【H5N6001P硅N沟道MOSFET高速电源开关ADE - 208-1425A （ Z）第2位。版2】,IC型号H5N6001P,H5N6001P PDF资料,H5N6001P经销商,ic,电子元器件-51电子网

H5N6001P

硅N沟道MOSFET

高速电源开关

ADE - 208-1425A （ Z）

第2位。版

2001年5月

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

低栅极电荷（Qg ）

概要

TO-3P

D

G

1

S

2

3

1.门

2.漏（翼缘）

3.源

H5N6001P

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

°

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏

当前

体漏二极管的反向漏峰值

当前

雪崩电流

散热通道

通道到外壳散热inpedance

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10微秒，占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D

（脉冲） *

1

I

DR

I

DR

（脉冲） *

1

I

AP

*

3

PCH *

2

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

价值

600

±30

20

80

20

80

6.5

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

Rev.0 ， 2001年5月， 10个2页

H5N6001P

电气特性（Ta = 25 ° C）

°

项

漏源击穿

电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

体漏二极管的反向

恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

符号最小值

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

|y

fs

|

R

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

V

DF

TRR

QRR

600

—

3.0

12

—

典型值

—

20

0.30

4640

340

70

60

100

220

90

135

20

65

0.9

590

6.5

最大

—

1

±0.1

4.0

—

0.38

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 10 A，V

DS

= 10 V*

4

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V*

4

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

300 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 30

RG = 10

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

Rev.0 ， 2001年5月10第3页

H5N6001P

主要特点

功率与温度降额

200

通道耗散P沟（W）的

100

30

漏电流I

D

(A)

150

10

3

1

0.3

100

最高安全工作区

10

s

1m

10

0

PW

s

=

10

DC

ms

（T欧普

(1

C = E

sh

ra

OT ）

25蒂奥

°

为C n

)

50

0.1

这个区域是

0.03

0.01

操作

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1

30

3

10

100 300 1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

0

50

100

150

200

壳温度（ ° C）

典型的输出特性

50

脉冲测试

8V

6V

30

漏电流I

D

(A)

典型的传输特性

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

40

漏电流I

D

(A)

10 V

30

20

5.5 V

20

TC = 75℃

25°C

-25°C

2

4

6

8

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

10

5V

V

GS

= 4.5 V

0

4

8

12

16

20

漏极至源极电压V

DS

(V)

10

0

Rev.0 ， 2001年5月10第4页

H5N6001P

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

德雷酒店到源通态电阻

R

DS （ ON）

()

10

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

8

I

D

= 20 A

6

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

2

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

1

0.5

4

10 A

2

5A

0.2

0

0.1

4

8

12

16

20

1

2

栅极至源极电压V

GS

(V)

5

10 20

50

漏电流I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

1

脉冲测试

0.8

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

0.6

5A

0.4

10 A

0.2

0

–25

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

50

TC = -25°C

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2 0.5 1

2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

5 10 20

50 100

75°C

25°C

0

25

50

75

100 125 150

(°C)

北部沿海地区的情况下锝

漏电流I

D

(A)

Rev.0 ， 2001年5月， 10个5页

H5N6001P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1118-0300

（上一个： ADE- 208-1425A ）

Rev.3.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

低栅极电荷（Qg ）

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

D

G

1.门

2.漏（法兰）

3.源

1

2

3

S

Rev.3.00 2005年9月7日第1页6

H5N6001P

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

600

±30

20

80

20

80

6.5

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

I

DR （脉冲）

注3

I

AP

PCH

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

注1

注2

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏极至源极通态电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管的反向恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （关闭）

|y

fs

|

R

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

Q

rr

民

600

—

3.0

12

—

典型值

—

20

0.30

4640

340

70

60

100

220

90

135

20

65

0.9

590

6.5

最大

—

1

±0.1

4.0

—

0.38

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注4

I

D

= 10 A，V

DS

= 10 V

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

300 V I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 30

RG = 10

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A / μs的

注4

Rev.3.00 2005年9月7日第2 6

H5N6001P

主要特点

功率与温度降额

P沟（W）的

200

100

30

s

=1

0m

s(

Op

1s

ho

er

t)

at

离子

(T

c=

25

°C

)

PW

最高安全工作区

10

0

s

1m

s

I

D

(A)

150

10

3

1

DC

散热通道

100

漏电流

50

0.3在操作

0.1这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.03

TA = 25°C

0.01

0

50

100

150

200

1

3

10

30

100

300

1000

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

50

脉冲测试

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

10 V

30

8V

6V

I

D

(A)

