发布
H5DU6462CTR系列
引脚说明
针
CK ， / CK
TYPE
输入
描述
时钟： CK和/ CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号
采样CK和/ CK下降沿的正面边缘的交叉。产量
（读）数据为参考和CK / CK的交叉（交叉的两个方向） 。
时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号，
装置的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电电源
向下和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE POWER DOWN （行
在任何银行ACTIVE ） 。 CKE是同步的POWER DOWN进入和退出，以及
自刷新条目。 CKE是异步的自刷新退出，并显示输出
能。 CKE必须保持高通量读取和写入访问。输入缓冲器
器，但不包括CK ， / CK和CKE是在断电禁用。输入缓冲器，
除CKE是在自刷新无效。 CKE是SSTL_2输入，而将
检测V后LVCMOS低电平
DD
被施加。
芯片选择：启用或禁用除CK ， / CK ， CKE ， DQS和DM的所有输入。所有的COM
当片选注册高要求主要屏蔽。片选提供了克斯特
在与多家银行系统，银行最终选择。片选被认为是部分
命令代码。
银行地址输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或
预充电命令被应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，并且列
地址和自动预充电位为读/写命令，以选择一个位置
在各个银行的存储器阵列。在一个预充电A10被采样
命令，以确定是否预充电适用于一个银行（A10低）或所有
银行（A10高） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0 ，
BA1 。地址输入也是一个模式寄存器设置过程中提供的操作码的COM
命令。该模式寄存器中的模式寄存器加载BA0和BA1定义
SET命令（MRS或EMRS ） 。
输入命令： / RAS ， / CAS和/ WE （连同/ CS ）定义的命令是
输入。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入数据被屏蔽时
在写访问DM进行采样，以及输入数据高。 DM采样
在DQS的两边。虽然DM引脚的输入而已， DM负载匹配
DQ和DQS装载。对于x16的， LDM对应于DQ0 -Q7的数据; UDM cor-
回应有关DQ8 - Q15中的数据。
数据选通：输出与读出的数据，输入与写入数据。边缘与读取数据对齐，
集中在写入数据。用于捕获写数据。对于X16 ， LDQS对应
上DQ0 -Q7的数据; UDQS对应于DQ8 - Q15中的数据。
数据输入/输出引脚：数据总线
电源为内部电路和输入缓冲器。
电源的输出缓冲器，可抗噪性能。
参考电压输入端SSTL接口。
无连接。
CKE
输入
/ CS
输入
BA0 ， BA1
输入
A0 ~ A11
输入
/ RAS ， / CAS ， /
WE
输入
DM
（ LDM ， UDM ）
输入
的DQ
（ LDQS ， UDQS ）
DQ
V
DD
/ V
SS
V
DDQ
/ V
SSQ
V
REF
NC
I / O
I / O
供应
供应
供应
NC
1.0版/日。 2008年
5
QQ：2880707522 复制
