HA-5114/883
1994年7月
四，低噪音，高性能
未补偿运算放大器连接器
描述
低噪音和高性能是描述关键词
四，无偿HA- 883分之5114 。这一般用途
造成扩增fi er提供的动态连接特定的阳离子的数组
包括12V / μs压摆率（分钟） ，和40MHz的增益频带 -
宽度的产品对于A
VCL
≥
10.补充这些未偿
荷兰国际集团参数6nV / √Hz的极低噪音特定网络阳离子
在1kHz （最大值）。
采用Intersil的标准高频DI制作
过程中，这些运算放大器连接器还提供卓越的
输入特定网络连接的阳离子如2.5mV的（最大）的偏移电压和
75nA （最大值）失调电流。除了这些特定连接的钙
系统蒸发散是100分贝（分）开环增益为55dB通道
分离（分钟）。在经济上， HA-八百八十三分之五千一百一十四也CON-
sumes一个非常温和的电量（为225mW /包） ，
同时还节省了电路板空间和成本。
这令人印象深刻的特点相结合，使该扩增fi er
非常适合设计，从音频放大器器和
积极滤池最苛刻的信号调理和
仪表电路。
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
低输入噪声电压密度在1kHz 。 。 。 6nV / √Hz的（最大）
4.3nV / √Hz的（典型值）
高转换率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V / μs的（最小）
20V / μs（典型值）
宽增益带宽积（A
VCL
≥
10）。 。 。为40MHz （典型值）
高开环增益（全温） 。 。 。 。 。为100kV / V（最小值）
250KV / V（典型值）
高共模抑制比， PSRR （全温） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86分贝（最小值）
100分贝（典型值）
低失调电压漂移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3μV /
o
C（典型值）
无交越失真
标准四引脚
应用
高品质音频前置放大器连接器
高Q值有源滤波器
低噪声函数发生器
低失真振荡器
低噪声比较
订购信息
部分
数
HA1-5114/883
HA4-5114/883
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
包
14引脚CERDIP
20引脚陶瓷LCC
引脚配置
HA-5114/883
（ CERDIP ）
顶视图
-IN1
HA-5114/883
（ CLCC ）
顶视图
出1
出4
-IN4
18 + IN4
+ -
1
- +
4
17 NC
16 V-
2
+ -
9
-IN2
3
- +
15 NC
14 + IN3
10 11 12 13
输出2
OUT 3
-IN3
NC
NC
1
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
1
2
3
4
5
6
7
+
-
-
1
+
-
4+
14个4
13 -IN4
+IN1
12 + IN4
11 V-
10 + IN3
9
8
-IN3
OUT 3
NC
V+
NC
+IN2
4
5
6
7
8
3
2
20 19
+2
-
3
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3-124
511015-883
网络文件编号
3712
特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千一百十四
绝对最大额定值
在V +和V-端子电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V
电压在任一输入端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V +至V-
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
（一放大器器接地短路）
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2000V
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
o
C / W
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
o
C / W
15
o
C / W
o
C
封装功耗为75极限
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.33W
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.54W
封装功耗降额因子以上75
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3mW /
o
C
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.4mW /
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
工作电源电压
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±5V
to
±15V
V
INCM
≤
1/2 (V+ - V-)
R
L
≥
2k
表1. DC电性能等特点
测试设备在： V
供应
=
±15V,
R
来源
= 100, R
负载
