H5N5006LD ， H5N5006LS ， H5N5006LM
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1115-0100
（上一个： ADE- 208-1549 ）
Rev.1.00
2006年4月7日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
低栅电荷
雪崩额定值
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
1
2
1
3
2
3
H5N5006LD
H5N5006LS
D
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -C
（包名称： LDPAK （ S） - （ 2 ） ）
4
G
1
2
3
S
H5N5006LM
Rev.1.00 2006年4月7日第1页7
H5N5006LD ， H5N5006LS ， H5N5006LM
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
评级
500
±30
3.5
14
3.5
3.5
50
2.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
I
AP
注2
PCH
θ
CH-C
总胆固醇
TSTG
注3
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
QRR
民
500
—
—
3.0
—
1.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
2.5
3.0
365
35
8
20
13
48
14
14
2
8
0.85
280
0.8
最大
—
±0.1
1
4.5
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.3
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 1.75 ，V
GS
= 10 V
注4
I
D
= 1.75 ，V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
250 V，I
D
= 1.75 A
R
L
= 143
V
GS
= 10 V
RG = 10
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
I
F
= 3.5 A，V
GS
= 0
I
F
= 3.5 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注4
Rev.1.00 2006年4月7日第2 7
H5N5006LD ， H5N5006LS ， H5N5006LM
主要特点
功率与温度降额
80
50
最高安全工作区
P沟（W）的
(A)
10
10
10
0
s
s
n
s
m
TIO
1
ra
PE
O 5°
C 2
D C =
T
60
PW = 10毫秒（ 1SHOT ）
散热通道
I
D
40
漏电流
1
0.1
20
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
0
0
50
100
150
200
0.01
TA = 25°C
0.005
0.1 0.3 1
3
10
30 100 300 1000
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
5
脉冲测试
8V
10 V
5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
4
6V
3
I
D
(A)
漏电流
4
3
5.5 V
漏电流
2
2
TC = 75℃
25°C
1
–25°C
1
5V
V
GS
= 4.5 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
16
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
20
10
5
脉冲测试
V
GS
= 10 V, 15 V
12
I
D
= 3 A
8
2A
4
1A
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0
0
4
8
12
16
20
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.1.00 2006年4月7日第3页7
H5N5006LD ， H5N5006LS ， H5N5006LM
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
脉冲测试
V
GS
= 10 V
8
I
D
= 3 A
6
10
5
TC = -25°C
2
1
0.5
75°C
25°C
4
2A
2
1A
0.2
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.2
0.5
1
2
5
10
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
500
西塞
体漏二极管反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
50
100
150
200
250
CRSS
科斯
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.2
0.5
1
2
5
10
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
(V)
I
D
= 3.5 A
800
V
GS
16
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
GS
(V)
1000
20
1000
300
tf
100
30
10
3
1
0.1 0.2
TD （上）
tr
V
GS
= 10 V, V
DD
= 250 V
RW = 5
s,
税
≤
1 %
RG = 10
0.5
1
2
5
10
20
TD （关闭）
V
DS
漏源极电压
600
V
DS
400
12
8
200
0
0
8
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
16
24
32
40
4
0
栅极电荷
QG （ NC ）
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.1.00 2006年4月7日第4 7
H5N5006LD ， H5N5006LS ， H5N5006LM
反向漏电流 -
Souece漏极电压
5
5
门源截止电压主场迎战
外壳温度
门源截止电压
V
GS （关闭）
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 10毫安
4
4
3
3
1毫安
0.1毫安
2
V
GS
= 0
5 V, 10 V
1
脉冲测试
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
1
V
DS
= 10 V
0
–50
0
50
100
150
200
源极到漏极电压
V
SD
(V)
外壳温度
TC （
°
C)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 2.5
°
C / W ，TC = 25
°
C
P
DM
u
tp
LSE
0.05
0.03
0.02
D=
PW
T
PW
T
0.0
1
ho
1s
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
开关时间波形
输入电压监视器
10
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
90%
10%
VIN
10 V
V
DD
= 250 V
TD （上）
90%
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.1.00 2006年4月7日第5 7
QQ：2880707522 复制
