H5N5006DL ， H5N5006DS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0397-0100
Rev.1.00
2006年5月30日
特点
低导通电阻，R
DS （ ON）
= 2.5
典型值。
低漏电流：I
DSS
= 1
A
最大。 （在V
DS
= 500 V)
高速开关：吨
f
= 15纳秒（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V, V
DD
250 V，I
D
= 1.5 A)
低栅极电荷：的Qg = 14 NC （典型值） 。 （在V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A)
雪崩额定值
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B
（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ） ）
4
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
G
1
2
3
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
500
±30
3
12
3
12
3
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
Rev.1.00 2006年5月30日，第7 1
H5N5006DL ， H5N5006DS
电气特性
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
Q
rr
民
500
—
—
3.0
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
2.5
2.5
365
35
8
20
12
48
15
14
2
8
0.85
270
0.8
最大
—
1
±0.1
4.5
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.3
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 1.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
250 V，I
D
= 1.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 167
RG = 10
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
I
F
= 3 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 3 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.1.00 2006年5月30日， 7 2页
H5N5006DL ， H5N5006DS
主要特点
功率与温度降额
P沟（W）的
40
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
10
m
D
= 10
s
C
（ T O服务
女士（
PE
1s
h
=
25慧慧
OT ）
on
°C
)
PW
最高安全工作区
30
I
D
(A)
s
1
10
0
s
散热通道
20
漏电流
10
0
0
50
100
150
200
0.02
0.01 TA = 25℃
0.005
0.1 0.3 1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
3
10 30 100 300 1000
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
5
脉冲测试
10 V
6V
3
8V
5
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
4
4
3
5.5 V
漏电流
2
2
TC = 75℃
25°C
1
–25°C
0
1
5V
V
GS
= 4.5 V
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
20
脉冲测试
16
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
10
5
脉冲测试
12
I
D
= 3 A
8
2A
4
1A
2
1
V
GS
= 10 V, 15 V
0.5
0.2
0.1
0.1
0
0
4
8
12
16
20
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
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H5N5006DL ， H5N5006DS
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
10
10
5
TC = -25°C
2
1
0.5
75°C
25°C
脉冲测试
V
GS
= 10 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳主场迎战
漏电流
8
I
D
= 3 A
6
4
1A
2A
2
0.2
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.2
0.5
1
2
5
10
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流
I
D
(A)
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
1000
500
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
500
西塞
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2 V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1
0
50
CRSS
科斯
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.2
0.5
1
2
5
10
100
150
200
250
反向漏电流
I
DR
(A)
漏源极电压
V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
I
D
= 3 A
V
GS
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
DS
开关特性
V
GS
(V)
20
1000
300
t
f
100
30
10
t
r
3
1
0.1 0.2
t
D（关闭）
t
D（上）
V
GS
= 10 V, V
DD
= 250 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
R
G
= 10
1000
800
16
漏源极电压
600
12
400
8
200
0
0
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
8
16
24
32
40
4
0
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
0.5
1
2
5
10
20
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.1.00 2006年5月30日， 7第4页
H5N5006DL ， H5N5006DS
反向漏电流 -
源极到漏极电压
5
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压
与外壳温度
5
I
D
= 10毫安
4
1毫安
0.1毫安
I
DR
(A)
脉冲测试
4
反向漏电流
3
3
2
5 V, 10 V
V
GS
= 0 V
2
1
1
V
DS
= 10 V
0
–50
0
50
100
150
200
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
D=1
0.5
0.3
1
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 4.17
°
C / W ，TC = 25
°
C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
0.02
D=
PW
T
0.03
0.01
e
PULS
热
1s
0.01
10
100
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
波形
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
V
DD
= 250 V
10%
10%
90%
10%
90%
t
D（上）
t
r
90%
t
D（关闭）
t
f
Rev.1.00 2006年5月30日， 7 5页
QQ：2880707522 复制
