【H5N2004DL ， H5N2004DS硅N沟道MOS FET高速电源开关ADE - 208-13】,IC型号H5N2004DL,H5N2004DL PDF资料,H5N2004DL经销商,ic,电子元器件-51电子网

H5N2004DL ， H5N2004DS

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE - 208-1372 （ Z）

1日。版

2001年3月

特点

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 0.38 （典型值）。

低漏电流： IDSS =最大1μA （在VDS = 200 V）

高速开关： TF = 10 ns的典型值（ VGS = 10V ， VDD = 100 V， ID = 4 A）

低栅极电荷：的Qg = 14 NC典型值（ VDD = 160 V， VGS = 10V ， ID = 8 A）

雪崩额定值

概要

DPAK-2

4

D

1 2

G

3

H5N2004DS

S

1 2

3

H5N2004DL

1.门

2.漏

3.源

4.漏

H5N2004DL ， H5N2004DS

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏

当前

体漏二极管的反向漏峰值

当前

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW为10μs ，占空比1 ％

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇150℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D

注1

（脉冲）

价值

200

±30

8

32

8

单位

V

A

W

° C / W

°C

I

DR

I

DR

I

AP

注1

（脉冲）

32

7

注3

2

PCH

记

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

30

4.17

150

-55到+150

2

H5N2004DL ， H5N2004DS

电气特性（Ta = 25 ° C）

项

漏源击穿

电压

门源漏电流

符号最小值

V

（ BR ） DSS

I

GSS

200

—

3.0

—

3.3

—

典型值

—

0.38

5.5

450

65

13

19

32

47

10

14

2.5

7.5

0.9

100

0.4

最大

—

±0.1

1

4.5

0.48

—

1.4

—

S

pF

ns

nC

V

ns

C

单位

V

A

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±30 V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 4 A，V

GS

= 10 V

注4

I

D

= 4 A，V

DS

= 10 V

注4

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 4 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 25

RG = 10

V

DD

= 160 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 4 A

I

F

= 8 A，V

GS

= 0

I

F

= 8 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 50 A / μs的

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

体漏二极管的反向

恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

V

DF

TRR

QRR

3

H5N2004DL ， H5N2004DS

主要特点

功率与温度降额

40

P沟（W）的

I

D

(A)

100

30

10

3

1

0.3

0.1

这个区域是

0.03

0

0.01

50

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

1

操作

限于由R

DS （ ON）

DC

最高安全工作区

10

PW

Op

er

=

10

1

1 m

00

s

ms

(1

sh

25

s

散热通道

漏电流

20

at

离子

(T

c=

OT ）

°

C

)

10

TA = 25°C

30

3

10

100

漏源极电压

300 1000

V

DS

(V)

典型的输出特性

10

10 V

I

D

(A)

8

8V

6.5 V

脉冲测试

6V

I

D

(A)

8

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

6

漏电流

4

5.5 V

2

V

GS

= 5 V

0

4

8

12

16

20

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏电流

4

TC = 75℃

2

25°C

–25°C

2

4

6

栅极至源极电压

8

10

V

GS

(V)

0

4

H5N2004DL ， H5N2004DS

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

8

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

10

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

2

脉冲测试

1

6

I

D

=8A

5A

2A

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

0.5

V

GS

= 10 , 15 V

4

2

0.2

0.1

0.2

0.5

1

2

漏电流

5

I

D

(A)

10

20

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

2.0

脉冲测试

1.6 V

GS

= 10 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.02 0.05 0.1 0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5 1

2

5

10

75°C

TC = -25°C

25°C

1.2

I

D

=8A

0.8

5A

0.4

2A

0

–40

0

40

80

120

壳温度（ ° C）

160

漏电流

I

D

(A)

5

H5N2004DL ， H5N2004DS

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1103-0200

（上一个： ADE- 208-1372 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 0.38

典型值。

低漏电流：I

DSS

= 1

A

最大（在V

DS

= 200 V)

高速开关：吨

f

= 10 ns的典型值（ V

GS

= 10 V, V

DD

= 100 V，I

D

= 4 A)

