【H5N0301SM硅N沟道功率MOS FET电源开关ADE - 208-954 （ Z）1日。版20】,IC型号H5N0301SM,H5N0301SM PDF资料,H5N0301SM经销商,ic,电子元器件-51电子网

H5N0301SM

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

ADE - 208-954 （ Z）

1日。版

2000年12月

特点

低导通电阻

低驱动电流

高密度安装

2.5 V门极驱动器

概要

SMPAK

1.源

2.门

3.排水

H5N0301SM

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

评级

±10

200

100

150

-55到+150

单位

°C

PCH

（脉冲）注2

总胆固醇

TSTG

1. PW

≤

占空比

≤

2.值在氧化铝陶瓷基板（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

民

±10

—

0.8

—

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

—

典型值

—

115

120

125

0.82

最大

—

±5

1.8

7.2

—

1.23

单位

= 50米A，V

= 0

注1

测试条件

= 100

= 0

±10 A,

= 0

±8

V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10

= –5 V

= 2500万，V

=4 V

注1

=10mA,V

=2.5 V

注1

=25mA,,V

=10 V

注1

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 4 V，I

= 2500万

= 400

零门voltege漏电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

注意：

1.脉冲测试

GS （ OFF ）

DS （ ON）

H5N0301SM

主要特点

功率与温度降额

300

P沟（ mW）的

在氧化铝陶瓷基板的值。

（ 12.5 ×20× 0.7mm）的

200

散热通道

100

150

200

环境温度Ta （C ）

H5N0301SM

包装尺寸

至于， 2001年1月

单位：mm

1.6

0.2

0.3

–0.05

1.6

0.2

+0.1

0.15

–0.05

0.4 0.8

0.1 0.4

0 – 0.1

+0.1

0.2

–0.05

0.2

–0.05

0.7

0.1

0.5 0.5

1.0

0.1

0.55

+0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

SMPAK

—

符合

0.003 g

H5N0301SM

注意事项

1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利，版权授予许可证，

本文档中包含的信息，商标或其他知识产权。日立不承担任何

责任问题，可能会出现与第三方权利，包括知识产权，在

与使用本文档中包含的信息连接。

2.产品和产品规格可能会随时更改，恕不另行通知。确认您拥有

收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。然而，接触

使用该产品，要求特别高的质量和应用程序之前，日立公司的销售办事处

可靠性或在其失效或故障可能直接威胁人的生命或身体受伤的风险的原因，

如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，交通，安全设备

生命支持或医疗设备。

4.设计你的应用程序，这样的产品是特别为保证日立范围内使用

最大额定值，工作电源电压范围，热辐射特性，安装条件和

等特点。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用超出担保时

范围。即使在保障范围内，可以考虑在可预见的正常故障率或故障模式

半导体器件和使用全身性的措施，如故障保险，使得设备结合

日立的产品不会因操作造成人身伤害，火灾或其他间接损失

日立的产品。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体产品的任何问题。

株式会社日立制作所

半导体&集成电路。

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真：（ 03 ） 3270-5109

网址

北美洲

欧洲

亚洲

日本

http://semiconductor.hitachi.com/

http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg

http://sicapac.hitachi-asia.com

http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

日立亚洲有限公司

日立塔

16哥烈码头＃ 20-00 ，

新加坡049318

联系电话： <65>-538-6533 / 538-8577

传真： <65>-538-6933 / 538-3877

网址： http://www.hitachi.com.sg

日立亚洲有限公司

（台北分公司）

4 /楼167号，敦化北路，

洪郭栋

台北（ 105 ），台湾

联系电话： <886>- （ 2 ） -2718-3666

传真： <886>- （ 2 ） -2718-8180

电传： 23222 HAS -TP

网址： http://www.hitachi.com.tw

日立亚洲（香港）有限公司

第三组（电子元器件）

7 / F。，北塔，

环球金融中心

海港城，广东道

尖沙咀，九龙，

香港

联系电话： <852>- （ 2 ） -735-9218

传真： <852>- （ 2 ） -730-0281

网址： http://www.hitachi.com.hk

欲了解更多信息，写信至：

日立半导体

（美国）有限公司

179东塔斯曼驱动器，

圣何塞， CA 95134

联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990

传真： <1> （ 408 ） 433-0223

日立欧洲公司

电子元件组

Dornacher大街3

D- 85622克恩，慕尼黑

德国

联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0

传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00

日立欧洲公司

电子元件组。

Whitebrook公园

较低的Cookham路

梅登黑德

伯克希尔SL6 8YA ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585000

传真： <44> （ 1628 ） 585160

版权

后记2.0