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HA5340/883
1994年6月
高速,低失真,精密单片
采样保持放大器器
描述
在HA-八百八十三分之五千三百四十○结合了两种样品的优点/保持
架构来打造新一代单芯片样品/
按住。高振幅,高频率信号进行采样
具有极低的失真被引入。的组合
异常快速采集时间和特异性ED /特点
保持模式失真是一个行业网络首先。另外,交流
性能只是最低限度地影响更多的保持
电容。
为了达到这个水准的表现,一个企业的好处科幻TS
积分的输出级已合并的
的缓冲保持电容器的优点。对于用户,这
转换到前端阶段具有由于高带宽
充电只有一个小的容性负载和输出级与
恒定基底误差,可以使用偏移被置空出
调节引脚。由于额外的保持性能损失
电容是低的,设计者可以进一步减少基座
错误和下垂率没有的牺牲网络CING速度。
低失真,快速采集,以及低的下降率是
结果,使HA-八百八十三分之五千三百四明显高的选择
高速,高精度采样系统。
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
快速采集时间( 0.01 % ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900ns
抱紧模式建立时间( 0.01 % ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。为300ns
低失真(保持模式) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -72dBc (典型值)
(V
IN
= 200kHz的, FS = 450kHz的, 5V
P-P
)
带宽微创受外部C
H
全差分模拟输入
内置135pF电容保持
引脚兼容的HA -5320
应用
高带宽精密数据采集系统
惯性导航与制导系统
超声
声纳
雷达
引脚配置
HA-八百八十三分之五千三百四( CERDIP )
顶视图
订购信息
产品型号
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
14引脚CERDIP
20引脚陶瓷LCC
-INPUT 1
+ INPUT 2
OFFSET ADJ 3
OFFSET ADJ 4
V- 5
SIG GND 6
输出7
14 S / H控制
13电源GND
12 NC
11外部
持有帽
10 NC
9 V+
8 NC
HA1-5340/883
HA4-5340/883
工作原理图
OFFSET
调整
3
4
C
HOLD
(可选)
11
7
HA-八百八十三分之五千三百四( CLCC )
顶视图
NC
S / H
CNTL
供应
GND
1
2
14
9
+V
5
-V
13
供应
GND
6
*
C
HOLD
120pF
-IN
+ IN
C
COMP
15pF
7
OUT
+ IN
3
OFFSET ADJ
NC
OFFSET ADJ
NC
4
5
6
7
-IN
2
1 20 19
18 NC
17 NC
16 EXT 。 HOLD CAP 。
15 NC
14 NC
S / H
控制
V- 8
9 10 11 12 13
SIG
GND
产量
NC
NC
V+
注:缓冲区作为样本模式缓冲区,作为在保持封闭开关
模式。
信号
GND
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
7-8
规格编号
511117-883
网络文件编号
2452.1
特定网络阳离子HA5340 / 883
绝对最大额定值
在V +和V-端子电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24V
数字输入电压(S / H引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8V , -6V
输出电流,连续
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2000V
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 C / W
17
o
C / W
o
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 C / W
18
o
C / W
封装功耗为75
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5W
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5W
封装功耗降额因子以上75
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为15mW /
o
C
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为15mW /
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C
T
A
+125
o
C
工作电源电压( ±V
S
)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V
模拟输入电压
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V
逻辑低电平(V
IL
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至0.8V
逻辑高电平(V
IH
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V至5.0V
表1.直流ELECTICAL性能特点
测试设备在: V + = + 15V ; V- = -15V ; V
IL
= 0.8V (样本) ; V
IH
= 2.0V (保持) ;
H
=内部= 135pF ;信号GND = GND供应,
除非另有规定ED 。
A组
小组
1
2, 3
输入偏置电流
+I
B
1
2, 3
-I
B
1
2, 3
输入失调电流
I
IO
1
2, 3
开环电压增益
+A
VS
R
L
=为2kΩ ,C
L
= 60pF ,
V
OUT
= +10V
R
L
=为2kΩ ,C
L
= 60pF ,
V
OUT
= -10V
V+ = 5V, V- = -25V,
V
OUT
= -10V, V
S / H
= -9.2V
V+ = 25V, V- = -5V,
V
OUT
= +10V, V
S / H
= 10.8V
V
OUT
= +10V
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
-I
O
V
OUT
= -10V
1
2, 3
输出电压摆幅
+V
OP
R
L
=为2kΩ ,C
L
= 60pF
1
2, 3
-V
OP
R
L
=为2kΩ ,C
L
= 60pF
1
2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-1.5
-3
-350
-350
-350
-350
-350
-350
110
100
110
100
72
72
72
72
10
10
-10
-10
10
10
-
-
最大
1.5
3
350
350
350
350
350
350
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-10
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
参数
