HA-5104/883
1994年7月
低噪音,高性能,
四通道运算放大器器
描述
低噪音和高性能是描述关键词
单位增益稳定的HA-八百八十三分之五千一百〇四。这种通用
四扩增fi er提供的动态连接特定的阳离子的数组
包括1V / μs压摆率(分钟) ,和8MHz的带宽(典型值) 。
除了这些出色的参数是非常低的
4.3nV / √Hz的在1kHz时(典型值) ,或6nV / √Hz的噪声特定网络阳离子
(最大值)。
采用Intersil的标准高频DI制作
过程中,这些运算放大器连接器还提供卓越的
输入特定网络连接的阳离子如2.5mV的(最大)的偏移电压和
75nA (最大值)失调电流。除了这些特定连接的钙
系统蒸发散是100分贝(分)开环增益为55dB通道
分离(分钟)。在经济上, HA- 883分之5104也CON-
每个封装sumes力量是很少量(为225mW
年龄),同时还节省了电路板空间和成本。
这令人印象深刻的特点相结合,使该扩增fi er
非常适合设计,从音频放大器器和
积极滤池最苛刻的信号调理和
仪表电路。
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
低输入噪声电压密度在1kHz 。 。 6nV / √Hz的(最大)
4.3nV / √Hz的(典型值)
压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1V / μs的(最小)
3V / μs(典型值)
单位增益带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为8MHz (典型值)
高开环增益(全温) 。 。 。 。 。为100kV / V(最小值)
250KV / V(典型值)
高共模抑制比, PSRR (全温) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86分贝(最小值)
100分贝(典型值)
低失调电压漂移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3μV /
o
C(典型值)
无交越失真
标准四引脚
应用
高Q值有源滤波器
音频放大器器
集成
信号发生器
仪表放大器器
订购信息
部分
数
HA1-5104/883
HA4-5104/883
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
包
14引脚CERDIP
20引脚陶瓷LCC
引脚配置
HA-5104/883
( CERDIP )
顶视图
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
1
2
3
4
5
6
7
+2
-
-1
+
4-
+
14个4
13 -IN4
12 + IN4
11 V-
3+
-
10 + IN3
9
8
-IN3
OUT 3
+IN1
NC
V+
NC
+IN2
4
5
6
7
8
9
-IN2
10 11 12 13
NC
输出2
OUT 3
-IN3
2
+ -
3
- +
+ -
1
- +
4
HA-5104/883
( CLCC )
顶视图
出1
-IN1
出4
NC
-IN4
18 + IN4
17 NC
16 V-
15 NC
14 + IN3
3
2
1
20 19
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
3-114
511014-883
网络文件编号
3710
特定网络阳离子HA5104 / 883
绝对最大额定值
在V +和V-端子电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V
电压在任一输入端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V +至V-
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
(一放大器器接地短路)
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2000V
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
20
o
C / W
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
o
C / W
15
o
C / W
o
对于T
≤
+175
o
C
封装功耗为75极限
J
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.33W
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.54W
封装功耗降额因子以上75
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3mW /
o
C
陶瓷LCC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.4mW /
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
工作电源电压
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±5V
to
±15V
V
INCM
≤
1/2 (V+ - V-)
R
L
≥
2k
表1. DC电性能等特点
测试设备在: V
供应
=
±15V,
R
来源
= 100, R
负载
= 500kΩ的,V
OUT
= 0V ,除非另有规定ED 。
A组
亚
1
2, 3
输入偏置电流
+I
B
V
CM
= 0V,
+R
S
= 10k,
-R
S
= 100
V
CM
= 0V,
+R
S
= 100,
-R
S
= 10k
V
CM
= 0V,
+R
S
= 10k,
-R
S
= 10k
V+ = +3V, V- = -27V
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
-CMR
V+ = +27V, V- = -3V
1
2, 3
大信号电压
收益
+A
VOL
V
OUT
= 0V至+ 10V ,
R
L
= 2k
V
OUT
= 0V和-10V ,
R
L
= 2k
V
CM
= +5V,
V+ = +10V, V- = -20V,
V
OUT
= -5V
V
CM
= -5V,
V+ = +20V, V- = -10V,
V
OUT
= +5V
4
5, 6
4
5, 6
1
2, 3
1
2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
民
-2.5
-3.0
-200
-325
-200
-325
-75
-125
+12
+12
-
-
100
100
100
100
86
86
86
86
最大
2.5
3.0
200
325
200
325
75
125
-
-
-12
-12
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
千伏/ V
千伏/ V
千伏/ V
千伏/ V
dB
dB
dB
dB
参数
输入失调电压
符号
V
IO
条件
V
CM
= 0V
-I
B
输入失调电流
I
IO
共模范围
+ CMR
-A
VOL
共模
抑制比
+ CMRR
-CMRR
规格编号
3-115
511014-883
特定网络阳离子HA5104 / 883
表3.电气性能特性
装置,其特征为: V
供应
=
±15V,
R
负载
=为2kΩ ,C
负载
= 50pF的,A
VCL
= 1V / V ,除非另有规定ED 。
范围
参数
差分输入
阻力
输入噪声电压
密度
输入噪声电流
密度
全功率
带宽
最小闭环
稳定的增益
输出电阻
静态功耗
消费
声道分离
符号
R
IN
E
N
I
N
FPBW
CLSG
R
OUT
PC
CS
条件
V
CM
= 0V
R
S
= 20,
f
O
= 1000Hz的
R
S
= 2M,
f
O
= 1000Hz的
V
PEAK
= 10V
R
L
=为2kΩ ,C
L
= 50pF的
开环
V
OUT
= 0V时,我
OUT
= 0毫安
R
S
= 1k,
A
VCL
= 100V/V,
V
IN
= 100mV的
PEAK
at
10kHz的简称
输入
笔记
1
1
1
1, 2
1
1
1, 3
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
民
250
-
-
32
+1
-
-
55
最大
-
6
3
-
-
270
225
-
单位
k
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
千赫
V/V
mW
dB
注意事项:
在表3中列出的参数1.通过设计或工艺参数控制的,并且不以网络连接纳尔生产直接测试。这些参
ETERS有实验室特征在初始设计发布,或根据设计变更。这些参数由特性保证
根据来自多个生产运行它重新FL ECT很多很多,很多变化中的数据。
2.根据使用FPBW =转换速率/压摆率测量全功率带宽保证( 2πV
PEAK
).
