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H7N0308AB
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE-208-1569B(Z)
3 。版
2002年8月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 3.8毫欧（典型值） 。
低驱动电流
4.5 V门极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
TO-220AB
D
G
S
1
2
3
1.门
2.漏
（翼缘）
3.源
H7N0308AB
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
注2
注1
评级
30
±20
70
280
70
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
θch -C
总胆固醇
TSTG
Rev.2号文件， 2002年8月，第9页2
H7N0308AB
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
30
±20
—
—
1.0
—
—
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
54
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
3.8
6.0
90
3350
840
480
52
11
10
30
370
80
27
0.93
60
最大
—
—
±10
10
2.5
4.8
8.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 35 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 70 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A
R
L
=0.29
R
g
=4.7
I
D
= 35 A，V
GS
= 4.5 V
注1
注1
注1
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
注1
体漏二极管的反向恢复吨
rr
时间
注意事项： 1.脉冲测试
Rev.2号文件， 2002年8月，第9页3
H7N0308AB
主要特点
功率与温度降额
160
500
最高安全工作区
10
1m
DC
Op
ERA
t
s
P沟（W）的
120
I
D
(A)
100
s
10
0
s
10
离子
PW
散热通道
漏电流
=1
80
0m
s
1在操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
TC = 25°C
1次脉冲
40
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
典型的输出特性
100
10V
4.5 V
100
脉冲测试
3.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
60
3V
I
D
漏电流
(A)
80
80
60
25°C
TC = 75℃
-25°C
漏电流
40
40
20
V
GS
= 2.5 V
20
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
5
(V)
Rev.2号文件， 2002年8月，第9页4
H7N0308AB
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
500
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
30
10 V
GS
= 4.5 V
3
1
0.3
0.1
1
3
10
100 300
30
漏电流I
D
(A)
1000
V
DS （ ON）
漏源极电压
（毫伏）
400
300
200
I
D
= 50 A
10 V
100
20 A
10 A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
脉冲测试
10
8
V
GS
= 4.5 V
6
4
I
D
= 10 A, 20 A
I
D
= 50 A
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
12
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
300
100
30
10
3
1
75°C
TC = -25°C
25°C
10 A, 20 A, 50 A
2
0
-25
10 V
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
3
10
30
I
D
(A)
100
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
漏电流
Rev.2号文件， 2002年8月， 9 5页
H7N0308AB
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE-208-1569B(Z)
3 。版
2002年8月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 3.8毫欧（典型值） 。
低驱动电流
4.5 V门极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
TO-220AB
D
G
S
1
2
3
1.门
2.漏
（翼缘）
3.源
H7N0308AB
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
注2
注1
评级
30
±20
70
280
70
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
θch -C
总胆固醇
TSTG
Rev.2号文件， 2002年8月，第9页2
H7N0308AB
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
30
±20
—
—
1.0
—
—
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
54
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
3.8
6.0
90
3350
840
480
52
11
10
30
370
80
27
0.93
60
最大
—
—
±10
10
2.5
4.8
8.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A / μs的
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 35 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 70 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A
R
L
=0.29
R
g
=4.7
I
D
= 35 A，V
GS
= 4.5 V
注1
注1
注1
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
注1
体漏二极管的反向恢复吨
rr
时间
注意事项： 1.脉冲测试
Rev.2号文件， 2002年8月，第9页3
H7N0308AB
主要特点
功率与温度降额
160
500
最高安全工作区
10
1m
1
s
00
s
Op
ERA
t
离子
PW
s
P沟（W）的
I
D
(A)
100
DC
120
10
散热通道
漏电流
=1
80
0m
s
1在操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
TC = 25°C
1次脉冲
40
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
典型的输出特性
100
10V
4.5 V
100
脉冲测试
3.5 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
60
3V
I
D
漏电流
(A)
80
80
60
25°C
TC = 75℃
-25°C
漏电流
40
40
20
V
GS
= 2.5 V
20
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
Rev.2号文件， 2002年8月，第9页4
H7N0308AB
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
500
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
30
10 V
GS
= 4.5 V
3
1
0.3
0.1
1
3
10
100 300
30
漏电流I
D
(A)
1000
V
DS （ ON）
漏源极电压
（毫伏）
400
300
200
I
D
= 50 A
10 V
100
20 A
10 A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
脉冲测试
10
8
V
GS
= 4.5 V
6
4
I
D
= 10 A, 20 A
I
D
= 50 A
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
12
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
300
100
30
10
3
1
75°C
TC = -25°C
25°C
10 A, 20 A, 50 A
2
0
-25
10 V
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
3
10
30
I
D
(A)
100
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
漏电流
Rev.2号文件， 2002年8月， 9 5页
H7N0308AB
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1122-0400
（上一个： ADE- 208-1569B ）
Rev.4.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 3.8毫欧（典型值） 。
低驱动电流
4.5 V门极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
1
2
3
S
Rev.4.00 2005年9月7日第1页6
H7N0308AB
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
30
±20
70
280
70
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
PCH
θ
CH-C
总胆固醇
TSTG
注2
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
±20
—
—
1.0
—
—
54
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
3.8
6.0
90
3350
840
480
52
11
10
30
370
80
27
0.93
60
最大
—
—
±10
10
2.5
4.8
8.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
注3
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
I
D
= 35 A，V
GS
= 4.5 V
注3
I
D
= 35 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 70 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A
R
L
= 0.29
RG = 4.7
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
注3
Rev.4.00 2005年9月7日第2 6
H7N0308AB
主要特点
功率与温度降额
160
500
最高安全工作区
10
s
P沟（W）的
(A)
100
DC
Op
1m
120
s
100
s
I
D
散热通道
10
er
80
漏电流
ATI PW
on
=
10
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
ms
40
0.1
TC = 25°C
1次脉冲
0.3
1
3
10
30
100
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
100
10 V
4.5 V
100
脉冲测试
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
3V
80
3.5 V
80
60
60
漏电流
40
漏电流
40
TC = 75℃
20
25°C
–25°C
20
V
GS
= 2.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
500
脉冲测试
400
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
脉冲测试
30
10
3
1
0.3
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
V
GS
= 4.5 V
漏源极电压
300
I
D
= 50 A
200
10 V
100
20 A
10 A
0
4
8
12
16
20
0
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页6
H7N0308AB
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
12
脉冲测试
10
8
6
4
2
0
–25
10 V
I
D
= 10 A, 20 A
I
D
= 50 A
V
GS
= 4.5 V
1000
300
100
30
25°C
10
3
1
1
3
10
30
100
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
TC = -25°C
75°C
10 A, 20 A, 50 A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
西塞
3000
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr （ NS ）
50
电容C （PF ）
1000
科斯
20
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
300
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
100
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
(V)
V
GS
(V)
50
I
D
= 70 A
40
V
DD
= 5 V
10 V
20 V
V
DS
20
8
V
GS
16
20
1000
500
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
tr
200
100
50
TD （关闭）
V
DS
漏源极电压
30
12
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
TD （上）
tf
0.3
1
3
10
30
100
10
0
0
20
V
DD
= 20 V
10 V
5V
40
60
80
4
20
10
0.1
0
100
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4 6
H7N0308AB
反向漏电流 -
Souece漏极电压
100
反向漏电流I
DR
(A)
80
10 V
60
5V
V
GS
= 0, –5 V
40
20
脉冲测试
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 1.25
°
C / W ，TC = 25
°
C
P
DM
PW
T
0.05
0.02
0.03
1
e
0.0
PULS
t
ho
1s
D=
PW
T
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
Rev.4.00 2005年9月7日第5 6
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