输入失调电压
符号
V
IO
条件
-A
VS
共模
抑制比
+ CMRR
-CMRR
输出电流
+I
O
注意:这些器件对静电放电敏感。正确的IC处理程序应遵循。
规格编号
511117-883
7-9
特定网络阳离子HA5340 / 883
表1.直流ELECTICAL性能特点
(续)
测试设备在: V + = + 15V ; V- = -15V ; V
IL
= 0.8V (样本) ; V
IH
= 2.0V (保持) ;
H
=内部= 135pF ;信号GND = GND供应,
除非另有规定ED 。
A组
小组
1
2, 3
-I
CC
V
OUT
= 0V时,我
OUT
= 0毫安
1
2, 3
电源抑制
+ PSRR
V+ = 13.5V, 16.5V
V- = -15V, -15V
V+ = +15V, +15V,
V- = -13.5V, -16.5V
V
IN
= 0V
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
I
INH
V
IN
= 5V
1
2, 3
数字输入电压
V
IL
1
2, 3
V
IH
1
2, 3
输出电压降
V
D
V
OUT
= 0V
2
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+125
o
C
-
-
-25
-25
75
75
75
75
-
-
-
-
-
-
2.0
2.0
-
最大
25
25
-
-
-
-
-
-
40
40
40
40
0.8
0.8
-
-
95
单位
mA
mA
mA
mA
dB
dB
dB
dB
A
A
A
A
V
V
V
V
μV / μs的
参数
电源电流
符号
+I
CC
条件
V
OUT
= 0V时,我
OUT
= 0毫安
-PSRR
数字输入电流
I
INL
表2.交流ELECTICAL性能特点
测试设备在: V + = + 15V ; V- = -15V ; V
IL
= 0.8V (样本) ; V
IH
= 2.0V (保持) ;
H
=内部= 135pF ; - 输入连接到输出,信号
GND =供应GND ,除非另有规定ED 。
A组
小组
4
4
5, 6
4
范围
温度
+25
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
-50
-
-
-
最大
50
50
50
50
单位
mV
ns
ns
ns
参数
保持步骤错误
上升时间&下降时间
符号
V
错误
T
R
条件
V
IL
= 0V, V
IH
= 4.0V,
t
上升
(V
S / H
) = 15ns的
C
L
= 60pF ,R
L
=为2kΩ ,A
V
= +1,
V
OUT
= 0V至+ 200mV的步骤
10 %,90%分
C
L
= 60pF ,R
L
= 2k,
A
V
= +1, V
OUT
= 0V至
-200mV步骤10 %,90%分
C
L
= 60pF ,R
L
= 2k,
A
V
= +1, V
OUT
= 0V至
+ 200mV的步骤
C
L
= 60pF ,R
L
= 2k,
A
V
= +1, V
OUT
= 0V
为-200mV步骤
C
L
= 60pF ,R
L
= 2k,
A
V
= +1, V
OUT
= 0V至+ 10V
步骤, 25 %,75%分
C
L
= 60pF ,R
L
= 2k,
A
V
= +1, V
OUT
= 0V至-10V
步骤, 25 %,75%分
T
F
+ OS
4
5, 6
4
5, 6
4
5, 6
4
5, 6
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
40
40
40
40
60
60
60
60
-
-
-
-
%
%
%
%
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
-OS
压摆率
SR +
-SR
注意:这些器件对静电放电敏感。正确的IC处理程序应遵循。
规格编号
511117-883
7-10
特定网络阳离子HA5340 / 883
表3.电气性能特性
范围
参数
HOLD模式穿心
样品模噪声
电压
HOLD模式噪声
电压
输入电容
输入阻抗
0.1 %采集时间
符号
V
HMF
E
N(样本)
条件
V
IN
= 20V
P-P
,在200kHz
DC至10MHz ,V
S / H
= 0V,
R
负载
= 2K
DC至10MHz ,V
S / H
= 5V,
R
负载
= 2K
V
S / H
= 0V
V
S / H
= 0V ,台达V
IN
= 20V
C
L
= 60pF ,R
L
= 2K ,V
OUT
= 0V
至10V步骤
F
S
= 450kHz的,
V
IN
= 20V
P-P
,在200kHz
F
S
= 450kHz的,
V
IN
= 5V
P-P
, 500kHz的
V
IN
= 20V
P-P
,在200kHz
V
IN
= 5V
P-P
, 500kHz的
笔记
1
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
-
最大
-70
335
单位
dB
V
RMS
V
RMS
E
N( HOLD )
1
+25
o
C
-
100
C
IN
R
IN
T
ACQ
0.1%
1
1
1
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
1
-
5
-
600
pF
M
ns
总谐波
失真保持模式
THD
200K(HOLD)
1
+25
o
C
-
-50
dBc的
THD
500K(HOLD)
1
+25
o
C
-
-47
dBc的
总谐波
失真采样模式
THD
200K(SAMPLE)
THD
500K(SAMPLE)
1
1
+25
o
C
+25
o
C
-
-
-60
-49
dBc的
dBc的
注意:
1.在此表中列出的参数是通过设计或工艺参数控制的,并且不直接测试。这些参数是
其特征在初始设计发布,一经设计变更会影响这些特性。
表4.电气试验要求
MIL -STD- 883测试要求
临时电气参数(预烧机)
最终电参数测试仪
A组的测试要求
C和D组端点
注意:
1. PDA仅适用于亚组1 。没有其他的子组中包括的PDA。
亚组(见表1和表2 )
-
1 (注1),2 ,3,4 ,5,6
1, 2, 3, 4, 5, 6
1
注意:这些器件对静电放电敏感。正确的IC处理程序应遵循。
规格编号
511117-883
7-11
HA-5340/883
模具特点
DIE尺寸:
84 X 139 X 19mils
金属化:
牌号的Al , 1 %的Cu
厚度: 16K
±
2k
玻璃钝化:
类型:氮化物(硅
3
N
4
)在二氧化硅层(SIO
2
,5% PHOS )
二氧化硅层厚度: 12K
±
2.0k
氮化物厚度: 3.5K
±
1.5k
模具附件:
材质:金硅共晶合金
温度:陶瓷DIP - 460
o
C(最大值)
陶瓷LCC - 420
o
C(最大值)
最坏情况下的电流密度:
5.33 x 10
4
A /厘米
2
金属掩模布局
HA-5340/883
供应( 13 )
GND
S / H ( 14 )
控制
-IN (1)
(9) +V
供应
(7 )输出
(7 )输出
+ IN (2)
( 6 ) SIG GND
ADJ OFFSET ( 3 )
ADJ OFFSET ( 4 )
( 11 )外部
持有帽
-V
供应
(5)
规格编号
7-12
511117-883
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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