描述
该H5TC2G63FFR - XXA是
2GB低功耗
双数据速率III （ DDR3L ）同步DRAM ，非常适合
为它需要大的存储器密度，高带宽和低功耗主存储器的应用程序
工作在1.35V 。 SK海力士DDR3L SDRAM提供了一个基于与1.5V DDR3向后兼容性
环境无任何变化。 （请参考SPD信息的细节。）
SK海力士的2Gb DDR3L SDRAM芯片提供参考上升和下降完全同步操作
在时钟的边缘。而所有地址和控制输入被锁止在CK的上升沿（下降沿
在CK的边缘） ，数据，数据选通信号和写数据掩码输入采样上升沿和下降沿
它的边缘。的数据通路内部流水线和8位预取，以达到非常高的带宽。
设备特点及订购信息
特点
VDD = VDDQ = 1.35V + 0.100 / - 0.067V
全差分时钟输入（ CK ， CK ）操作
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
平均更新周期（的温度上限
0
o
C~ 95
o
C)
- 7.8微秒的
0
o
C ~ 85
o
C
- 3.9
μs的85
o
C ~ 95
o
C
片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS与CK过渡
JEDEC标准96ball FBGA （ X16 ）
过渡
选择EMRS驱动力
DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
动态片上终端支持
数据选通的边缘
异步复位引脚支持
所有的地址和控制输入数据以外的数据
ZQ校准支持
选通信号和数据掩码锁存的上升沿
时钟
写Levelization支持
可编程CAS延时5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11 ， 13
支持
可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2
支持
可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9
可编程突发长度4/8既蚕食
顺序和交错模式
BL的飞行开关
8banks
8位预取
本产品符合RoHS指令。
修订版1.1 / 2013年4月
3
包装Ballout /机械尺寸
X16包球出（顶视图） ： 96ball FBGA封装
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
NC
ODT
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
1
2
DQU5
VDD
DQU3
VDDQ
VSSQ
DQL2
DQL6
VDDQ
VSS
VDD
CS
BA0
A3
A5
A7
RESET
2
3
DQU7
VSS
DQU1
DMU
DQL0
DQSL
DQSL
DQL4
RAS
CAS
WE
BA2
A0
A2
A9
A13
3
4
5
6
4
5
6
7
DQU4
DQsu
DQsu
DQU0
DML
DQL1
VDD
DQL7
CK
CK
A10/AP
NC
A12/BC
A1
A11
NC
7
8
VDDQ
DQU6
DQU2
VSSQ
VSSQ
DQL3
VSS
DQL5
VSS
VDD
ZQ
VREFCA
BA1
A4
A6
A8
8
9
VSS
VSSQ
VDDQ
VDD
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
NC
CKE
NC
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
1 2 3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
7 8 9
（顶视图：看穿包球）
填充球
球未填充
修订版1.1 / 2013年4月
5
QQ：2880707522 复制