3.基于静态电源电流测试的最大静态功耗。 (没有对输出负载)。
表4.电气试验要求
MIL -STD- 883测试要求
临时电气参数(预烧机)
最终电参数测试仪
A组的测试要求
C和D组端点
注意:
1. PDA仅适用于亚组1 。
亚组(见表1和表2 )
1
1 (注1),2 ,3,4 ,5,6
1, 2, 3, 4, 5, 6
1
规格编号
3-117
511014-883
HA5104/883
模具特点
DIE尺寸:
95 X 99 X 19密耳
±
1密尔
2420 X 2530 X 483μm
±
25.4m
金属化:
牌号的Al , 1 %的Cu
厚度: 16K
±
2k
玻璃钝化:
类型:氮化物( SI3N4 )在二氧化硅层( SIO2 , 5 %磷酸)。
二氧化硅层厚度: 12K
±
2k
氮化物厚度: 3.5K
±
1.5k
最坏情况下的电流密度:
1.43 x 10
5
A /厘米
2
衬底电位(电) :
持平
晶体管数量:
175
过程:
双极电介质隔离
金属掩模布局
HA5104/883
+IN2
V+
+IN1
-IN2
-IN1
OUT2
OUT3
OUT1
OUT4
-IN3
-IN4
+IN3
V-
+IN4
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
通知。因此,告诫读者,以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确的
可靠。然而,承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息,请参阅网站
http://www.intersil.com
规格编号
3-118
511014-883
HA-5104/883
低噪音,高性能,
四通道运算放大器器
描述
低噪音和高性能是描述关键词
单位增益稳定的HA-八百八十三分之五千一百〇四。这种通用
四扩增fi er提供的动态连接特定的阳离子的数组
包括1V / μs压摆率(分钟) ,和8MHz的带宽(典型值) 。
除了这些出色的参数是非常低的
4.3nV / √Hz的在1kHz时(典型值) ,或6nV / √Hz的噪声特定网络阳离子
(最大值)。
采用Intersil的标准高频DI制作
过程中,这些运算放大器也提供出色的
输入规格,如为2.5mV (最大值)的失调电压和
75nA (最大值)失调电流。除了这些规范
系统蒸发散是100分贝(分)开环增益为55dB通道sep-
aration (分钟)。在经济上, HA- 883分之5104也
消耗功率是很少量(为225mW元
包),同时还节省了电路板空间和成本。
这令人印象深刻的特点相结合,使该扩增fi er
非常适合设计,从音频放大器器和
积极滤池最苛刻的信号调理和
仪表电路。
2002年4月
特点
该电路耗时要按照MIL -STD-
883是完全符合根据的规定
第1.2.1 。
低输入噪声电压密度在1kHz 。 6nV / √Hz的(最大)
4.3nV / √Hz的(典型值)
压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1V /微秒(最小值)
3V / μs(典型值)
单位增益带宽。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为8MHz (典型值)
高开环增益(全温) 。 。 。 。 。为100kV / V(最小值)
250KV / V(典型值)
高共模抑制比, PSRR (全温) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86分贝(最小值)
100dB
(典型值)
低失调电压漂移。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3μV /
o
C(典型值)
无交越失真
标准四引脚
应用
高Q值有源滤波器
音频放大器
集成
信号发生器
仪表放大器
订购信息
部分
数
HA1-5104/883
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
包
14引脚CERDIP
引脚
HA-5104/883
( CERDIP )
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
+2
-
-1
+
4-
+
14个4
13 -IN4
12 + IN4
11 V-
+
3-
10 + IN3
9
8
-IN3
OUT 3
出1
-IN1
+IN1
V+
+IN2
-IN2
输出2
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
规格编号
1
511014-883
FN3710.1
HA5104/883
绝对最大额定值
在V +和V-端子电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V
电压在任一输入端。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V +至V-
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
(一个放大器对地短路)
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175
o
C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <2000V
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
热信息
热阻
θ
JA
θ
JC
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
75
o
C / W
20
o
C / W
封装功耗为75极限
o
对于T
J
≤
+175
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.33W
