H7N0607DL ， H7N0607DS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0124-0300
Rev.3.00
Jan.27.2005
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 26毫欧（典型值） 。
低驱动电流。
能够4.5 V门极驱动
概要
PRSS0004ZD-B
PRSS0004ZD-C
（以前的代码： DPAK （ L） -2 ） （以前的代码： DPAK- （ S） ）
D
4
4
G
1 2
S
1 2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
H7N0607DS
H7N0607DL
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2. TC = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
Note1
I
DR
Note3
I
AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
等级
60
±20
20
80
20
8
5.48
25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mj
W
°C
°C
Rev.3.00 ， Jan.27.2005 ，页8 1
H7N0607DL ， H7N0607DS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输导纳
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
打开-O FF延迟时间
上升时间
体漏二极管的正向电压
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
60
±20
—
—
1.5
—
—
11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
26
40
18
1100
160
90
21
4
5
20
90
65
15
0.93
25
最大
—
—
±10
10
2.5
34
56
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 10 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 10 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
R
L
= 3.0
RG = 4.7
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A /
s
Rev.3.00 ， Jan.27.2005 ， 8个2页
H7N0607DL ， H7N0607DS
主要特点
功率与温度降额
50
P沟（W）的
最高安全工作区
100
30
漏电流I
D
(A)
PW
D
C
O
pe
10
=
10
m
40
30
1m
s(
1
0
10
s
s
10
3
1
0.3
0.1
0.03
s
ot
)
ra
散热通道
TIO
sh
n
(T
c
=
20
10
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
25
°
C
)
0
50
100
外壳温度
150
TC （ ℃）
200
0.01 TA = 25℃
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
50
漏电流I
D
(A)
典型的传输特性
50
漏电流I
D
(A)
V
GS
= 10 V
6.0 V
脉冲测试
5.0 V
4.5 V
4V
3.5 V
V
DS
= 10 V
脉冲测试
40
TC = -40°C
25°C
30
150°C
40
30
20
20
10
2V
0
2
4
6
8
10
10
0
2
4
6
8
V
GS
(V)
10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
0.5
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1000
脉冲测试
300
100
V
GS
= 4.5 V
30
10 V
10
3
1
0.1
0.4
漏源极电压
0.3
I
D
= 10 A
0.2
5A
0.1
2A
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
V
GS
20
(V)
1
0.3
3
漏电流
10
I
D
30
(A)
100
Rev.3.00 ， Jan.27.2005 ， 8第3页
H7N0607DL ， H7N0607DS
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
100
脉冲测试
80
I
D
= 10 A
2A
40
4.5 V
2, 5, 10 A
VGS = 10 V
0
50
100
150
Tc
200
(°C)
5A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
TC = -40°C
10
25°C
150°C
1
60
20
0
–50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.1
1
漏电流
10
I
D
(A)
100
外壳温度
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
体漏二极管的反向
恢复时间
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
电容C （PF ）
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
西塞
1000
300
100
科斯
300
100
30
10
3
1
0.1
0.3
1
3
10
I
DR
30
(A)
100
反向漏电流
CRSS
30 VGS = 0
F = 1 MHz的
10
0
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
动态输入特性
(V)
I
D
= 30 A
80
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
V
DS
V
GS
V
GS
16
(V)
100
20
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
tr
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
RG = 4.7
0.3
3
1
漏电流
10
I
D
30
(A)
100
tf
TD （关闭）
TD （上）
tf
tr
漏源极电压
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
10
20
30
40
栅极电荷Qg （ NC ）
4
0
50
0
Rev.3.00 ， Jan.27.2005 ， 8个4页
开关时间
60
12
栅极至源极电压
T（ NS ）
V
DS
H7N0607DL ， H7N0607DS
反向漏电流 -
源极到漏极电压
25
I
DR
(A)
（兆焦耳）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
8.0
I
AP
= 8 A
V
DD
= 25V
值班< 0.1 ％
RG > 50
重复性雪崩能量ê
AR
10 V
20
6.4
反向漏电流
15
4.8
5V
10
V
GS
= 0, –5 V
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
2.0
(V)
源极到漏极电压
3.2
5
1.6
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γs
(t)
10
D=1
3 0.5
0.2
TC = 25°C
1
0.1
0.3
0.05
0.02
0.1
0.01
ho
t
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
- c
θch
- C = 3.125 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
PW
T
D=
0.03
0.01
10
1s
PW
T
100
1m
10 m
100 m
脉冲宽度PW （S ）
1
10
雪崩测试电路
E
AR
=
雪崩波形
1
2
L I
AP
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
Rg
VIN
15 V
D. U.牛逼
50
0
V
DD
Rev.3.00 ， Jan.27.2005 ， 8 5页
QQ：2880707522 复制
