HAF1004 （L） HAF1004 （S）
硅P沟道MOS FET系列电源开关
REJ03G0028-0500Z
（上ADE - 208-629B （ Z） ）
Rev.5.00
2003.04.29
描述
此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。该FET具有
内置的过温关断电路中的栅极区。与该电路操作以关断所述
在壳体的高结温栅极电压一样施加过度的功耗，过电流等。
特点
逻辑电平操作（ -4 -6 V门极驱动）
针对到停机电路高承受能力
内置的过温关断电路
锁式关机操作（需要0电压恢复）
概要
D
DPAK-2
DPAK -S
G
栅极电阻
Tempe-
叉涂抹
Senching
电路
LATCH
电路
门
关断模式
下
电路
1 2
S
3
1 2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
Rev.5.00 ， Apr.29.2003 ，页10 1
HAF1004 （L） HAF1004 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
运河耗散
运河温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
0μs ，占空比
≤
1%
2.值在TA = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
–16
2.5
–5
–10
–5
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
典型的运行特性
项
输入电压
输入电流
（栅非关闭）
符号
V
IH
V
IL
I
IH1
I
IH2
I
IL
输入电流
（门关闭）
关机温度
门工作电压
I
IH(sd)1
I
IH(sd)2
TSD
VOP
民
–3.5
—
—
—
—
—
—
—
–3.5
典型值
—
—
—
—
—
–0.8
–0.35
175
—
最大
—
–1.2
–100
–50
–1
—
—
—
–12
单位
V
V
A
A
A
mA
mA
°C
V
VI = -8 V ，V
DS
= 0
VI = -3.5 V ，V
DS
= 0
VI = -1.2 V ，V
DS
= 0
VI = -8 V ，V
DS
= 0
VI = -3.5 V ，V
DS
= 0
运河温度
测试条件
Rev.5.00 ， Apr.29.2003 ， 10个2页
HAF1004 （L） HAF1004 （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏电流
漏电流
符号最小值
I
D1
I
D2
4
—
–60
–16
2.5
—
—
—
—
—
—
—
–1.1
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.8
—
—
4
140
200
326
2
7.6
3.2
3.2
–0.9
77
8.4
2.4
最大
—
–10
—
—
—
–50
–1
100
—
–10
—
200
340
―
―
—
―
—
—
—
—
—
单位
A
mA
V
V
V
A
A
A
mA
mA
A
S
m
m
pF
s
s
s
s
V
ns
ms
ms
I
F
= -5A ，V
GS
= 0
I
F
= -5 A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
V
GS
= –5 V, V
DD
= –16 V
V
GS
= –5 V, V
DD
= –24 V
测试条件
V
GS
= –3.5 V, V
DS
= –2 V
V
GS
= –1.2 V, V
DS
= –2 V
I
D
= -10毫安，V
GS
=0
I
G
= -800 μA ，V
DS
=0
I
G
= 100 μA ，V
DS
=0
V
GS
= –8 V, V
DS
=0
V
GS
= –3.5 V, V
DS
=0
V
GS
= –1.2 V, V
DS
=0
V
GS
= 2.4 V, V
DS
=0
V
GS
= –8 V, V
DS
=0
V
GS
= –3.5 V, V
DS
=0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -2.5 A，V
DS
=–10 V
Note3
I
D
= -2.5 A，V
GS
= –10 V
Note3
I
D
= -2.5 A，V
GS
= –4 V
Note3
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0中，f = 1 MHz的
V
GS
= -5 V，I
D
= –2.5 A,
R
L
= 12
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
I
GSS1
I
GSS2
I
GSS3
I
GSS4
输入电流（关闭）
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
输出电容
导通延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
I
GS(OP)1
I
GS(OP)2
I
DSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
科斯
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
–100 A
–0.35 —
–2.25 V
体漏二极管的反向恢复吨
rr
时间
在领主关闭
note4
工作时间
t
os1
t
os2
注： 3.脉冲测试
4.包括所述lorded条件的结温升高
Rev.5.00 ， Apr.29.2003 ， 10 3页
HAF1004 （L） HAF1004 （S）
主要特点
功率与温度降额
40
通道耗散P沟（W）的
最高安全工作区
–100
–50
热关机
作业区
30
(A)
–20
–10
–5
–2
由R有限公司
DS （ ON）
–0.5 –1
–2
DC
10
0
20
漏电流I
D
s
1
m
PW
pe
r
O
s
=
10
m
at
io
10
–1
在这一领域
-0.5 TA = 25℃
–0.3
n
s
c
=
25
°
C
)
(T
0
50
100
150
200
–5 –10 –20
–50 –100
壳温度（ ° C）
漏源电压V
DS
(V)
–10
典型的输出特性
–10 V
–8 V
–6 V
–5
典型的传输特性
V
DS
= -10 V -25°C
脉冲测试
25°C
TC = 75℃
漏电流I
D
(A)
–4 V
–6
V
GS
= –3.5 V
–4
漏电流I
D
(A)
–8
–4
–3
–2
TC = 75℃
–1
25°C
–25°C
0
–1
–2
–3
–4
–5
栅极至源极电压V
GS
(V)
–2
脉冲测试
0
–2
–4
–6
–8
–10
漏极至源极电压V
DS
(V)
Rev.5.00 ， Apr.29.2003 ， 10第4页
HAF1004 （L） HAF1004 （S）
沥去饱和电压与
栅极至源极电压
–2.0
–1.6
脉冲测试
静态漏极至源极通电阻
与漏电流
1000
脉冲测试
500
V
GS
= –4 V
200
100
50
20
10
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
–1.2
I
D
= –5 A
–2.5 A
–1 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏源极导通电阻沙爹
R
DS （ ON）
(m)
–10 V
–0.8
–0.4
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
与温度的关系
R
DS （ ON）
(m)
500
脉冲测试
400
300
V
GS
= –4 V
200
–5 A
–2.5 A
100
0
–25
–1 A
V
GS
= –10 V
0
25
50
75
100
125
I
D
= –5 A
-2.5 A
–1 A
10
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25°C
漏源导通状态电阻
V
DS
= –10 V
5脉冲测试
2
1
25°C
75°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
–
0.01
–
0.1
–
1
–
10
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
Rev.5.00 ， Apr.29.2003 ， 10个5页
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