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H5N2005DL , H5N2005DS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1104-0200
(上一个: ADE- 208-1373 )
Rev.2.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
低驱动电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -B
(包名称: DPAK ( L) - ( 2 ) )
4
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
瑞萨封装代码: PRSS0004ZD -C
(包名称: DPAK ( S) )
G
1
2
3
S
1
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页4
H5N2005DL , H5N2005DS
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
200
±30
6
24
6
24
25
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
I
DR (脉冲)
注2
PCH
θ
CH-C
总胆固醇
TSTG
注1
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管的反向恢复电荷
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
Q
rr
200
3.0
2.0
典型值
0.52
3.4
300
44
12.5
9.8
2.0
5.2
23
24
43.5
11
1.0
90
400
最大
±0.1
1
4.5
0.65
1.5
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
注3
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A,V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 160 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 33.3
RG = 10
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注3
Rev.2.00 2005年9月7日第2页4
H5N2005DL , H5N2005DS
包装尺寸
JEITA封装代码
瑞萨代码
PRSS0004ZD-B
包名称
DPAK (L) - (2)/ DPAK (L) - (2 )V
质量[典型值]
0.42g
单位:mm
6.5 ± 0.5
5.4 ± 0.5
1.7 ± 0.5
2.3 ± 0.2
0.55 ± 0.1
4.7 ± 0.5
16.2 ± 0.5
3.1 ± 0.5
1.15 ± 0.1
0.8 ± 0.1
(0.7)
5.5 ± 0.5
1.2 ± 0.3
0.55 ± 0.1
2.29 ± 0.5
2.29 ± 0.5
0.55 ± 0.1
JEITA封装代码
SC-63
瑞萨代码
PRSS0004ZD-C
包名称
DPAK (S ) / DPAK (S )V
质量[典型值]
0.28g
单位:mm
1.5 ± 0.5
6.5 ± 0.5
5.4 ± 0.5
(0.1)
(0.1)
2.3 ± 0.2
0.55 ± 0.1
(5.1)
5.5 ± 0.5
1.2 MAX
0 – 0.25
(1.2)
2.5 ± 0.5
1.0最大。
2.29 ± 0.5
0.8 ± 0.1
2.29 ± 0.5
0.55 ± 0.1
Rev.2.00 2005年9月7日第3页4
(5.1)
H5N2005DL , H5N2005DS
订购信息
部件名称
H5N2005DL-E
H5N2005DSTL-E
3200件
3000件
QUANTITY
盒(袋)
TAPING
中海集装箱
注:对于某些牌号,产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处,检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年9月7日第4页4
销售战略规划事业部。
保持安全第一在你的电路设计!
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性,但总是有可能的麻烦
他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害,火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施,如替代,辅助(一)配售
电路,(二)利用针对任何故障或事故不可燃材料,或(iii )预防。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考,帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的
应用;不传达任何许可下的任何知识产权,或任何其他权利,属于瑞萨科技公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利,或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责,始发,
图,表,程序,算法或电路的应用中包含这些材料的例子。
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公布这些材料,并受到了瑞萨科技公司,恕不另行通知更改,由于产品改进或其他原因。这是
因此,建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品
购买此列出产品之前的信息。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失,责任或其他损失,这些不准确或错误上涨不承担任何责任。
另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息,包括瑞萨科技半导体
主页( http://www.renesas.com ) 。
4.当使用任何包含在这些资料,包括产品数据,图,表,程序和算法的部分或全部信息,请您务必
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担
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是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商
本文所包含的任何具体目的,诸如装置或系统的交通,车辆,医疗,航空航天,核,或海底中继器产品
使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准,不得翻印或者复制全部或部分这些材料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制,所以一定要根据许可由日本政府和出口
不能导入超过核定目的地之外的国家。
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技
(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道1 ,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2730-6071
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 2713年至2999年
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
Unit2607瑞景大厦205号茂名路(S ) ,上海200020 ,中国
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瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
瑞萨科技韩国株式会社
KUKJE中心大厦。 18 FL 。 , 191 , 2 -KA ,邯钢-RO ,龙山区,首尔140-702 ,韩国
联系电话: <82> 2-796-3115传真: <82> 2-796-2145
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瑞萨科技(马) 。 BHD 。
单元906 , B座,梅纳拉Amcorp , Amcorp贸易中心, 18号,惹Persiaran巴拉, 46050八打灵再也,雪兰莪雪兰莪,马来西亚
联系电话: <603> 7955-9390 ,传真: <603> 7955-9510
2005年瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记.3.0
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