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标配2GB DDR3 SDRAM
标配2GB DDR3 SDRAM
无铅Free&Halogen免费
（符合RoHS ）
H5TQ2G43CFR-xxC
H5TQ2G83CFR-xxC
*海力士半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
版本1.0 / 2013年4月
1
修订历史
版本号
0.01
0.1
0.2
1.0
历史
初步版本发布
新增IDD规格
JEDEC更新
编辑PKG尺寸
草案日期
2010年11月
2011年8月
2012年2月
2013年4月
备注
初步
版本1.0 / 2013年4月
2
描述
该H5TQ2G43CFR - XXC ， H5TQ2G83CFR - XXC是
2,147,483,648-bit
CMOS双数据速率III （ DDR3 ）
同步DRAM ，非常适用于主存储应用需要大型存储密度
和高带宽。 SK海力士2GB DDR3 SDRAM芯片提供参考两个完全同步操作
在时钟的上升沿和下降沿。虽然所有的地址和控制输入锁存的上升沿
在CK的（属于CK的边缘） ，数据，数据选通信号和写数据掩码输入采样上都
上升和下降的它的边缘。的数据通路内部流水线和8位预取来实现非常
高带宽。
设备特点及订购信息
特点
VDD = VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
全差分时钟输入（ CK ， CK ）操作
8banks
平均更新周期（的温度上限
0
o
C~ 95
o
C)
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
- 7.8微秒的
0
o
C ~ 85
o
C
- 3.9
μs的85
o
C ~ 95
o
C
片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS与CK过渡
过渡
JEDEC标准78ball FBGA （ X4 / X8 ）
DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
所有的地址和控制输入数据以外，
数据选通信号和数据锁存面具上
在时钟的上升沿
可编程CAS延时5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11 ， 12 ， 13
14支持
可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2
支持
可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9 ，
10
可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
BL的飞行开关
选择EMRS驱动力
动态片上终端支持
异步复位引脚支持
ZQ校准支持
TDQS （终止数据选通）支持（ X8只）
写Levelization支持
8位预取
本产品符合RoHS指令。
版本1.0 / 2013年4月
3
订购信息
产品型号
H5TQ2G43CFR-*xxC
H5TQ2G83CFR-*xxC
CON组fi guration
512M ×4
256M ×8
包
78ball FBGA
* XX表示速度等级斌
工作频率
频率〔MHz〕
GRADE
CL5
-G7
-H9
-PB
-RD
-TE
667
667
667
CL6
800
800
800
800
800
CL7
1066
1066
1066
1066
1066
CL8
1066
1066
1066
1066
1066
1333
1333
1333
1333
1333
1333
1333
1333
1600
1600
1600
1866
1866
2133
CL9
CL10
CL11
CL12
CL13
CL14
备注
版本1.0 / 2013年4月
4
包装Ballout /机械尺寸
X4包装球出（顶视图） ： 78ball FBGA封装
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
VSS
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
NC
ODT
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
1
2
VDD
VSSQ
DQ2
NF
VDDQ
VSS
VDD
CS
BA0
A3
A5
A7
RESET
2
3
NC
DQ0
的DQ
的DQ
NF
RAS
CAS
WE
BA2
A0
A2
A9
A13
3
4
5
6
4
5
6
7
NF
DM
DQ1
VDD
NF
CK
CK
A10/AP
NC
A12/BC
A1
A11
A14
7
8
VSS
VSSQ
DQ3
VSS
NF
VSS
VDD
ZQ
VREFCA
BA1
A4
A6
A8
8
9
VDD
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
NC
CKE
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
注意： NF（无功能） - 这适用于只在x4的配置中使用的球。
1 2 3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
7 8 9
（顶视图：看穿包球）
填充球
球未填充
版本1.0 / 2013年4月
5
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