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HAF1003 （L） HAF1003 （S）

硅P沟道MOS场效应管系列

电源开关

ADE - 208-626B （ Z）

3 。版

2000年7月

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。该FET具有

内置的过温关断电路中的栅极区。与该电路操作以关断

在壳体的高结温的栅极电压一样施加过度的功耗，过电流

等等

特点

逻辑电平操作（ -4 -6 V门极驱动）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

LDPAK

D

4

4

G

栅极电阻

Tempe-

叉涂抹

Sencing

电路

1

1

2

3

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

2

3

S

1.门

2.漏

3.源

4.漏

HAF1003 （L） HAF1003 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

V

DSS

V

GSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

–60

–16

2.5

–18

–36

–18

50

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

A

W

°C

°C

1. PW

≤

为10ms ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

典型的运行特性

项

输入电压

符号

V

IH

V

IL

输入电流

（栅非关闭）

I

IH1

I

IH2

I

IL

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

I

IH(sd)1

I

IH(sd)2

T

sd

VOP

民

–3.5

—

—

—

—

—

—

—

–3.5

典型值

—

—

—

—

—

–0.8

–0.35

175

—

最大

—

–1.2

–100

–50

–1

—

—

—

–12

单位

V

V

A

A

A

mA

mA

°C

V

VI = -8V ，V

DS

= 0

VI = -3.5V ，V

DS

= 0

VI = -1.2V ，V

DS

= 0

VI = -8V ，V

DS

= 0

VI = -3.5V ，V

DS

= 0

通道温度

测试条件

2

HAF1003 （L） HAF1003 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏电流

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

I

D1

I

D2

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS1

I

GSS2

I

GSS3

I

GSS4

输入电流（关闭）

I

GS(op)1

I

GS(op)2

零门voltege漏

当前

I

DSS

民

–6

—

–60

–16

2.5

—

—

—

—

—

—

—

–1.1

—

—

5.3

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

–0.8

–0.35

—

—

80

52

11

700

最大

—

–10

—

—

—

–100

–50

–1

100

—

—

–10

–2.25

110

60

—

—

单位

A

mA

V

V

V

Α

Α

Α

Α

mA

mA

A

V

m

m

S

pF

s

s

s

s

V

I

F

= -18A ，V

GS

= 0

I

F

= -18A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

t

os1

t

os2

—

—

3

1.5

—

—

ms

ms

V

GS

= –5V, V

DD

= –16V

V

GS

= –5V, V

DD

= –24V

测试条件

V

GS

= –3.5V, V

DS

= –2V

V

GS

= –1.2V, V

DS

= –2V

I

D

= -10mA ，V

GS

= 0

I

G

= -300μA ，V

DS

= 0

I

G

= 100μA ，V

DS

= 0

V

GS

= –8V, V

DS

= 0

V

GS

= –3.5V, V

DS

= 0

V

GS

= –1.2V, V

DS

= 0

V

GS

= 2.4V, V

DS

= 0

V

GS

= –8V, V

DS

= 0

V

GS

= –3.5V, V

DS

= 0

V

DS

= –60 V, V

GS

= 0

I

D

= -1mA ，V

DS

= –10V

I

D

= -9A ，V

GS

= –4V

Note3

I

D

= -9A ，V

GS

= –10V

Note3

I

D

= -9A ，V

DS

= –10V

Note3

V

DS

= –10V , V

GS

= 0

F = 1 MHz的

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

过载关机

工作时间

注意：

Note4

门源截止电压V

GS （ OFF ）

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输出电容

|y

fs

|

科斯

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

—

—

—

—

—

8.7

44.5

4

4.6

–0.9

—

—

—

—

—

I

D

= -9A ，V

GS

= –5V

R

L

=3.3

—

140

—

ns

3.脉冲测试

4.包括的过载条件下的结温升高。

3

HAF1003 （L） HAF1003 （S）

电源vs.Temperature降额

80

P沟（W）的

I

D

(A)

-500

-200

60

-100

-50

-20

-10

-5

DC

Op

最高安全工作区

热关机

作业区

10

0

散热通道

漏电流

40

PW

1

m

s

20

1

er

at

0 m

离子

s

(T

-2

在这一领域

c=

由R有限公司

DS （ ON）

25

-1

°

-0.5

TA = 25°C

-0.5

-1

-2

-5

-10 -20

=

s

C)

-50 -100

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

-0.3

外壳温度

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

-50

I

D

(A)

-20

典型的传输特性

I

D

(A)

-40

-10 V

-30

-8 V

-6 V

-5 V

-4 V

V

GS

= -3.5 V

脉冲测试

0

-2

-4

-6

-8

-10

漏极至源极电压V

DS

(V)

-16

TC = -25°C

25

°C

75

°C

漏电流

-12

漏电流

-20

-8

-10

-4

V

DS

= -10 V

脉冲测试

0

-1

-2

-3

栅极至源极电压

-4

-5

V

GS

(V)

4

HAF1003 （L） HAF1003 （S）

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

-0.2

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极导通电阻

脉冲测试

静态漏极至源极通电阻

与漏电流

500

-0.16

I

D

= -18 A

RDS （ ON）

()

200

V

GS

= -4 V

100

50

-0.12

-0.8

-10A

-5 A

V

GS

= -10 V

-0.4

20

脉冲测试

10

0.1 0.2

0.5 1

2

漏电流

0

-2

-4

-6

-8

-10

栅极至源极电压

V

GS

(V)

5 10

I

D

(A)

20

漏极至源极导通电阻

RDS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.2

脉冲测试

0.16

I

D

= -10 A

0.12

V

GS

= 4 V

0.08

I

D

= -10A

0.04

0

-40

-5 A

V

GS

= 10 V

0

40

80

外壳温度

120

TC （ ℃）

160

-5 A

100

50

20

正向转移导纳主场迎战

漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

10

5

25

°C

2

1

-0.5

75

°C

-1

-2

-5 -10 -20

I

D

(A)

漏电流

-50

5

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