漏电流

40

30

漏电流

20

5.5 V

20

TC = 75℃

25°C

–25°C

6

8

10

5V

V

GS

= 4.5 V

0

4

8

12

16

20

10

0

2

4

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

10

脉冲测试

8

I

D

= 20 A

6

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

2

脉冲测试

1

0.5

V

GS

= 10 V, 15 V

4

10 A

2

5A

0.2

0

4

8

12

16

20

0.1

1

2

5

10

20

50

100

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.3.00 2005年9月7日第3页6

H5N6001P

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

1

100

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2

0.5 1

2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

5 10 20

50 100

75°C

25°C

TC = -25°C

脉冲测试

V

GS

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.8

I

D

= 20 A

5A

10 A

0.2

0.6

0.4

0

–25

0

25

50

75

100 125

150

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流

I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

10000

5000

典型的电容比。

漏源极电压

西塞

反向恢复时间trr （ NS ）

500

电容C （PF ）

2000

1000

500

200

100

50

20

10

0

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

50

100

150

200

250

CRSS

科斯

200

100

50

20

10

0.1

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

反向漏电流

I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

V

GS

(V)

1000

I

D

= 20 A

800

V

DD

= 100 V

300 V

480 V

V

GS

16

20

10000

开关特性

V

GS

= 10 V, V

DD

= 300 V

PW = 5

s,

税

≤

1 %

R

G

= 10

1000

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

t

r

漏源极电压

600

V

DS

12

400

8

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

100

200

0

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

40

80

120

160

4

0

200

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.3.00 2005年9月7日第4 6

H5N6001P

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

6

5

I

D

= 10毫安

4

3

0.1毫安

2

1

V

DS

= 10 V

0

–50

0

50

100

150

200

1毫安

I

DR

(A)

脉冲测试

40

反向漏电流

30

5 V, 10 V

20

V

GS

= 0 V

10

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 0.833

°

C / W ，TC = 25

°

C

P

DM

ls

pu

e

D=

PW

T

PW

T

0.03

0.02

1

0.0

0.01

10

1s

ho

t

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

V

DD

= 300 V

10%

90%

10%

90%

t

D（上）

t

r

90%

t

D（关闭）

t

f

Rev.3.00 2005年9月7日第5 6

H5N6001P

硅N沟道MOSFET

高速电源开关

ADE - 208-1425A （ Z）

第2位。版

2001年5月

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

低栅极电荷（Qg ）

概要

TO-3P

D

G

1

S

2

3

1.门

2.漏（翼缘）

3.源

H5N6001P

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

°

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏

当前

体漏二极管的反向漏峰值

当前

雪崩电流

散热通道

通道到外壳散热inpedance

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10微秒，占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D

（脉冲） *

I

DR

I

DR

（脉冲） *

I

AP

*

3

2

1

价值

600

±30

20

80

20

80

6.5

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

PCH *

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

Rev.0 ， 2001年5月第2页2

H5N6001P

电气特性（Ta = 25 ° C）

°

项

漏源击穿

电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

体漏二极管的反向

恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

符号最小值

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

|y

fs

|

R

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

V

DF

TRR

QRR

600

—

3.0

12

—

典型值

—

20

0.30

4640

340

70

60

100

220

90

135

20

65

0.9

590

6.5

最大

—

1

±0.1

4.0

—

0.38

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 10 A，V

DS

= 10 V*

4

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V*

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

300 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 30

RG = 10

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

Rev.0 ， 2001年5月第3页3

H5N6001P

主要特点

功率与温度降额

200

通道耗散P沟（W）的

100

30

漏电流I

D

(A)

150

10

3

1

0.3

100

最高安全工作区

10

s

1m

10

0

PW

s

=

10

DC

ms

（T欧普

(1

C = E

sh

ra

OT ）

25蒂奥

°

为C n

)

50

0.1

这个区域是

0.03

0.01

操作

限于由R

DS （ ON）

TA = 25°C

1

30

3

10

100 300 1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

0

50

100

150

200

壳温度（ ° C）

典型的输出特性

50

脉冲测试

8V

6V

30

漏电流I

D

(A)

典型的传输特性

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

40

漏电流I

D

(A)

10 V

30

20

5.5 V

20

TC = 75℃

25°C

-25°C

2

4

6

8

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

10

5V

V

GS

= 4.5 V

0

4

8

12

16

20

漏极至源极电压V

DS

(V)

10

0

Rev.0 ， 2001年5月4第4页

H5N6001P

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

德雷酒店到源通态电阻

R

DS （ ON）

()

10

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

8

I

D

= 20 A

6

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

2

脉冲测试

V

GS

= 10 V, 15 V

1

0.5

4

10 A

2

5A

0.2

0

0.1

4

8

12

16

20

1

2

栅极至源极电压V

GS

(V)

5

10 20

50

漏电流I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

1

脉冲测试

0.8

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

0.6

5A

0.4

10 A

0.2

0

–25

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

50

TC = -25°C

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.1 0.2 0.5 1

2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

5 10 20

50 100

75°C

25°C

0

25

50

75

100 125 150

(°C)

北部沿海地区的情况下锝

漏电流I

D

(A)

Rev.0 ， 2001年5月的5页