【H5N2503P硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1105-0200（上一个： ADE-】,IC型号H5N2503P,H5N2503P PDF资料,H5N2503P经销商,ic,电子元器件-51电子网

H5N2503P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1105-0200

（上一个： ADE- 208-1374A ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 0.04

典型值。

低漏电流：I

DSS

= 1

A

最大（在V

DS

= 250 V)

高速开关：吨

f

= 190 ns的典型值（ V

GS

= 10 V, V

DD

= 125 V，I

D

= 25 A)

低栅极电荷：的Qg = 140 NC典型值（ V

DD

= 200 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A)

雪崩额定值

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

D

G

1.门

2.漏（法兰）

3.源

1

2

3

S

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

H5N2503P

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

250

±30

50

200

50

200

50

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

I

DR （脉冲）

注3

I

AP

PCH

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

注1

注2

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管的反向恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

Q

rr

民

250

—

3.0

—

25

—

典型值

—

0.040

40

5150

620

105

58

210

220

190

140

25

60

1.0

210

1.8

最大

—

±0.1

1

4.0

0.055

—

1.5

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 250 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注4

I

D

= 25 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 25 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 5

RG = 10

V

DD

= 200 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 50 A

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A / μs的

注4

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

H5N2503P

主要特点

功率与温度降额

200

1000

300

最高安全工作区

P沟（W）的

I

D

(A)

150

100

30

10

3

PW

10

0

s

散热通道

DC

=

1m

10

m

s

漏电流

100

Op

er

at

离子

50

0

50

100

150

200

25

操作

°

C

)

1这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.3

TA = 25°C

0.1

1

3

10

30

100

(T

c=

s(

1s

ho

t)

300

1000

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

100

10 V

8V

脉冲测试

100

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

80

I

D

(A)

漏电流

7V

6.5 V

6V

80

60

5.5 V

漏电流

40

25°C

20

TC = 75℃

–25°C

20

5V

V

GS

= 4.5 V

0

4

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

4

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

5

200

脉冲测试

100

3

I

D

= 50 A

50

V

GS

= 10 V, 15 V

2

1

25 A

10 A

20

0

4

8

12

16

20

10

1

2

5

10

20

50

100

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

H5N2503P

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

200

100

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5 1

2

5

10 20

50 100

75°C

25°C

TC = -25°C

脉冲测试

V

GS

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳主场迎战

漏电流

160

120

I

D

= 50 A

80

25 A

40

10 A

0

–40

0

40

80

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流

I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

50000

20000

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

电容C （PF ）

10000

5000

2000

1000

500

200

100

CRSS

0

20

40

60

80

100

科斯

200

100

50

20

10

0.1

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

50

反向漏电流

I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

I

D

= 50 A

V

GS

V

DD

= 50 V

100 V

200 V

V

DS

开关特性

V

GS

(V)

20

10000

V

GS

= 10 V, V

DD

= 125 V

PW = 10

s,

税

≤

1 %

R

G

= 10

1000

TD （关闭）

100

tf

TD （上）

tr

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

tr

500

400

16

漏源极电压

300

12

200

8

100

0

40

V

DD

= 200 V

100 V

50 V

80

120

160

4

0

200

栅极电荷

QG （ NC ）

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

H5N2503P

反向漏电流 -

源极到漏极电压

100

5

门源截止电压

与外壳温度

V

DS

= 10 V

I

DR

(A)

80

V

GS

= 0 V

60

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

4

I

D

= 10毫安

3

1毫安

2

0.1毫安

反向漏电流

40

10 V

20

5V

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

1

0

–50

0

50

100

150

200

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 0.833

°

C / W ，TC = 25

°

C

P

DM

0.05

0.03

D=

PW

T

0.02

1

0.0

PW

T

1s

0.01

10

ho

u

tp

LSE

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

V

DD

= 125 V

10%

90%

10%

90%

t

D（上）

t

r

90%

t

D（关闭）

t

f

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

H5N2503P

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-1374A （ Z）

第2位。版

2002年6月

特点

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 0.04

典型值。

低漏电流：I

DSS

=最大1μA （在V

DS

= 250 V)

高速开关： TF = 190 ns的典型值（ V

GS

= 10 V, V

DD

= 125 V，I

D

= 25 A)

低栅极电荷：的Qg = 140 NC典型值（ V

DD

= 200 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 50 A)

雪崩额定值

概要

TO-3P

D

G

1

S

2

3

1.门

2.漏（法兰）

3.源

H5N2503P

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏

当前

体漏二极管的反向漏峰值

当前

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10微秒，占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

I

DR （脉冲）

I

AP

Note3

Note2

Note1

评级

250

±30

50

200

50

200

50

150

0.833

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

PCH

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

Rev.1号文件， 2002年6月， 10个2页

H5N2503P

电气特性（Ta = 25 ° C）

项

漏源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

符号最小值

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

V

DF

250

—

3.0

—

25

—

典型值

—

0.040

40

5150

620

105

58

210

220

190

140

25

60

1.0

210

1.8

最大

—

±0.1

1

4.0

0.055

—

1.5

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±30 V, V

DS

= 0

V

DS

= 250 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 25 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 25 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 5

RG = 10

V

DD

= 200 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 50 A

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

I

F

= 50 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

Note4

Bidy漏极二极管的反向恢复TRR

时间

体漏二极管反向恢复的Qrr

收费

注： 4.脉冲测试

Rev.1号文件， 2002年6月， 10个3页

H5N2503P

主要特点

功率与温度降额

200

最高安全工作区

1000

300

P沟（W）的

I

D

(A)

150

100

30

10

3

DC

PW

Op

e

ra

=

1m

10

m

s(

10

s

10

0

s

散热通道

漏电流

100

TIO

n

(T

c=

1s

ho

t)

50

0.3

0.1

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

操作

1

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

25

°

C

)

TA = 25°C

1

30

3

10

100 300 1000

漏极至源极电压V

DS

(V)

外壳温度

典型的输出特性

100

10 V

8V

100

脉冲测试

6V

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

I

D

(A)

60

5.5 V

I

D

(A)

80

7V

6.5 V

80

脉冲测试

60

漏电流

40

漏电流

40

TC = 75℃

20

25°C

–25°C

2

4

6

栅极至源极电压

8

10

V

GS

(V)

20

5V

V

GS

= 4.5 V

0

4

8

12

漏源极电压

16

20

V

DS

(V)

0

Rev.1号文件， 2002年6月， 10第4页

H5N2503P

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

4

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

5

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

200

脉冲测试

100

3

I

D

= 50 A

50

V

GS

= 10 V, 15 V

2

1

25 A

10 A

20

0

10

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

1

2

5

10 20

50

漏电流I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

200

脉冲测试

160 V

GS

= 10 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

50

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.5 1

2

5

V

DS

= 10 V

脉冲测试

10 20

I

D

(A)

50 100

75°C

25°C

TC = -25°C

120

I

D

= 50 A

80

25 A

40

0

–40

10 A

0

40

80

120

壳温度（ ° C）

160

漏电流

Rev.1号文件， 2002年6月， 10个5页