= 500kΩ的，V
OUT
= 0V ，除非另有规定ED 。
A组
亚
1
2, 3
输入偏置电流
+I
B
V
CM
= 0V ， + R
S
= 10k,
-R
S
= 100
V
CM
= 0V ， + R
S
= 100,
-R
S
= 10k
V
CM
= 0V,
+R
S
= 10k,
-R
S
= 10k
V+ = +3V, V- = -27V
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
-CMR
V+ = +27V, V- = -3V
1
2, 3
大信号电压
收益
+A
VOL
V
OUT
= 0V至+ 10V ，
R
L
= 2k
V
OUT
= 0V和-10V ，
R
L
= 2k
V
CM
= +5V,
V+ = +10V, V- = -20V,
V
OUT
= -5V
V
CM
= -5V,
V+ = +20V, V- = -10V,
V
OUT
= +5V
4
5, 6
4
5, 6
1
2, 3
1
2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
民
-2.5
-3.0
-200
-325
-200
-325
-75
-125
+12
+12
-
-
100
100
100
100
86
86
86
86
最大
2.5
3.0
200
325
200
325
75
125
-
-
-12
-12
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
千伏/ V
千伏/ V
千伏/ V
千伏/ V
dB
dB
dB
dB
参数
输入失调电压
符号
V
IO
条件
V
CM
= 0V
-I
B
输入失调电流
I
IO
共模范围
+ CMR
-A
VOL
共模
抑制比
+ CMRR
-CMRR
规格编号
3-125
511015-883
特定网络阳离子HA-八百八十三分之五千一百十四
表3.电气性能特性（续）
装置，其特征为： V
供应
=
±15V,
R
负载
=为2kΩ ，C
负载
= 50pF的，A
VCL
= 10V / V ，除非另有规定ED 。
范围
参数
压摆率
符号
SR +
-SR
全功率带宽
最小闭环
稳定的增益
上升和下降时间
FPBW
CLSG
t
R
t
F
冲
+ OS
-OS
输出电阻
静态功耗
消费
声道分离
R
OUT
PC
CS
条件
V
OUT
= -5V到+ 5V
V
OUT
= + 5V至-5V
V
PEAK
= 10V
R
L
=为2kΩ ，C
L
= 50pF的
V
OUT
= 0V至+ 200mV的
V
OUT
= 0V至-200mV
V
OUT
= 0V至+ 200mV的
V
OUT
= 0V至-200mV
开环
V
OUT
= 0V时，我
OUT
= 0毫安
R
S
= 1k,
A
VCL
= 100V/V,
V
IN
= 100mV的
PEAK
at
10kHz的简称
输入
笔记
1
1
1, 2
1
1, 4
1, 4
1
1
1
1, 3
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
民
12
12
191
10
-
-
-
-
-
-
55
最大
-
-
-
-
100
100
40
40
270
225
-
单位
V / μs的
V / μs的
千赫
V/V
ns
ns
%
%
mW
dB
注意事项：
在表3中列出的参数1.通过设计或工艺参数控制的，并且不以网络连接纳尔生产直接测试。这些参
ETERS有实验室特征在初始设计发布，或根据设计变更。这些参数由特性保证
根据来自多个生产运行它重新FL ECT很多很多，很多变化中的数据。
2.根据使用FPBW =转换速率/压摆率测量全功率带宽保证（ 2πV
PEAK
).
3.基于静态电源电流测试的最大静态功耗。 （没有对输出负载）。
4.测量介于10％和90 ％的点。
表4.电气试验要求
MIL -STD- 883测试要求
临时电气参数（预烧机）
最终电参数测试仪
A组的测试要求
C和D组端点
注意：
1. PDA仅适用于亚组1 。
亚组（见表1）
1
1 （注1），2 ，3，4 ，5，6
1, 2, 3, 4, 5, 6
1
规格编号
3-127
511015-883
HA-5114/883
模具特点
DIE尺寸：
99.6 X 95.3 X 19密耳
±
1密尔
2530 X 2420 X 483μm
±
25.4m
金属化：
牌号的Al ， 1 ％的Cu
厚度： 16K
±
2k
玻璃钝化：
类型：氮化物（ SI3N4 ）在二氧化硅层（ SIO2 ， 5 ％磷酸）。
二氧化硅层厚度： 12KA
±
2k
氮化物厚度： 3.5k
±
1.5k
最坏情况下的电流密度：
1.43 x 10
5
A /厘米
2
在10毫安
衬底电位（电） ：
持平
晶体管数量：
175
过程：
双极电介质隔离
金属掩模布局
HA-5114/883
+IN2
V+
+IN1
-IN2
-IN1
OUT2
OUT1
OUT3
OUT4
-IN3
-IN4
+IN3
V-
+IN4
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确的
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
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http://www.intersil.com
规格编号
3-128
511015-883
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