【1Gbit的移动DDR SDRAM的基础上8M X 4Bank X32的I / O对特定网络阳离子1】,IC型号H5MS1G22MFP-E3M,H5MS1G22MFP-E3M PDF资料,H5MS1G22MFP-E3M经销商,ic,电子元器件-51电子网

1Gbit的移动DDR SDRAM的基础上8M X 4Bank X32的I / O

对特定网络阳离子

1GB （ 32Mx32bit ）移动DDR SDRAM

存储单元阵列

- 组织为8,388,608 X32 4banks

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

修订版1.2 / 2008年6月

移动DDR SDRAM的1Gbit （ 32M X 32位）

H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列

文档标题

1千兆位（ 4Bank X 8M X 32位）移动DDR SDRAM

修订历史

版本号

0.1

0.2

0.3

0.4

1.0

1.1

1.2

- 初稿

- 自定义IDD6电流规格。

- 插入IDD8规格。值（见第23页）

- 修改： IDD5 ：100mA在--> 120毫安

IDD6 （ @ 45

全行）： 450uA -->电流降至500uA

- 最终版本

- 修改： IDD6 （ @ 45

全行）：电流降至500uA --> 450uA

IDD6 （ @ 85

一家银行）： 550uA -->电流降至500uA

- 插入DDR400 DC / AC特性

历史

草案日期

2007年9月

2007年12月

2008年1月

2008年3月

五月。 2008年

2008年6月

备注

初步

修订版1.2 / 2008年6月

移动DDR SDRAM的1Gbit （ 32M X 32位）

H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列

功能摘要

●

移动DDR SDRAM

- 双数据速率的架构：每两个数据传输

时钟周期

●

移动DDR SDRAM接口

- X32总线宽度

- 复用的地址（行地址和列AD-

礼服）

●

突发长度

●

电源电压

- 1.8V器件： VDD和VDDQ = 1.7V至1.95V

●

存储单元阵列

- 1千兆位（ X32设备） = 8M X 4Bank ×32的I / O

●

数据选通

- X32设备： DQS0 DQS3

- 双向，数据选通（DQS ）被发送和重新

可察觉的数据，以在所述捕获数据被用于

接收器

- 参考DQS的两个边缘数据和数据屏蔽

●

低功耗特性

- PASR （部分阵列自刷新）

- 自动TCSR （温度补偿自刷新）

- DS （驱动力）

- DPD （深度节能）： DPD是一个可选功能，

所以请联系海力士办公室的DPD功能

●

输入时钟

- 差分时钟输入（ CK ， CK ）

●

地址表

●

数据屏蔽

- DM0 DM3 ：用于写入数据输入屏蔽信号

- DM口罩写入数据中的上升和

数据选通信号的下降沿

H5MS1G32MFP

2KByte

A0 ~ A13

A0 ~ A8

产品型号

H5MS1G22MFP

PAGE SIZE

4KByte

ROW

地址

A0 ~ A12

COLUMN

地址

A0 ~ A9

●

工作温度

- -30

~ 85

●

包

- 90球无铅FBGA

●

时钟停止模式

- 时钟停止模式是移动DDR支持的功能

SDRAM 。

- 保持在JEDEC标准规定

●

初始化移动DDR SDRAM

- 发生在器件上电时器件或中断

动力

- 可编程的突发长度为2 /4/8既sequen-

TiAl合金与交错模式

●

自动预充电

- 选项为每个突发访问

●

自动刷新和自刷新模式

●

CAS延迟

- 可编程CAS延时2或3的支持

●

MODE RERISTER设置，扩展模式寄存器

TER SET和状态寄存器读

- 保持在JEDEC标准规定

（低功耗DDR SDRAM ）

注）减少

页面大小： 16,384

行了512列32位。

修订版1.2 / 2008年6月

移动DDR SDRAM的1Gbit （ 32M X 32位）

H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列

描述

海力士H5MS1G （ 2/3） 2MFP系列为1,073,741,824位CMOS低功耗双倍数据速率同步DRAM

（移动DDR SDRAM），非常适合于其中使用电池，如PDA， 2.5G和3G蜂窝移动应用

手机与互联网连接和多媒体功能，迷你笔记本电脑，手持式个人电脑。它是作为对4banks

8,388,608 x32.

该HYNIX H5MS1G （2/3） 2MFP系列采用了双数据速率的体系结构来实现高速操作。该dou-

竹叶提取数据速率的体系结构本质上是一个2

预取结构与设计，每传送两个数据接口

时钟周期的I / O引脚。

海力士H5MS1G （ 2/3） 2MFP系列提供了参考的上升沿和下降沿完全同步操作

时钟。虽然所有的地址和控制输入锁存在CK的上升沿（移动DDR SDRAM工作

从差分时钟

： CK的路口去HIGH和CK变低被称为CK的上升沿

数据，数据选通和数据掩码输入的采样在它的上升沿和下降沿（

输入数据被登记在

DQS的边缘两者，并且输出数据是参照DQS的两个边缘，以及与CK的两边缘

）。数据

路径内部流水线和2位预取，实现高带宽。所有的输入电压电平是兼容的

与LVCMOS 。

读取和写入访问的低功耗DDR SDRAM （移动DDR SDRAM ）被爆导向;存取开始在

选定位置，并继续为在编程的顺序位置的设定的号码。访问开始

一个活跃的命令，然后接着读或写命令的登记。地址位稳压

istered暗合了ACTIVE命令用于选择要访问的行和列。地址位

注册读重合或写命令用于选择银行和起始列位置

对于突发的访问。

低功耗DDR SDRAM （移动DDR SDRAM）提供了2个，4个或8个可编程的某些地区读或写突发

系统蒸发散。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电，在结尾处启动的

的突发访问。

与标准的SDRAM ，低功耗DDR SDRAM的流水线和多组结构（移动DDR SDRAM ）

允许的并发操作，从而通过隐藏行预充电并且激活提供高有效带宽

次。

低功耗DDR SDRAM （移动DDR SDRAM ），还提供了特殊的可编程自刷新该选项

有部分阵列自刷新（全，半，四分之一和1/8和1/16阵列）和温度补偿自刷新。

一阵读或写周期的进展可以被中断，取而代之的是一个新的突发读取或写入命令

任何周期（此流水线设计并不仅限于由2N的规则）。只读连发与自动预充电进度disa-

放血可以通过一阵终止终止命令。突发终止命令是不确定的，不应该

用于读取启用Autoprecharge和写突发。

修订版1.2 / 2008年6月

移动DDR SDRAM的1Gbit （ 32M X 32位）

H5MS1G22MFP系列/ H5MS1G32MFP系列

海力士H5MS1G （ 2/3） 2MFP系列具有自动TCSR的特殊的低功耗功能（温度补偿

自刷新），以降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器来实现，它ENA-

统计局根据温度，无需外部EMRS命令自动调节刷新率。

深度掉电模式是一个额外的操作模式为低功耗DDR SDRAM （移动DDR SDRAM ）。此模式

可以通过断电来在低功耗DDR SDRAM存储器阵列最大功率达到降低

（移动DDR SDRAM ）。通过使用此功能，该系统可切断几乎所有的DRAM功率而不会增加成本

电源开关和放弃母板上电源线布置灵活。

所有的输入都是LVCMOS兼容。设备将有一个V

和V

DDQ

1.8V的电源（标称值）。

海力士H5MS1G （ 2/3） 2MFP系列提供以下包：

90球FBGA [大小：采用8mm x 13毫米，T = 1.0毫米MAX]

修订版1.2 / 2008年6月