H7P0601DL ， H7P0601DS
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
REJ03G0044-0100Z
Rev.1.00
Aug.05.2003
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 40毫欧（典型值） 。
低驱动电流
4.5 V门极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
DPAK-2
D
4
DPAK -S
4
G
1 2
S
1 2
3
3
H7P0601DS
H7P0601DL
1.门
2.漏
3.源
4.漏
Rev.1.00 ， Aug.05.2003 ，页10 1
H7P0601DL ， H7P0601DS
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
总胆固醇
TSTG
Note2
等级
–60
±20
–20
–80
–20
–12
12.3
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
Rev.1.00 ， Aug.05.2003 ， 10个2页
H7P0601DL ， H7P0601DS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
符号最小值
V
（ BR ） DSS
–60
典型值
—
—
—
—
—
40
60
12
2200
220
130
37
6.5
8
25
85
70
15
0.95
30
最大
—
—
±10
–10
–2.5
50
85
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -20 A，V
GS
= 0
I
F
= -20 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
V
GS
= -10 V，I
D
= –10 A
R
L
= 3.0
RG = 4.7
V
DD
= –25 V
V
GS
= –10 V
I
D
= –20 A
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -10 A，V
GS
= –10 V
Note1
I
D
= -5 A ，V
GS
= –4.5 V
Note1
I
D
= -10 A，V
DS
= –10 V
Note1
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
±20
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
—
—
–1.0
—
—
7.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
体漏二极管的反向恢复吨
rr
时间
注意：
1.脉冲测试
Rev.1.00 ， Aug.05.2003 ， 10 3页
H7P0601DL ， H7P0601DS
主要特点
功率与温度降额
50
P沟（W）的
100
30
漏电流I
D
(A)
最高安全工作区
10
10
0
s
s
PW
1m
=
DC
10
ms
s
（T欧普
(1
C = E
s
25比
热）
°
为C n
)
40
30
10
3
1
散热通道
20
10
0.3
由R有限公司
DS （ ON）
0.1
在这一领域
0.03
0
25
50
75
100
125
150
TA = 25°C
0.01
3
0.1 0.3
1
10 30 100
漏极至源极电压V
DS
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
50
40
30
20
10
典型的输出特性
10
V
脉冲测试
8
V
6
V
漏电流I
D
(A)
50
40
30
20
10
典型的传输特性
V
DS
= -10 V
脉冲测试
TC = -75℃
75°C
25°C
漏电流I
D
(A)
5
V
4
V
V
GS
=
2
V
3
V
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
4
6
8
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
Rev.1.00 ， Aug.05.2003 ， 10第4页
H7P0601DL ， H7P0601DS
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
I
D
=
10
A
5
A
2
A
12
4
8
栅极至源极电压
16
V
GS
(V)
20
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
1
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
脉冲测试
0.5
V
GS
=
4.5
V
0.2
0.1
0.05
10
V
0.02
0.01
1
2
5 10 20
50 100
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.16
脉冲测试
0.12
2
A,
5
A
I
D
=
10
A
0.08
V
GS
=
4.5
V
I
D
=
10
A
V
GS
=
10
V
0
50
0
50
外壳温度
2
A,
5
A
100
TC （ ℃）
150
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
30
10
25°C
3
75°C
1
0.3
0.1
0.1
V
DS
=
10
V
脉冲测试
TC =
25°C
0.04
0.3
1
3
10
30
100
漏电流I
D
(A)
Rev.1.00 ， Aug.05.2003 ， 10个5页
QQ：2880707522 复制
