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NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T
汕头华汕电子器件有限公司。
H5609
█
应用
音频放大
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
英镑
--storage
..............................温度-55 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-25V
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………25V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-20V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………20V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
V
EB
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-1A
I
C
--Collector
当前作.......................................... 1A
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3-基地，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
COB
25
20
5
1
60
0.2
0.7
180
22
240
0.5
1
V
V
V
μA
V
V
兆赫
pF
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
=1mA,
I
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
█
h
FE
分类
A
60—120
B
85—170
C
120—240
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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