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HAF2012(L),HAF2012(S)

硅N沟道MOS场效应管系列

电源开关

ADE - 208-677A （ Z）

第2位。版

2000年7月

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。该FET具有

内置的过温关断电路中的栅极区。与该电路操作以关断

在壳体的高结温的栅极电压一样施加过度的功耗，过电流

等等

特点

逻辑电平操作（ 4 6 V闸驱动器）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

LDPAK

D

4

4

G

栅极电阻

Tempe-

叉涂抹

Sencing

电路

1

1

2

3

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

2

3

S

1.门

2.漏

3.源

4.漏

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤ 1 %

2.值在TA = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

60

16

–2.8

20

40

20

50

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

A

W

°C

°C

典型的运行特性

项

输入电压

符号

V

IH

V

IL

输入电流

（栅非关闭）

I

IH1

I

IH2

I

IL

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

I

IH(sd)1

I

IH(sd)2

T

sd

V

OP

民

3.5

—

—

—

—

—

—

—

3.5

典型值

—

—

—

—

—

0.8

0.35

175

—

最大

—

1.2

100

50

1

—

—

—

13

单位

V

V

A

A

A

mA

mA

°C

V

VI = 8V ，V

DS

= 0

VI = 3.5V ，V

DS

= 0

VI = 1.2V ，V

DS

= 0

VI = 8V ，V

DS

= 0

VI = 3.5V ，V

DS

= 0

通道温度

测试条件

2

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏电流

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

I

D1

I

D2

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS1

I

GSS2

I

GSS3

I

GSS4

输入电流（关闭）

I

GS(op)1

I

GS(op)2

零门voltege漏

当前

I

DSS

民

10

—

60

16

–2.8

—

—

—

—

—

—

—

1.0

—

—

6

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.8

0.35

—

—

50

30

12

630

7.5

29

34

26

1.0

110

1.8

0.7

最大

—

10

—

—

—

100

50

1

–100

—

—

250

2.25

65

43

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

A

mA

V

V

V

A

A

A

A

mA

mA

A

V

m

m

S

pF

s

s

s

s

V

ns

ms

ms

I

F

= 20A ，V

GS

= 0

I

F

= 20A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

V

GS

= 5V, V

DD

= 12V

V

GS

= 5V, V

DD

= 24V

测试条件

V

GS

= 3.5V, V

DS

= 2V

V

GS

= 1.2V, V

DS

= 2V

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

I

G

= 100μA ，V

DS

= 0

I

G

= -100μA ，V

DS

= 0

V

GS

= 8V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5V, V

DS

= 0

V

GS

= 1.2V, V

DS

= 0

V

GS

= –2.4V, V

DS

= 0

V

GS

= 8V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5V, V

DS

= 0

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 4V

Note3

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

Note3

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

Note3

V

DS

= 10V , V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 5A ，V

GS

= 5V

R

L

= 6

门源截止电压V

GS （ OFF ）

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输出电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

过载关机

工作时间

注意：

Note4

|y

fs

|

科斯

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

t

os1

t

os2

3.脉冲测试

4.加入的过载条件下的结温升高。

见HAF2001的特性曲线。

3

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

主要特点

功率与温度降额

80

P沟（W）的

散热通道

60

40

20

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

外壳温度

4

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

包装尺寸

至于， 2001年1月

单位：mm

(1.4)

4.44

±

0.2

1.3

±

0.15

+ 0.3

– 0.5

10.2

±

0.3

11.3

±

0.5

8.6

±

0.3

10.0

1.27

±

0.2

0.2

0.86

+ 0.1

–

0.76

±

0.1

2.54

±

0.5

11.0

±

0.5

1.2

±

0.2

2.59

±

0.2

2.54

±

0.5

0.4

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

LDPAK （L）的

—

—

1.4 g

5

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