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H5N2514P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1203-0100

Rev.1.00

五月25.2005

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

1.门

2.漏（法兰）

3.源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

3. STCH = 25 ° C，总胆固醇

≤

150°C

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

DR （脉冲）注1

APNote3

ARNote3

PCH

Note2

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

250

±30

210

76.5

200

0.625

150

-55到+150

单位

° C / W

°C

Rev.1.00五月25.2005第1页3

H5N2514P

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管反向恢复

收费

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

250

—

3.0

—

典型值

—

0.025

5500

820

115

350

270

230

155

1.10

220

1.8

最大

—

±0.1

4.5

—

0.030

—

1.65

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= 250 V, V

= 0

±30

V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 35 A，V

= 10 V

Note4

= 35 A，V

= 10 V

Note4

= 25 V

= 0

F = 1 MHz的

= 35 A

= 10 V

= 3.6

RG = 10

= 200 V

= 10 V

= 70 A

= 70 A，V

= 0

Note4

= 70 A，V

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

Rev.1.00五月25.2005 3第2页

H5N2514P

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-65

瑞萨代码

PRSS0004ZE-A

包名称

TO-3P / TO- 3PV

质量[典型值]

5.0g

5.0 ± 0.3

单位：mm

4.8 ± 0.2

1.5

15.6 ± 0.3

0.5

1.0

3.2 ± 0.2

14.9 ± 0.2

19.9 ± 0.2

1.6

1.4最大

2.0

2.8

2.0

1.0 ± 0.2

3.6

0.9

1.0

18.0 ± 0.5

0.6 ± 0.2

5.45 ± 0.5

订购信息

部件名称

H5N2514P-E

QUANTITY

30个

塑料杂志

中海集装箱

注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态

订购产品之前生产。

Rev.1.00五月25.2005第3页3

0.3

销售战略规划事业部。

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后记3.2.0