【HAF1002 （L） HAF1002 （S）硅P沟道MOS场效应管系列电源开关REJ03G1133】,IC型号HAF1002S,HAF1002S PDF资料,HAF1002S经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

硅P沟道MOS场效应管系列

电源开关

REJ03G1133-0200

（上一个： ADE- 208-586 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

描述

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。

此FET具有内置的过温停机电路中的栅极区。与该电路操作以关断

在壳体的高结温的栅极电压一样施加过度的功耗，过电流等。

特点

逻辑电平操作（ -4 -6 V门极驱动）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

1.门

2.漏

3.源

4.漏

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

Tempe-

叉涂抹

传感

电路

栅极电阻

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

Rev.2.00 2005年9月7日第1页8

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

–60

–16

–15

–30

–15

150

-55到+150

单位

°C

注2

PCH

总胆固醇

TSTG

典型的运行特性

项

输入电压

输入电流

（栅非关闭）

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

符号

IH1

IH2

IH （ SD） 1

IH （ SD） 2

TSD

民

–3.5

—

–3.5

典型值

—

–0.8

–0.35

175

—

最大

—

–1.2

–100

–50

–1

—

–13

单位

°C

测试条件

VI = -8 V ，V

= 0

VI = -3.5 V ，V

= 0

VI = -1.2 V ，V

= 0

VI = -8 V ，V

= 0

VI = -3.5 V ，V

= 0

通道温度

Rev.2.00 2005年9月7日第2页8

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS1

GSS2

GSS3

GSS4

输入电流（关闭）

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输出电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

过载停机操作时间

Note4

民

–7

—

–60

–16

—

–1.1

—

典型值

—

–0.8

–0.35

—

100

610

7.5

–1.0

200

3.7

最大

—

–10

—

–100

–50

–1

100

—

–250

–2.25

130

—

单位

测试条件

= –3.5 V, V

= –2 V

= –1.2 V, V

= –2 V

= -10毫安，V

= 0

= –100

= 0

= 100

= 0

= –8 V, V

= 0

= –3.5 V, V

= 0

= –1.2 V, V

= 0

= 2.4 V, V

= 0

= –8 V, V

= 0

= –3.5 V, V

= 0

= –50 V, V

= 0

= -1毫安，V

= –10 V

= -7.5 A，V

= –4 V

注3

= -7.5 A，V

= –10 V

= -7.5 A，V

= –10 V

= –10 V, V

= 0

F = 1 MHz的

= –7.5 A

= –5 V

= 4

= -15 A，V

= 0

= -15 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

= –5 V, V

= –12 V

= –5 V, V

= –24 V

注3

GS （ OP ） 1

GS （ OP ） 2

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

科斯

D（上）

D（关闭）

os1

os2

注： 3.脉冲测试

4.包括基于信道温度的升高时，下过载条件下操作时移。

Rev.2.00 2005年9月7日第3页8

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

主要特点

功率与温度降额

–500

–200

热关机

作业区

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

漏电流

–100

–50

–20

–10

–5

–2

–1

散热通道

离子

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

100

150

200

-0.5 TA = 25℃

–0.3

–0.3 –0.5 –1 –2

)

–5 –10 –20

–50 –100

外壳温度

TC （ ℃）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

–50

–10 V

–8 V

–6 V

–5 V

–20

典型的传输特性

(A)

–40

–16

TC = -25°C

25°C

75°C

–30

–12

漏电流

–20

–4 V

–3.5 V

= –3 V

脉冲测试

–2

–4

–6

–8

–10

–8

–10

–4

= –10 V

脉冲测试

–1

–2

–3

–4

–5

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

–2.0

脉冲测试

–1.6

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

0.5

脉冲测试

0.2

0.1

0.05

= –4 V

–10 V

–1.2

= –10 A

–0.8

–0.4

–5 A

–2 A

0.02

0.01

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–2

–4

–6

–8

–10

–5 –10 –20 –50

栅极至源极电压V

(V)

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4页8

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.20

= –10 A

0.16

= –4 V

–10 A

0.08

–10 V

脉冲测试

–40

120

160

–2, –5 A

–5 A

–2 A

= –10 V

脉冲测试

75°C

TC = -25°C

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.12

25°C

0.04

0.5

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–5 –10 –20 –50

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

500

100

200

100

开关特性

TD （关闭）

开关时间t（微秒）

TD （上）

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

–5 –10 –20 –50

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

0.5

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

= –5 V, V

= –30 V

PW = 300

税

≤

1 %

–5 –10 –20 –50

反向漏电流

(A)