封装功耗降额因子以上75
o
C
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.3mW /
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个低的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介
TB379了解详细信息。
工作条件
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+ 125
o
C
工作电源电压
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±5V
to
±15V
V
INCM
≤
1/2 (V+ - V-)
R
L
≥
2k
表1. DC电性能等特点
测试设备在: V
供应
=
±15V,
R
来源
= 100, R
负载
= 500kΩ的,V
OUT
= 0V ,除非另有说明。
A组
亚
1
2, 3
输入偏置电流
+I
B
V
CM
= 0V,
+R
S
= 10k,
-R
S
= 100
V
CM
= 0V,
+R
S
= 100,
-R
S
= 10k
V
CM
= 0V,
+R
S
= 10k,
-R
S
= 10k
V+ = +3V, V- = -27V
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
-CMR
V+ = +27V, V- = -3V
1
2, 3
大信号电压
收益
+A
VOL
V
OUT
= 0V至+ 10V ,
R
L
= 2k
V
OUT
= 0V和-10V ,
R
L
= 2k
V
CM
= +5V,
V+ = +10V, V- = -20V,
V
OUT
= -5V
V
CM
= -5V,
V+ = +20V, V- = -10V,
V
OUT
= +5V
4
5, 6
4
5, 6
1
2, 3
1
2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
民
-2.5
-3.0
-200
-325
-200
-325
-75
-125
+12
+12
-
-
100
100
100
100
86
86
86
86
最大
2.5
3.0
200
325
200
325
75
125
-
-
-12
-12
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mV
mV
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
千伏/ V
千伏/ V
千伏/ V
千伏/ V
dB
dB
dB
dB
参数
输入失调电压
符号
V
IO
条件
V
CM
= 0V
-I
B
输入失调电流
I
IO
共模范围
+ CMR
-A
VOL
共模
抑制比
+ CMRR
-CMRR
规格编号
2
511014-883
HA5104/883
表3.电气性能特性
装置,其特征为: V
供应
=
±15V,
R
负载
=为2kΩ ,C
负载
= 50pF的,A
VCL
= 1V / V ,除非另有规定ED 。
范围
参数
差分输入
阻力
输入噪声电压
密度
输入噪声电流
密度
全功率
带宽
最小闭环
稳定的增益
输出电阻
静态功耗
消费
声道分离
符号
R
IN
E
N
I
N
FPBW
CLSG
R
OUT
PC
CS
条件
V
CM
= 0V
R
S
= 20,
f
O
= 1000Hz的
R
S
= 2M,
f
O
= 1000Hz的
V
PEAK
= 10V
R
L
=为2kΩ ,C
L
= 50pF的
开环
V
OUT
= 0V时,我
OUT
=
0mA
R
S
= 1k,
A
VCL
= 100V/V,
V
IN
= 100mV的
PEAK
at
10kHz的简称
输入
笔记
1
1
1
1, 2
1
1
1, 3
1
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
民
250
-
-
32
+1
-
-
55
最大
-
6
3
-
-
270
225
-
单位
k
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
千赫
V/V
mW
dB
注意事项:
在表3中列出的参数1.通过设计或工艺参数控制的,并且不以最终生产直接测试。这些纸张
rameters有实验室特征在初始设计发布,或根据设计变更。这些参数由标定特性保证
根据来自多个生产运行,反映很多很多,很多变化中的数据化。
2.根据使用FPBW =转换速率/压摆率测量全功率带宽保证( 2πV
PEAK
).
3.基于静态电源电流测试的最大静态功耗。 (没有对输出负载)。
表4.电气试验要求
MIL -STD- 883测试要求
临时电气参数(预烧机)
最终电参数测试仪
A组的测试要求
C和D组端点
注意:
1. PDA仅适用于亚组1 。
亚组(见表1和表2 )
1
1 (注1),2 ,3,4 ,5,6
1, 2, 3, 4, 5, 6
1
规格编号
4
511014-883
HA5104/883
模具特点
DIE尺寸:
95 X 99 X 19密耳
±
1密尔
2420 X 2530 X 483μm
±
25.4m
金属化:
牌号的Al , 1 %的Cu
厚度: 16K
±
2k
玻璃钝化:
类型:氮化物( SI3N4 )在二氧化硅层( SIO2 , 5 %磷酸)。
二氧化硅层厚度: 12K
±
2k
氮化物厚度: 3.5K
±
1.5k
最坏情况下的电流密度:
1.43 x 10
5
A /厘米
2
衬底电位(电) :
持平
晶体管数量:
175
过程:
双极电介质隔离
金属掩模布局
HA5104/883
+IN2
V+
+IN1
-IN2
-IN1
OUT2
OUT3
OUT1
OUT4
-IN3
-IN4
+IN3
V-
+IN4
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规格编号
5
511014-883