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PN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
AM / FM放大器,本地振荡器
作者: FM / VHF调谐器
H9018
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………15V
V
E B
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
50mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
UNI
t
 
测试条件
 
I
CBO
H
FE
 
V
CE ( SAT )
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
COB
f
T
 
54 
 
30 
15 
5 
 
700 
 
 
 
 
 
 
1.3 
 
0.05  μA 
198 
0.5 
 
 
 
1.7 
 
 
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
CB
=12V, I
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA 
输出电容
电流增益带宽积
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA 
V 
V 
I
C
= 100μA ,我
E
=0
V 
I
C
= 1mA时,我
B
=0 
V 
I
E
=100μA,I
C
=0
½F 
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
MH½ 
V
CE
= 5V ,我
C
=5mA
h
FE
分类
F
G
 
   72—108  
 
H
    97—146 
I
      132—198 
 
 
   54—80   
汕头华汕电子器件有限公司。
 
H9018
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应用
AM / FM放大器,本地振荡器
作者: FM / VHF调谐器
H9018
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………15V
V
E B
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
50mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
UNI
t
 
测试条件
 
I
CBO
H
FE
 
V
CE ( SAT )
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
COB
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T
 
54 
 
30 
15 
5 
 
700 
 
 
 
 
 
 
1.3 
 
0.05  μA 
198 
0.5 
 
 
 
1.7 
 
 
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
CB
=12V, I
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA 
输出电容
电流增益带宽积
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA 
V 
V 
I
C
= 100μA ,我
E
=0
V 
I
C
= 1mA时,我
B
=0 
V 
I
E
=100μA,I
C
=0
½F 
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
MH½ 
V
CE
= 5V ,我
C
=5mA
h
FE
分类
F
G
 
   72—108  
 
H
    97—146 
I
      132—198 
 
 
   54—80   
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英镑
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..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………15V
V
E B
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
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TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
UNI
t
 
测试条件
 
I
CBO
H
FE
 
V
CE ( SAT )
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
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T
 
54 
 
30 
15 
5 
 
700 
 
 
 
 
 
 
1.3 
 
0.05  μA 
198 
0.5 
 
 
 
1.7 
 
 
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
CB
=12V, I
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA 
输出电容
电流增益带宽积
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA 
V 
V 
I
C
= 100μA ,我
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=0
V 
I
C
= 1mA时,我
B
=0 
V 
I
E
=100μA,I
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=0
½F 
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
MH½ 
V
CE
= 5V ,我
C
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F
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
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联系人:何小姐
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