漏电流

(A)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–20

典型的电容比。

漏源极电压

10000

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

–16

= –5 V

电容科斯（PF ）

3000

–12

1000

–8

–4

300

= 0

F = 1 MHz的

100

–10

–20

–30

–40

–50

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

源极到漏极电压

(V)

漏极至源极电压V

(V)

Rev.2.00 2005年9月7日第5页8

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

硅P沟道MOS场效应管系列

电源开关

ADE - 208-586 （ Z）

1日。版

1997年10月

特点

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。

此FET具有内置的过温停机电路中的栅极区。而这个电路

操作到关断的情况下高的结温的栅极电压一样施加过功率

消耗量，过电流等。

逻辑电平操作（ -4 -6 V门极驱动）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

LDPAK

栅极电阻

Tempe-

叉涂抹

Sencing

电路

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

1.门

2.漏

3.源

4.漏

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

符号

DSS

GSS +

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

–60

–16

–15

–30

–15

150

-55到+150

单位

°C

体漏二极管的反向漏电流I

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

典型的运行特性

项

输入电压

符号

输入电流

（栅非关闭）

IH1

IH2

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

IH(sd)1

IH(sd)2

民

–3.5

—

–3.5

典型值

—

–0.8

–0.35

175

—

最大

—

–1.2

–100

–50

–1

—

–13

单位

°C

VI = -8V ，V

= 0

VI = -3.5V ，V

= 0

VI = -1.2V ，V

= 0

VI = -8V ，V

= 0

VI = -3.5V ，V

= 0

通道温度

测试条件

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS +

（ BR ） GSS-

GSS+1

GSS+2

GSS+3

GSS

输入电流（关闭）

GS(op)1

零门voltege漏电流I

DSS

门源截止电压

GS （ OFF ）

民

–7

—

–60

–16

—

–1.1

—

典型值

—

–0.8

–0.35

—

100

最大

—

–10

—

–100

–50

–1

100

—

–250

–2.25

130

单位

测试条件

= –3.5V, V

= –2V

= –1.2V, V

= –2V

= -10mA ，V

= 0

= -100μA ，V

= 0

= 100μA ，V

= 0

= –8V, V

= 0

= –3.5V, V

= 0

= –1.2V, V

= 0

= 2.4V, V

= 0

= –8V, V

= 0

= –3.5V, V

= 0

= –50 V, V

= 0

= -1mA ，V

= –10V

= -7.5A ，V

= –4V

Note3

= –7.5A

= –10V

Note3

—

610

—

= -15A ，V

= 0

= -15A ，V

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

os1

os2

—

3.7

—

= –5V, V

= –12V

= –5V, V

= –24V

= -7.5A ，V

= –10V

Note3

= –10V , V

= 0

F = 1 MHz的

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

过载关机

工作时间

注意：

Note4

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输出电容

科斯

D（上）

D（关闭）

—

7.5

–1.0

—

= -7.5A ，V

= –5V

= 4

—

200

—

3.脉冲测试

4.包括的过载条件下的结温升高。

见HAF1001的特性曲线。

HAF1002 （L） HAF1002 （S）

包装尺寸

单位：mm

(1.4)

10.2 ± 0.3

4.44 ± 0.2

1.3 ± 0.2

11.3 ± 0.5

8.6 ± 0.3

10.0

+0.3

–0.5

(1.4)

10.2 ± 0.3

4.44 ± 0.2

1.3 ± 0.2

(1.5)

11.0 ± 0.5

(1.5)

0.76 ± 0.1

(1.5)

8.6 ± 0.3

10.0

+0.3

–0.5

1.2 ± 0.2

0.86

+0.2

–0.1

1.27 ± 0.2

2.59 ± 0.2

1.27 ± 0.2

0.4 ± 0.1

1.2 ± 0.2

2.54 ± 0.5

0.86

+0.2

–0.1

2.54 ± 0.5

3.0

+0.3

–0.5

0.1

+0.2

–0.1

2.59 ± 0.2

0.4 ± 0.1

2.54 ± 0.5

L型

S型

日立代码

EIAJ

JEDEC

LDPAK

—

注意事项

1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，

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收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，

使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

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人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

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产品。

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欧洲

： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg

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亚洲（台湾）

： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm

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日立欧洲公司

电子元件组。

Whitebrook公园

较低的Cookham路

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