30 V

PW = 300

s,

税

≤

1 %

1

10

100

外壳温度我

DR

(A)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

反向漏电流I

DR

(A)

5V

40

V

GS

= 0 V

30

10 V

电容C （PF ）

1000

科斯

20

10

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

100

0

10

20

30

40

50

60

漏极至源极电压V

DS

(V)

源极到漏极电压V

SD

(V)

REJ03G1674-0100

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Rev.1.00

2008年5月19日