汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
对应½外型号
KSA928A
H928S
█ 主要用途
½音频放大。
█ 外½图及引脚排列
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………750mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………-30V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………-30V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-5V
I
C
——集电极电流………………………………………
-2A
TO-92
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基
极，B
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 ½
测
试
条
件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
COB
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
-30
-30
-5
-100
-100
320
-2
-1
120
48
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
100
I
C
=-100μA，I
E
=0
I
C
=-10mA，I
B
=0
I
E
=-1mA，I
C
=0
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
I
C
= -1.5A ，我
B
=-30mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0，F = 1MHz的
█ 分档及其标志
O
100—200
Y
160—320
汕头华汕电子器件有限公司
PNP
硅
晶体管
对应½外型号
KSA928A
H928S
█ 主要用途
½音频放大。
█ 外½图及引脚排列
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
英镑
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………750mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………-30V
V
首席执行官
——集电极—发射极电压……………………………-30V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-5V
I
C
——集电极电流………………………………………
-2A
TO-92
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基
极，B
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 ½
测
试
条
件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
COB
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极导通电压
特征频率
共基极输出电容
-30
-30
-5
-100
-100
320
-2
-1
120
48
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
100
I
C
=-100μA，I
E
=0
I
C
=-10mA，I
B
=0
I
E
=-1mA，I
C
=0
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
I
C
= -1.5A ，我
B
=-30mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CB
=-10V,I
E
= 0，F = 1MHz的
█ 分档及其标志
O
100—200
Y
160—320
P N P S I L I C 0 NT· RAN S I S T
汕头华汕电子器件有限公司。
H928S
█
音频功率AMPLFIER应用
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………-750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-30V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-2A
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
TO-92
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
COB
-30
-30
5
-100
-100
100
320
-2
-1
120
48
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
E
=-1mA，I
C
=0
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
I
C
= -1.5mA ，我
B
=-30mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CE
= -2V ，我
C
=-500mA
V
CB
= -10V ，我
E
=0，
F=1MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
集电极 - 基极电容
█
h
FE
分类
O
100—200
Y
160—320
QQ：2880707522 复制
