H5PS1G63EFR系列
1GB DDR2 SDRAM
H5PS1G63EFR-xxC
H5PS1G63EFR-xxI
H5PS1G63EFR-xxL
H5PS1G63EFR-xxJ
[新产品]
H5PS1G63EFR-xxP
H5PS1G63EFR-xxQ
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版1.1 2009 /月
1
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H5PS1G63EFR系列
修订详情
启示录
1.0
1.1
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变化： -P & -Q产品
第16页： IDD0 ， IDD1 ， IDD4R和IDD4W
Note1)
历史
草案日期
六月。 2009年
七月。 2009年
注1） H5PS1G63EFR - XXP & H5PS1G63EFR - XXQ
符号
IDD0
IDD1
IDD4R
IDD4W
DDR2-667
前
待定
待定
待定
待定
后
75
85
160
170
前
80
90
170
180
DDR2-800
后
75
85
160
170
单位
mA
mA
mA
mA
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2
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H5PS1G63EFR系列
目录
1.描述
1.1设备特点及订购信息
1.1.1主要特点
1.1.2订购信息
1.1.3工作频率
1.2引脚配置
1.3引脚说明
2.最大额定直流电压
2.1绝对最大额定直流电压
2.2工作温度条件
3.交流&直流工作条件
3.1 DC工作条件
3.1.1建议的直流工作条件（ SSTL_1.8 ）
3.1.2 ODT DC电气特性
3.2直流&交流逻辑输入电平
3.2.1 DC输入逻辑电平
3.2.2 AC输入逻辑电平
3.2.3 AC输入测试条件
3.2.4差分输入AC逻辑电平
3.2.5差分交流输出参数
3.3输出缓冲水平
3.3.1输出AC测试条件
3.3.2输出直流电流驱动
3.3.3 OCD默认特征
3.4 IDD规格&测量条件
3.5输入/输出电容
4. AC时序规范
5.包装尺寸
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H5PS1G63EFR系列
1.描述
1.1设备特点&订购信息
1.1.1主要特点
VDD = 1.8 +/- 0.1V
VDDQ = 1.8 +/- 0.1V
所有输入和输出与SSTL_18接口兼容
8银行
全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作
双倍数据速率接口
对准双向数据选通源同步数据交易（ DQS ， DQS ）
差分数据选通（ DQS ， DQS ）
在DQS数据输出， DQS边读时（微升DQ ）
在DQS中心的数据输入时写（居中DQ ）
片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS与CK过渡转型
DM掩模写入数据中的数据选通脉冲的上升沿和下降沿
所有的地址和控制输入，除了数据，数据选通信号，并锁定在数据的上升口罩
在时钟的边缘
支持的可编程的CAS等待时间3 ，图4，图5和6
可编程添加剂延迟0，1， 2 ，3，4和5的支持
可编程的突发长度4/8既四位顺序和交错模式
内置8组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
tRAS的锁定支持
8K刷新周期/ 64ms的
JEDEC标准84ball FBGA （ X16 ）
通过控制EMR充满力量的驱动程序选项
片上终端支持
片外驱动器阻抗调整的支持
自刷新高温入口
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H5PS1G63EFR系列
订购信息
产品型号
H5PS1G63EFR-xx*C
H5PS1G63EFR-xx*I
H5PS1G63EFR-xx*L
64Mx16
H5PS1G63EFR-xx*J
H5PS1G63EFR-xx*P
H5PS1G63EFR-xx*Q
注意：
-XX *是速度斌，请参阅完整的零件编号的工作频率表。
-xxP和XXQ是低电流仓，请参阅IDD规格表。
-
海力士无卤产品符合RoHS指令。
海力士支持铅&无卤部件与同规格的每一个速度等级，不同的无铅材料。
我们将"F"后添加"R"人物铅&无卤产品
低功耗
（仅IDD6 ）
低电流消耗
低电流消耗
产业
广告
产业
CON连接gura-
化
耗电量
正常消费
正常消费
低功耗
（仅IDD6 ）
工作温度
广告
产业
广告
84球
FBGA
包
工作频率
GRADE
E3
C4
Y5
S6
S5
G7
注意：
-G7
用一种特殊的产品的速度在电子工程的一个消费者的工作数据的高速存储
数字电子装置。
只有X16产品 -
TCK （ NS ）
5
3.75
3
2.5
2.5
1.875
CL
3
4
5
6
5
7
tRCD的
3
4
5
6
5
7
激进党
3
4
5
6
5
7
单位
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
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