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H5N3011P
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0385-0200
Rev.2.00
Aug.05.2004
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
TO-3P
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
300
±30
88
176
88
176
30
54
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ，页6 1
H5N3011P
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
民
300
—
—
3.0
33
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
56
0.042
5000
640
65
60
370
200
280
95
25
40
1.0
260
2.5
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.048
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 300 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 44 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 44 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 44 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3.4
RG = 10
V
DD
= 240 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 88 A
I
F
= 88 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 88 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6 2页
H5N3011P
主要特点
功率与温度降额
200
P沟（W）的
1000
300
I
D
(A)
最高安全工作区
100
30
10
操作
150
1m
s
10
10
0
s
s
散热通道
100
漏电流
3
这个区域是
1
限于由R
DS （ ON）
0.3
0.1
0.03
0.01
TA = 25°C
1
直流操作
（ TC = 25 ° C）
PW = 10毫秒
(1shot)
50
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
100 300 1000
30
3
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
典型的输出特性
100
10 V
8V
脉冲测试
6V
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
80
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
80
60
5.5 V
60
漏电流
40
40
20
V
GS
= 5 V
20
TC = 75℃
25°C
25°C
10
8
V
GS
(V)
0
4
8
12
漏源极电压
20
16
V
DS
(V)
0
2
4
6
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
8
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.1
V
GS
= 10 V, 15 V
0.05
6
I
D
= 88 A
4
0.02
0.01
0.005
2
44 A
20 A
0.002
0.001
1
3
脉冲测试
10
30
100 300
漏电流I
D
(A)
1000
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6个3页
H5N3011P
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.16
I
D
= 88 A
44 A
0.08
20 A
0.04
0
25
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
75°C
25°C
TC =
25°C
0.12
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
I
D
(A)
30
100
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
外壳温度
漏电流
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
体漏二极管的反向
恢复时间
100000
30000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
400
16
V
GS
V
GS
(V)
10000
3000
1000
300
100
30
10
科斯
CRSS
0
50
100
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 150 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
R
G
= 10
10000
V
DS
(V)
I
D
= 88 A
V
DD
= 50 V
100 V
300
240 V
V
DS
200
12
开关时间t（ NS ）
漏源极电压
栅极至源极电压
1000
tf
TD （关闭）
tr
8
100
tf
TD （上）
tr
100
V
DD
= 240 V
100 V
50 V
40
80
120
160
4
0
0
200
10
0.1
0.3
栅极电荷
QG （ NC ）
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6 4页
H5N3011P
反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压
与外壳温度
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
1毫安
80
60
V
GS
= 0 V
40
10 V
5V
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
源极到漏极电压
4
反向漏电流
3
0.1毫安
2
20
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
外壳温度
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 0.833 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
PW
T
0.01
10
h
1s
o
LSE
pu
t
100
1m
10 m
100 m
脉冲宽度PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
V
DD
= 150 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
t
f
90%
TD （上）
tr
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6个5页
H5N3011P
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0385-0200
Rev.2.00
Aug.05.2004
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
TO-3P
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
300
±30
88
176
88
176
30
54
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ，页6 1
H5N3011P
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
民
300
—
—
3.0
33
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
56
0.042
5000
640
65
60
370
200
280
95
25
40
1.0
260
2.5
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.048
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 300 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 44 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 44 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 44 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3.4
RG = 10
V
DD
= 240 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 88 A
I
F
= 88 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 88 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6 2页
H5N3011P
主要特点
功率与温度降额
200
P沟（W）的
1000
300
I
D
(A)
最高安全工作区
100
30
10
操作
150
1m
s
10
10
0
s
s
散热通道
100
漏电流
3
这个区域是
1
限于由R
DS （ ON）
0.3
0.1
0.03
0.01
TA = 25°C
1
直流操作
（ TC = 25 ° C）
PW = 10毫秒
(1shot)
50
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
100 300 1000
30
3
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的传输特性
典型的输出特性
100
10 V
8V
脉冲测试
6V
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
80
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
80
60
5.5 V
60
漏电流
40
40
20
V
GS
= 5 V
20
TC = 75℃
25°C
25°C
10
8
V
GS
(V)
0
4
8
12
漏源极电压
20
16
V
DS
(V)
0
2
4
6
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
8
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
0.1
V
GS
= 10 V, 15 V
0.05
6
I
D
= 88 A
4
0.02
0.01
0.005
2
44 A
20 A
0.002
0.001
1
3
脉冲测试
10
30
100 300
漏电流I
D
(A)
1000
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6个3页
H5N3011P
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.16
I
D
= 88 A
44 A
0.08
20 A
0.04
0
25
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
75°C
25°C
TC =
25°C
0.12
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
I
D
(A)
30
100
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
外壳温度
漏电流
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
体漏二极管的反向
恢复时间
100000
30000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
400
16
V
GS
V
GS
(V)
10000
3000
1000
300
100
30
10
科斯
CRSS
0
50
100
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 150 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
R
G
= 10
10000
V
DS
(V)
I
D
= 88 A
V
DD
= 50 V
100 V
300
240 V
V
DS
200
12
开关时间t（ NS ）
漏源极电压
栅极至源极电压
1000
tf
TD （关闭）
tr
8
100
tf
TD （上）
tr
100
V
DD
= 240 V
100 V
50 V
40
80
120
160
4
0
0
200
10
0.1
0.3
栅极电荷
QG （ NC ）
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
Rev.2.00 ， Aug.05.2004 ， 6 4页
H5N3011P
反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压
与外壳温度
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
1毫安
80
60
V
GS
= 0 V
40
10 V
5V
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
源极到漏极电压
4
反向漏电流
3
0.1毫安
2
20
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
外壳温度
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 0.833 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
PW
T
0.01
10
h
1s
o
LSE
pu
t
100
1m
10 m
100 m
脉冲宽度PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
V
DD
= 150 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
t
f
90%
TD （上）
tr
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