H5PS5162FFR系列
512MB DDR2 SDRAM
H5PS5162FFR - XXC系列
H5PS5162FFR -XXL系列
H5PS5162FFR -XXI系列
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
版本1.0 / 2008年7月
1
发布
H5PS5162FFR系列
目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1主要特点
1.1.2订购信息
1.1.3订货频率
1.2引脚配置
1.3引脚说明
2.最大额定直流电压
2.1绝对最大额定直流电压
2.2工作温度条件
3.交流&直流工作条件
3.1 DC工作条件
5.1.1建议的直流工作条件( SSTL_1.8 )
5.1.2 ODT DC电气特性
3.2直流&交流逻辑输入电平
3.2.1 DC输入逻辑电平
3.2.2 AC输入逻辑电平
3.2.3 AC输入测试条件
3.2.4差分输入AC逻辑电平
3.2.5差分交流输出参数
3.3输出缓冲水平
3.3.1输出AC测试条件
3.3.2输出直流电流驱动
3.3.3 OCD默认特征
3.4 IDD规格&测量条件
3.5输入/输出电容
4. AC时序规范
5.包装尺寸
1.0版/日。 2008年
3
发布
H5PS5162FFR系列
1.描述
1.1设备特点&订购信息
1.1.1主要特点
VDD , VDDQ = 1.8 +/- 0.1V
所有输入和输出与SSTL_18接口兼容
全差分时钟输入( CK , / CK )操作
双数据速率接口
对准双向数据选通源同步数据交易( DQS , DQS )
差分数据选通( DQS , DQS )
在DQS数据输出, DQS边读时(微升DQ )
在DQS中心的数据输入时写(居中DQ )
片上DLL对齐DQ , DQS和DQS过渡与转型CK
DM掩模写入数据中的数据选通脉冲的上升沿和下降沿
所有地址和控制输入,除了数据,数据选通信号和锁存时钟的上升沿数据掩码
可编程CAS延时3 ,图4,图5和6支撑
支持可编程添加剂延迟0,1, 2,3, 4和5中
可编程的突发长度为4月8日既四位顺序和交错模式
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
tRAS的锁定支持
8K刷新周期/ 64ms的
JEDEC标准84ball FBGA ( X16 ) :采用8mm x 13毫米
通过EMRS控制全部的力量驱动程序选项
片上终端支持
片外驱动器阻抗调整的支持
自刷新高温入口
部分阵列自刷新支持
订购信息
产品型号
组织
包
工作频率
速度斌
E3
C4
Y5
S5
S6
TCK ( NS )
5
3.75
3
2.5
2.5
CL
3
4
5
5
6
tRCD的
3
4
5
5
6
激进党
3
4
5
5
6
单位
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
H5PS5162FFR**-XX*
32Mx16
铅&卤代
无根**
注意:
1. -XX *是速度仓,是指运行频率表
完整型号
2.海力士无卤产品符合RoHS指令。
海力士支持铅&无卤部件的每个速度等级
除了用无铅材料相同的规范。
我们将"F"后添加"R"人物铅&无卤产品。
3. H5PS5162FFR - XXC是commertial温度。和正常供电
4. H5PS5162FFR - XXL是commertial温度。和低功耗
5. H5PS5162FFR -XXI是工业级温度范围。和正常供电
1.0版/日。 2008年
4
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H5PS5162FFR系列
1.2引脚配置&地址表
32Mx16 DDR2引脚配置(顶视图:看穿包球)
3
VSS
UDM
VDDQ
DQ11
VSS
LDM
VDDQ
DQ3
VSS
WE
BA1
A1
A5
A9
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
7
VSSQ
UDQS
VDDQ
DQ10
VSSQ
LDQS
VDDQ
DQ2
VSSDL
RAS
CAS
A2
A6
A11
NC
8
UDQS
VSSQ
DQ8
VSSQ
LDQS
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
CK
CS
A0
A4
A8
NC
VSS
VDD
9
VDDQ
DQ15
VDDQ
DQ13
VDDQ
DQ7
VDDQ
DQ5
VDD
ODT
1
VDD
DQ14
VDDQ
DQ12
VDD
DQ6
VDDQ
DQ4
VDDL
2
NC
VSSQ
DQ9
VSSQ
NC
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE
NC
BA0
A10
VSS
A3
A7
VDD
A12
行和列地址表
项
#银行
银行地址
自动预充电标志
行地址
列地址
PAGE SIZE
32Mx16
4
BA0 , BA1
A10/AP
A0 - A12
A0-A9
2 KB
1.0版/日。 2008年
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