低栅极电荷：的Qg = 14 NC典型值（ V

DD

= 160 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 8 A)

雪崩额定值

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B

（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ））

4

D

4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

G

1

2

3

S

1

2

3

Rev.2.00 2005年9月7日第1页7

H5N2004DL ， H5N2004DS

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

3.总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

注1

价值

200

±30

8

32

8

32

7

30

4.17

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

I

DR （脉冲）

注3

I

AP

PCH

θ

CH-C

总胆固醇

TSTG

注1

注2

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管的反向恢复电荷

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

Q

rr

民

200

—

3.0

—

3.3

—

典型值

—

0.38

5.5

450

65

13

19

32

47

10

14

2.5

7.5

0.9

100

0.4

最大

—

±0.1

1

4.5

0.48

—

1.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

nC

V

ns

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

=

±30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 200 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

注4

I

D

= 4 A，V

GS

= 10 V

I

D

= 4 A，V

DS

= 10 V

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 4 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 25

RG = 10

V

DD

= 160 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 4 A

I

F

= 8 A，V

GS

= 0

I

F

= 8 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

注4

Rev.2.00 2005年9月7日第2 7

H5N2004DL ， H5N2004DS

主要特点

功率与温度降额

P沟（W）的

40

100

30

10

最高安全工作区

I

D

(A)

30

散热通道

20

漏电流

m

1

s

0

=1

0

0m

DC

s

s(

3

Op

1s

ho

er

at

t)

离子

1

(T

c=

25

0.3

°C

)

操作

10

PW

1

s

10

0

50

100

150

200

0.1这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.03

TA = 25°C

0.01

1

3

10

30

100

300

1000

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

10

10 V

6.5 V

8V

脉冲测试

6V

10

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

6

I

D

(A)

漏电流

8

6

漏电流

4

5.5 V

2

V

GS

= 5 V

0

4

8

12

16

20

4

TC = 75℃

25°C

2

–25°C

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

10

脉冲测试

8

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

2

脉冲测试

1

6

I

D

= 8 A

0.5

V

GS

= 10 V, 15 V

4

2

5A

2A

0.2

0

4

8

12

16

20

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

H5N2004DL ， H5N2004DS

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

2.0

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.02 0.05 0.1 0.2

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.5

1

2

5

10

75°C

TC = -25°C

25°C

脉冲测试

V

GS

= 10 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

1.6

1.2

I

D

= 8 A

0.8

5A

0.4

2A

0

–40

0

40

80

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流

I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

典型的电容比。

漏源极电压

5000

2000

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

西塞

反向恢复时间trr （ NS ）

500

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

电容C （PF ）

1000

500

200

100

50

20

10

5

CRSS

0

20

40

60

80

100

科斯

200

100

50

20

10

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

反向漏电流

I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

V

GS

(V)

500

I

D

= 4 A

400

V

DD

= 50 V

100 V

160 V

V

DS

开关特性

20

1000

V

GS

= 10 V, V

DD

= 100 V

PW = 10

s,

税

≤

1 %

R

G

= 10

100

t

D（关闭）

V

GS

16

漏源极电压

300

12

200

8

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

10

t

D（上）

t

r

t

f

100

0

V

DD

= 160 V

100 V

50 V

4

8

12

16

20

4

0

1

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 7

H5N2004DL ， H5N2004DS

反向漏电流 -

源极到漏极电压

10

门源截止电压V

GS （ OFF ）

(V)

门源截止电压

与外壳温度

5

I

D

= 10毫安

4

1毫安

I

DR

(A)

脉冲测试

8

反向漏电流

6

3

0.1毫安

2

4

10 V

2

5V

V

GS

= 0 V

1

V

DS

= 10 V

0

–50

0

50

100

150

200

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 4.17

°

C / W ，TC = 25

°

C

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

0.03

0.02

D=

PW

T

0.01

e

PULS

热

1s

0.01

10

100

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

波形

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

V

DD

= 100 V

10%

90%

10%

90%

t

D（上）

t

r

90%

t

D（关闭）

t

f

Rev.2.00 2005年9月7日第5 7