H7N0401LD ， H7N0401LS ， H7N0401LM
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1129-0500
（上一个： ADE- 208-1527C ）
Rev.5.00
2006年4月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 3.1毫欧（典型值） 。
4.5 V门极驱动装置
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
1
2
3
2
3
H7N0401LD
H7N0401LS
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -C
（包名称： LDPAK （ S） - （ 2 ） ）
4
D
G
1
2
3
S
H7N0401LM
Rev.5.00 2006年4月7日第1页8
H7N0401LD ， H7N0401LS ， H7N0401LM
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
40
±20
95
380
95
65
560
100
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
I
AP
注3
E
AR
PCH
总胆固醇
注2
注3
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
40
—
—
1.5
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
100
3.1
4.8
9300
1300
670
160
36
40
45
270
130
85
0.95
50
最大
—
10
±0.1
2.5
—
4.2
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
注4
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 47.5 A，V
DS
= 10 V
注4
I
D
= 47.5 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 47.5 A，V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 95 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 47.5 A
R
L
= 0.63
RG = 4.7
I
F
= 95 A，V
GS
= 0
I
F
= 95 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注4
注4
Rev.5.00 2006年4月7日第2页8
H7N0401LD ， H7N0401LS ， H7N0401LM
主要特点
功率与温度降额
160
1000
300
10
s
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
120
100
30
10
直流操作
（ TC = 25 ° C）
10
1m
0
s
散热通道
s
80
漏电流
40
3操作中
这个区域是
1限制由R
DS （ ON）
0.3
TA = 25°C
0.1
0.1 0.3
1
PW = 10毫秒
(1shot)
3
10
30
100
0
0
50
100
150
200
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
200
10 V
6V
脉冲测试
200
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
160
4.5 V
160
4V
120
120
漏电流
80
3.5 V
80
TC = 75℃
40
25°C
–25°C
0
40
V
GS
= 3 V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
0.5
脉冲测试
0.4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
30
10
3
10 V
1
0.3
0.1
1
V
GS
= 4.5 V
0.3
0.2
I
D
= 50 A
20 A
10 A
0
4
8
12
16
20
0.1
0
3
10
30
100
300
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.5.00 2006年4月7日第3页8
H7N0401LD ， H7N0401LS ， H7N0401LM
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
10
脉冲测试
8
I
D
= 10, 20, 50 A
1000
300
100
30
75°C
10
3
1
1
3
10
30
100
300
1000
25°C
TC = -25°C
6
V
GS
= 4.5 V
4
10, 20, 50 A
2
10 V
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
–50
0
50
100
150
200
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
30000
10000
西塞
体漏二极管反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
的di / dt = 100 A /
s
500 V
GS
= 0 ， TA = 25℃
200
100
50
电容C （PF ）
3000
科斯
1000
20
10
1
2
5
10
20
50
100
300
100
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
CRSS
40
50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
100
I
D
= 95 A
80
V
GS
60
V
DS
V
DD
= 10 V
25 V
40 V
20
1000
500
16
漏源极电压
开关时间t（ NS ）
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
RG = 4.7
12
栅极至源极电压
200
100
50
TD （上）
20
10
0.1
tr
tf
TD （关闭）
40
8
20
0
0
40
80
V
DD
= 40 V
25 V
10 V
120
160
4
0
200
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.5.00 2006年4月7日第4页8
H7N0401LD ， H7N0401LS ， H7N0401LM
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
(A)
200
10 V
800
I
AP
= 65 A
V
DD
= 25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
I
DR
160
640
反向漏电流
120
5V
80
V
GS
= 0, –5 V
480
320
40
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
160
0
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 1.25
°
C / W ，TC = 25
°
C
P
DM
p
ot
ULS
e
0.05
0.03
0.02
D=
PW
T
PW
T
0.0
1s
1
h
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
15 V
50
V
DD
0
Rev.5.00 2006年4月7日第5页8
QQ：2880707522 复制
