1GB DDR3 SDRAM
1GB DDR3 SDRAM
无铅Free&Halogen免费
（符合RoHS ）
H5TQ1G43BFR-xxC
H5TQ1G83BFR-xxC
H5TQ1G63BFR-xxC
*海力士半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知
版本1.0 / 2009年12月
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描述
该H5TQ1G43BFR - XXC ， H5TQ1G83BFR - XXC和H5tQ1G63BFR - XXC有1,073,741,824位CMOS双
数据速率Ⅲ（ DDR3）同步DRAM ，非常适用于需要在主存储器中的应用程序
大内存密度和高带宽。海力士1GB DDR3 SDRAM芯片提供完全同步操作
参考时钟的上升沿和下降沿。虽然所有的地址和控制输入锁存
在CK的上升沿（下降沿在CK的边缘） ，数据，数据选通信号和写数据掩码输入
采样在它的上升沿和下降沿。的数据通路内部流水线和8位预取
实现非常高的带宽。
设备特点及订购信息
特点
VDD = VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
全差分时钟输入（ CK ， CK ）操作
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS与CK过渡
过渡
DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
数据选通的边缘
所有的地址和控制输入数据以外，
数据选通信号和数据锁存面具上
在时钟的上升沿
可编程CAS延迟6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10
支持
可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2
支持
可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7
可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
BL的飞行开关
8banks
平均更新周期（的温度上限
0
o
C~ 95
o
C)
- 7.8微秒的
0
o
C ~ 85
o
C
- 3.9
μs的85
o
C ~ 95
o
C
自动自刷新支持
JEDEC标准78ball FBGA （ X4 / X8 ） ， 96ball FBGA （ X16 ）
选择EMRS驱动力
动态片上终端支持
异步复位引脚支持
ZQ校准支持
TDQS （终止数据选通）支持（ X8只）
写Levelization支持
8位预取
*本产品符合RoHS指令。
版本1.0 / 2009年12月
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包装Ballout /机械尺寸
X4包装球出（顶视图） ： 78ball FBGA封装（不支持球）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
VSS
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
NC
ODT
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
1
2
VDD
VSSQ
DQ2
NF
VDDQ
VSS
VDD
CS
BA0
A3
A5
A7
RESET
2
3
NC
DQ0
的DQ
的DQ
NF
RAS
CAS
WE
BA2
A0
A2
A9
A13
3
4
5
6
7
NF
DM
DQ1
VDD
NF
CK
CK
A10/AP
NC
A12/BC
A1
A11
A14
8
VSS
VSSQ
DQ3
VSS
NF
VSS
VDD
ZQ
VREFCA
BA1
A4
A6
A8
8
9
VDD
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
NC
CKE
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
4
5
6
7
注意： NF（无功能） - 这适用于只在x4的配置中使用的球。
1 2 3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
7 8 9
（顶视图：看穿包球）
填充球
球未填充
版本1.0 / 2009年12月
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