HAF2021 （L） HAF2021 （S）
硅N沟道MOS场效应管系列
电源开关
REJ03G0179-0200Z
（上ADE - 208-1459A （ Z） ）
Rev.2.00
Mar.05.2004
描述
此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。此FET具有内置的
过温关机电路中的栅极区。与该电路操作以关断的栅极电压的情况下
像应用在功耗，过电流等的高结温
特点
逻辑电平操作（6V栅极驱动器）
对到短路的高续航能力
内置的过温关断电路
锁存型关机操作（需要0电压恢复）
概要
LDPAK
D
4
G
4
栅极电阻
温度
检测电路
LATCH
电路
门
关机
电路
1
1
2
1.门
2.漏
3.源
4.漏
3
2
3
S
Rev.2.00 ， Mar.05.2004 ，页8 1
HAF2021 （L） HAF2021 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.值在TA = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
60
16
–2.5
50
100
50
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
典型的运行特性
项
输入电压
输入电流
（栅非关闭）
输入电流
（门关闭）
关机温度
门工作电压
符号
V
IH
V
IL
I
IH1
I
IH2
I
IL
I
IH(sd)1
I
IH(sd)2
T
sd
V
OP
民
3.5
—
—
—
—
—
—
—
3.5
典型值
—
—
—
—
—
0.6
0.35
175
—
最大
—
1.2
100
50
1
—
—
—
12
单位
V
V
A
A
A
mA
mA
°C
V
测试条件
VI = 6 V ，V
DS
= 0
VI = 3.5 V ，V
DS
= 0
VI = 1.2 V ，V
DS
= 0
VI = 6 V ，V
DS
= 0
VI = 3.5 V ，V
DS
= 0
通道温度
Rev.2.00 ， Mar.05.2004 ， 8个2页
HAF2021 （L） HAF2021 （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏电流
漏电流
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
符号
I
D1
I
D2
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS1
I
GSS2
I
GSS3
I
GSS4
I
GS(op)1
I
GS(op)2
I
DSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
科斯
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
t
os
民
90
—
60
16
–2.5
—
—
—
—
—
—
—
2.2
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.6
0.35
—
—
50
8
9.5
1450
20
75
3
2.6
0.9
110
0.8
最大
—
10
—
—
—
100
50
1
–100
—
—
10
3.4
—
12
15
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
A
mA
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
A
V
S
m
m
pF
s
s
s
s
V
ns
ms
测试条件
V
GS
= 6 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 1.2 V, V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= 300
A,
V
DS
= 0
I
G
= –100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= 6 V, V
DS
= 0
V
GS
= 3.5 V, V
DS
= 0
V
GS
= 1.2 V, V
DS
= 0
V
GS
= –2.4 V, V
DS
= 0
V
GS
= 6 V, V
DS
= 0
V
GS
= 3.5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
Note3
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 25 A，V
GS
= 6 V
Note3
V
DS
= 10 V , V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 1.2
输入电流（关闭）
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
输出电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
过载关机
工作时间
Note4
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
V
GS
= 6 V, V
DD
= 16 V
注： 3.脉冲测试
4.包括的过载条件下的结温升高。
Rev.2.00 ， Mar.05.2004 ， 8第3页
HAF2021 （L） HAF2021 （S）
主要特点
功率与温度降额
200
P沟（W）的
(A)
500
200
最高安全工作区
热关机操作区
10
150
100
50
20
10
5
DC
PW
1
m
s
0
散热通道
漏电流I
D
s
100
Op
e
=
ra
10
TIO
m
n
s
(T
50
在这一领域
2
由R有限公司
DS （ ON）
c=
25
1
°
C
)
0.5 TA = 25
°
C
0
50
100
150
TC （ ℃）
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
40
(A)
200
0.3
外壳温度
100
0.5 1 2
5 10 20
50 100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
典型的输出特性
10 V
8V
6V
脉冲测试
(A)
漏电流I
D
80
漏电流I
D
60
30
TC = -25°C
25°C
75°C
10
40
20
20
4V
V
GS
= 3.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
10
(V)
0
2
4
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
8
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
静态漏极至源极通电阻
与漏电流
50
0.8
脉冲测试
0.6
I
D
= 50 A
0.4
25 A
0.2
10 A
20
10
5
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
2
脉冲测试
1
1
2
5 10 20
漏电流I
D
50 100 200
(A)
0
2
4
6
8
V
GS
(V)
10
栅极至源极电压
Rev.2.00 ， Mar.05.2004 ， 8个4页
HAF2021 （L） HAF2021 （S）
静态漏极至源极通电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
50脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.5 1
5 10
漏电流I
D
(A)
50 100
75°C
25°C
TC = -25°C
25
脉冲测试
20
25 A, 10 A
15
V
GS
= 6 V
I
D
= 50 A
I
D
= 50 A
25 A, 10 A
5
0
-25
V
GS
= 10 V
10
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
体漏二极管反向
恢复时间
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
开关时间t（微秒）
1000
开关特性
500
500 V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 300
s,
值班< 1 ％
200
100
50
20
10
5
2
TD （上）
TD （关闭）
tf
5 10
漏电流
50 100
I
D
(A)
500
tr
200
100
50
20
10
1
2
5
10 20
50 100
反向漏电流I
DR
(A)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
脉冲测试
40
电容C （PF ）
1
0.5 1
50
反向漏电流I
DR
(A)
10000
典型的电容比。
漏源极电压
1000
科斯
30
0, -5 V
V
GS
= 5 V
10
20
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
2.0
(V)
0
源极到漏极电压
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
Rev.2.00 ， Mar.05.2004 ， 8 5页
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